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应变SiGe量子阱沟道PMOS阈值电压模型研究

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摘要

应变SiGe材料具有空穴迁移率高、带隙可调等优点,是延续摩尔定律最有潜力的新技术.本文基于应变SiGe量子阱PMOS器件结构与特点,建立其阈值电压模型,并分析Ge组分、氧化层厚度、Si帽层对应变SiGe量子阱沟道PMOS器件阈值电压的影响,为应变技术的发展和应用奠定理论基础.

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来源
《产业与科技论坛》 |2017年第19期|57-58|共2页
作者
王颖;
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作者单位

陕西学前师范学院;

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正文语种 chi
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关键词
应变SiGe材料; 阈值电压模型; 应变技术;

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