机译:用于SiGe沟道超薄SOI PMOS器件的解析背栅偏置相关阈值电压模型
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机译:超薄SOI CMOS器件的分析背栅偏置效应模型
机译:具有背栅控制的纳米超薄体和埋入氧化物SOI MOSFET的阈值电压和界面理想因子的解析模型
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机译:机械应力对硅和锗金属氧化物半导体器件的影响:沟道迁移率,栅极隧穿电流,阈值电压和栅极堆叠
机译:宽带隙GaN基HEMT功率器件中取决于高温操作的阈值电压稳定性的模型开发
机译:基于物理的阈值电压控制分析建模 完全耗尽的sOI双栅NmOs-pmOs柔性FET