一种调节SOI-NMOS器件背栅阈值电压的方法

摘要

本发明涉及一种调节SOI-NMOS器件背栅阈值电压的方法。所述方法包括提高背栅阈值电压和降低背栅阈值电压；提高背栅阈值电压具体包括：将SOI-NMOS器件的栅极、漏极、源极均接地电位，将SOI-NMOS器件的背栅极接绝对值大于80V的正直流电压，并持续10秒以上的时间；降低背栅阈值电压具体包括：将SOI-NMOS器件的栅极、漏极、源极均接地电位，将SOI-NMOS器件的背栅极接绝对值大于80V的负直流电压，并持续10秒以上的时间。本发明调节了SOI-NMOS器件的背栅沟道开启的阈值电压，能够实现SOI-NMOS器件背栅阈值电压的增加和关态漏电流的减小。