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梁彬之;
华中科技大学;
MOS; 器件; 阈值电压模型;
机译:用于SiGe沟道超薄SOI PMOS器件的解析背栅偏置相关阈值电压模型
机译:具有高k栅极电介质的GeOI / GeON MOSFET的二维分析阈值电压模型
机译:短沟道非对称双栅材料双栅MOSFET的分析阈值电压模型
机译:具有高K电介质和金属栅电极的按比例缩放的NMOS器件的闪烁噪声
机译:用于高级CMOS器件的铝酸镧高介电常数栅氧化物的综合研究
机译:在恶劣环境中的双栅sOI / mOs器件和电路
机译:非对称双栅场效应晶体管的阈值电压模型
机译:在通过改进的形成具有稳定阈值电压和平坦带电压的互补金属氧化物半导体(CMOS)结构的方法形成的CMOS器件中,实现在CMOS器件中实现阈值电压控制的阻挡层(的高k电介质选择性实现)
机译:具有布置在变形硅MOS器件空栅电介质上的栅电极的栅叠层
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