公开/公告号CN111129015A
专利类型发明专利
公开/公告日2020-05-08
原文格式PDF
申请/专利权人 宿州市高智信息科技有限公司;
申请/专利号CN201911357653.4
申请日2019-12-25
分类号
代理机构北京权智天下知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王新爱
地址 234000 安徽省宿州市埇桥区国购广场三号楼29室
入库时间 2023-12-17 11:24:22
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2020-06-02
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L27/092 申请日:20191225
实质审查的生效
2020-05-08
公开
公开
机译: 在通过改进的形成具有稳定阈值电压和平坦带电压的互补金属氧化物半导体(CMOS)结构的方法形成的CMOS器件中,实现在CMOS器件中实现阈值电压控制的阻挡层(的高k电介质选择性实现)
机译: CMOS器件的高k金属栅堆叠和结构中的平带电压和阈值电压的控制
机译: CMOS器件的高k金属栅堆叠和结构中的平带电压和阈值电压的控制