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第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会

召开年：2005
召开地：北京
出版时间： 2005-11-01

主办单位：中国电子学会

会议文集：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会论文集

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1.功率放大器驱动电路的研究与设计
- 尉理哲;刘章发
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文对功率放大器驱动电路进行了研究。文章围绕功率放大器驱动电路设计目标和功率放大器驱动电路的具体设计和仿真进行了论述。
2.Flip-around结构高速采样保持电路的设计
- 朱建培;姚若河;张炜华;吴为敬
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文分析了Flip-around结构采样保持电路产生失真的原因,采用增加哑开关管的自举开关消除与输入有关的电荷注入和时钟馈通;采用增益增强技术提高运算放大器直流增益,并通过调整辅助运放的负载电容大小实现主运放建立时间特性的优化.文章设计出一个Flip-around结构的高速采样保持电路,使用Hspice对电路各个模块进行了功能仿真,给出了整个采样保持电路的仿真结果.
3.一种新型的模拟占空比矫正电路
- 张炜华;姚若河;朱建培
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文采用pullpush电荷泵代替频率电压变换电路,设计了一个工作在200MHZ的占空比矫正电路,HSPICE仿真结果表明其调整范围为30﹪-70﹪,占空比变化在1个ps以内.
4.纳米电子器件及其集成
- 刘明;陈宝钦;谢常青;王丛舜;龙世兵;徐秋霞;李志钢;易里成荣;涂德钰
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如:单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论.
5.底栅微晶硅薄膜晶体管研究
- 熊绍珍;李娟;刘建平;赵淑云;吴春亚;孟志国;张丽珠
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文对底栅微晶硅TFT致为关键的微晶硅材料生长孵化层问题进行了详细讨论,发现低硅烷浓度是减薄该层厚度的有效途径.同时发现以SiNx为栅绝缘层对随后在其上生长的硅基薄膜有促进晶化的作用(约20﹪),故底栅微晶硅TFT,硅烷浓度不宜低于3﹪.
6.基于MEMS技术的单片集成压力-加速度微传感器的研究
- 肖鹏;汪家友;杨银堂;娄利飞;刘毅
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文提出了一种用于TPMS(胎压监测系统)的单片集成压力-加速度微传感器.介绍了微传感器的主要结构和工作原理,并对微传感器研制过程中的关键技术进行了详细地分析和探讨.
7.热激励碳化硅微桥谐振器幅频特性研究
- 于建旺;李跃进;李俊杰
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文建立了真空中热激励碳化硅谐振器谐振器简化模型,并用解析的方法,考虑内应力的影响,推导了出了器件的幅频公式,得出了利用有限元软件ANSYS9.0对碳化硅微桥谐振器进行了仿真,振幅仿真结果与理论计算结果符合较好,且真空中品质因数Q大于25000.
8.集成抗ESD二极管的SOI LIGBT/LDMOS器件结构及其制作方法初探
- 汪沁;张海鹏;孙玲玲;高明煜;李文钧;吕幼华;刘国华;汪杰
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文提出了含有抗ESD二极管的集成SOILIGBT/LDMOS器件截面结构和版图结构,并根据器件结构给出了阻性负载时器件的大信号等效电路.探讨了该结构器件的VLSI工艺实现方法,设计了工艺流程.讨论了设计抗ESD二极管相关参数所需考虑的主要因素,给出了结构实现的工艺控制要求.
9.微机械非制冷红外热电堆探测器的研制
- 蔡小五;韩郑生;马斌;梁平治
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文阐述了热电堆探测器的原理,利用ANSYS软件模拟了热电堆探测器的性能,阐述了采用微机械微机电方法制造热电堆探测的工艺过程,采用背面各向异性腐蚀方法架空封闭薄膜,其中所用膜系结构为热二氧化硅(1500埃)+LPCVD氮化硅(800埃)+PECVD氮化硅(3000埃)的复合薄膜结构,所用热偶材料为N型多晶硅和P型多晶硅材料,成功研制出包含18对热偶的热电堆探测器,并对器件性能进行了测量,测得器件的响应率为40V/W,响应时间为91ms,归一化探测率为1.04×108cm·Hz1/2·W-1.
10.S波段20W新结构硅脉冲功率晶体管
- 金海岩;张利春;高玉芝;孟宪馨;宁宝俊;张广勤
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文设计了一种新型结构的双极型微波功率晶体管.该器件采用掺砷发射极多晶硅工艺,多晶硅条长度采用线性变化的方式从边缘到中心按比例减少,以获得均匀一致的发射结结温.为提高功率器件BC结的反向击穿电压,器件引入了深槽隔离工艺,与采用隔离环技术的功率器件相比,将反向击穿电压提高了25-30V左右.在S波段脉冲输出功率大于20W(32V),脉宽l00μs,占空比10﹪,增益大于10dB,效率大于41﹪,器件表现出良好的微波特性和较高的可靠性.
11.集成化SiGe异质结双极晶体管工艺研究
- 王飞;徐阳;许军
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文采用双层多晶硅自对准器件结构,利用多晶硅发射极技术与UHV/CVD图形外延SiGe基区技术,研究开发了适用于集成化的平面结构SiGe异质结双极晶体管(HBT)器件工艺,取得了初步的实验结果.
12.达林顿结构的低噪声SIGE MMIC
- 鲁亚诗;张伟;李高庆
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了一种利用SIGE技术的低噪声SIGE微波放大电路.这一电路以达林顿结构的形式级联,包括两个HBT和四个电阻.HBT采用准自对准结构,其SIGE基区为非选择性外延.频率为1GHZ下电路噪声为1.59dB,功率增益为14.3dB,输入驻波比为1.6,输出驻波比为2.0.
13.数字电视QAM解调器的设计
- 邓青;吴建辉;张萌;叶双应
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文设计了一种适用于高清晰数字电视接收芯片的全数字正交幅度(QAM)解调器.该解调器由数字混频器、数字频率合成器(DDFS)、低通滤波器和匹配插值滤波器构成.本设计改善了DDFS的输出正余弦波形,使得无杂散动态范围(SFDR)小于-75dBc;同时,采用了系数扩展的方法,优化了低通滤波器结构;最后,采用多相滤波的算法,实现了匹配滤波与插值定时功能.仿真结果验证了设计的有效性.
14.平均相关器实现GPS基带信号处理
- 王明明;山东大学物理与微电子学院;沈筱彦;山东大学物理与微电子学院;叶甜春;中国科学院微电子研究所杭州分部
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文提出了一种新的软件实现GPS C/A码捕获、跟踪的频域实现方法--平均相关器.利用Matlab仿真表明这种方法不会明显影响信躁比,同时降低了计算量,简化了接收机的相关器设计,更易于硬件实现,为软件接收机提供了可行的实现方法.
15.基于FPGA技术的微波谐振腔控制系统
- 竺乐庆;叶明
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文提出了一种基于FPGA技术的微波谐振腔控制器的设计方案,使得三个谐振腔的控制器集成在一块FPGA芯片上,既减小了控制器的面积,又提高了电路的可靠性和保密性.研究结果表明,用EDA技术与FPGA器件来设计本课题控制器不仅是可行,而且具有灵活性、高集成度、高可靠性和保密性等优点,很适宜在设计各种专用电路时采用.
16.射频接收端灵敏度的研究
- 魏本富;马成炎;袁国顺
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文在介绍射频前端接收结构的基础上,研究了在锁相环产生的本振信号是否存在相位噪声两种条件下的接收灵敏度,并推导出了本振信号存在相位噪声时的接收灵敏度计算公式,最后进行了分析.
17.100V高压PMOS器件研制
- 宋李梅;李桦;杜寰;夏洋;韩郑生
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文研制出适用于100V高压集成电路的厚栅氧高压PMOS器件.首先利用SynopsysTCAD软件对器件结构及性能进行了模拟和优化,开发出与0.8μmN阱标准CMOS工艺兼容的高压工艺流程,并试制成功.实验结果表明,该器件关态击穿电压为-138V,栅压-100V时驱动能力达17mA(宽长比=50),可以在100V电压下安全工作.
18.新结构InGaP/GaAs HBT的研制
- 杨威;刘训春;朱晻;王润梅;申华军;刘新宇
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文在U型发射极结构基础上，提出了一种新结构HBT.该器件工艺简单,可靠性好,成品率高,而且仍然具有U型发射极HBT良好的的击穿、直流和高频特性.
19.阶梯掺杂漂移区厚膜SOI LDMOS的研制
- 郭宇锋;李肇基;张波;龚建荣
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文在1.5μm埋氧层、3.μm顶层硅的SOI材料上研制了漂移区为均匀掺杂、一阶阶梯掺杂和二阶阶梯掺杂的LDMOS.实验结果表明:在漂移区长度为20μm时,采用二阶掺杂漂移区可以实现击穿电压和导通电阻的良好折衷.和相同结构的均匀掺杂漂移区相比,击穿电压可由160V提高到250V,提高幅度为36﹪,而导通电阻则由1.9Ωmm2降低到1.6Ωmm2,降低幅度为16﹪.
20.与CMOS工艺兼容的硅基PERL型LED的研究进展
- 李晓云;牛萍娟;郭维廉
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文对与CMOS工艺兼容的硅基PERL型LED的研究进展进行了论述。文章介绍了一种全新的PERL结构的硅基LED,并针对该结构在通讯中的应用提出了改进设想.
21.金属栅/高K栅介质:亚45纳米CMOS技术的需求
- 康晋锋
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文对金属栅与高K栅介质研究发展中的一些关键问题和相关的解决方案进行了系统的讨论和研究。文章围绕高K栅介质材料的选择、高K栅介质的按比例缩小能力、高K栅介质集成的工艺兼容性、双金属栅的需求与集成、金属栅/高K栅介质的可靠性进行了论述。
22.基于能带计算的纳米尺度MOS器件模拟
- 余志平;田立林
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文对从第一原理出发,高效率地计算沟道区的能带结构进行了研究.文章在得到载流子的输运参数(有效质量、迁移率等)的基础上,通过直接求解带开放边界条件的薛定谔方程以得到器件的电学特性.考虑到应力对能带结构和散射机制的影响,同时对载流子迁移率与晶向的关系进行了研究.
23.聚合物碳黑混合物气敏微传感器的研究
- 杨秋冬;中电集团第24研究所
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文研究了一种基于聚合物-碳黑混合物的气敏微传感器.通过四种不同的聚合物敏感材料以及混合的碳黑修饰在梳状微电极上,可以得到这种新型的化学气敏电阻型微传感器.比较了两种不同宽长比电极对于该类传感器性能的影响后,将这四种不同聚合物的微传感器分别对500×10-6体积分数丙酮、乙醇、甲醇、甲苯四种有机类气体进行了测试,比较其电阻的相对变化率,利用响应的主成分分析可以将四种气体区分开.
24.非线性电流法分析MESFET功率放大器
- 吴保中;高桂友;李平辉
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文使用非线性电流法对MESFET功率放大器在连续谱信号激励下的非线性性能进行分析,得出功放三阶互调及频谱再生等结果,为工程设计提供了依据.
25.一种抗单粒子翻转的SOI器件结构
- 贺威;中国科学院研究生院;张正选
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了SOI器件的可偏压隔离阱结构,对这种结构进行抗单粒子翻转的可能性进行了分析,对采用此结构的反相器的抗单粒子翻转性能利用器件模拟软件Medici和电路模拟软件Hspice进行了模拟.
26.一种单片功率集成电路的器件和工艺设计考虑
- 考虑;中国电子科技集团公司第二十四研究所;谭开洲;石红;杨国渝;中国电子科技集团公司第二十四研究所;冯建;中国电子科技集团公司第二十四研究所;刘勇;中国电子科技集团公司第二十四研究所
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了一种功率集成电路的器件和工艺设计,根据电路的功能要求,对比了PN结隔离和SOI介质隔离以及各种硅器件的特点,考虑了电路的耐压、电流和功率的要求,采用了键合SOI介质隔离和CMOS/LDMOS兼容工艺实现了电路功能,该电路使用了9V和24V两种工作电压,集成双LDMOS器件耐压80V,单片电流处理能力为6A.
27.C波段8W PHEMT功率管的设计
- 邱旭;邢东;权东利;余若祺
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了C波段PHEMT功率管的材料设计、制作工艺和微波性能.采用高质量PHEMT材料,成功地制作了单胞9.6mm栅宽的芯片.经内匹配,合成器件在C波段得到3.7～4.2GHz,输出功率8W,增益10dB,效率45﹪的良好结果.
28.8×8MEMS光开关阵列的制作
- 贾翠萍;董玮;周敬然;王丹;刘彩霞;臧会东;徐宝琨;陈维友
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文采用MEMS技术制作了静电驱动的扭臂结构8×8光开关阵列,主要包括上下电极的制作.利用硅在KOH溶液中各向异性腐蚀特性及(110)硅的结晶学特点,在(110)硅片上我们制作了微反射镜阵列上电极,考虑到微反射镜在腐蚀过程中有很大的侧蚀,为保证得到足够大的反射镜,我们对开关结构进行了调整.在偏一定角度的(111)硅片上制作了倾斜的下电极.整个开关制作工艺简单,成本低.开关寿命大于1000万次,开关时间小于10ms.
29.一种准确的射频大功率4H-SiC MESFET沟道电流模型
- 刘卫兵;张义门;张玉明;吕红亮
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文在对4H-SiCMESFET器件工作机理分析研究的基础上,提出了一种适合射频大功率器件的Ids(Vgs,Vds)模型,并针对两种不同结构尺寸的4H-SiCMESFET器件,用MATLAB对此模型进行了模拟,模拟结果与测量数据符合较好.
30.S波段20w GaAs内匹配管
- 张涛
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文对一种单电源的S波段20w内匹配管进行了介绍.在f0=3.3GHz、V=10V(Vds=8.5V)时该器件输出功率20W,功率增益13dB,功率附加效率45﹪,
31.一种线性霍尔效应传感器的电路改进
- 陆江
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了一种目前市场上大量使用的线性霍尔效应传感器,通过对电路结构分析给出了改进关键特性的方法,使用HSPICE仿真器进行了模拟仿真,验证了提出方法的正确性.
32.带栅极定位镀膜硅微尖锥阵列研制及其场发射特性研究
- 佘峻聪;何浩;邓少芝;陈军;许宁生
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了制备带栅极定位镀膜硅微尖锥阵列的技术,并对面积为0.25mm2、40×40DLC薄膜的硅微尖锥阵列的样品进行了场发射特性测试,在栅极电压为200V时获得0.23A/cm2的发射电流密度.
33.条形单胞VDMOSFET特征导通电阻的物理模型
- 宋文斌;韩郑生;石广源;高嵩;永福
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文推导出了条形单胞VDMOSFET的特征导通电阻的数学模型，并以(55V/30A)功率VDMOSFET的设计为例，根据此模型的计算数据确定器件单胞尺寸。
34.LCOS驱动电路高压器件(30-40V)研究
- 王文博;杜寰
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文结合LCOS驱动电路中的高压单管传输门的要求,设计了双漂移区厚栅氧LDMOS的结构,实现传输高电压的要求.利用Tsuprem4软件对所设计的器件进行了物理模拟,获得了沟道长度、漂移区长度、栅氧厚度等等各种实用的结构参数和漂移区、沟道区等各个区域的掺杂浓度,确定了各区的注入剂量;利用medici软件模拟了器件的开启电压、击穿电压、漏电流、驱动电流等性能参数,得到了源栅漏三极耐压均超过30V、漏电流小于1E-10A、驱动电流5.4mA的NMOS晶体管;提出了可行的制造方案和工艺流程,为LCOS高压驱动电路的集成提供了物理基础和工艺参考.
35.自旋极化电流从铁磁金属注入半导体的研究
- 吴云;张玉明
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文通过求解一维定态薛定谔方程,得到自旋电子直接遂穿金属-半导体肖特基势垒的自旋极化率.在偏压很小时,自旋极化电流没有足够的能量来越过势垒,在偏压适中时,可以达到相当大的自旋极化率,在没有绝缘层的情况下,选择合适的半导体例如AlGaAs/GaAs,由于金半接触形成的肖特基势垒起到了自旋相关势垒的作用,同样可以获得可观的自旋极化率.
36.磁性纳米自旋阀器件中电流诱导磁化翻转行为的实验研究
- 姜勇;滕蛟;包瑾;猪俣浩一郎
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文实验研究了一种特殊的反对称自旋阀结构.随着外加磁场的增大,该结构纳米器件表现出了一种由"逆CIMS"向"正常CIMS"的转变.这种现象被解释为:该反对称自旋阀在不同的外加磁场下有不同的磁化取向,因而引起不同的CIMS行为.
37.AlGaN/AlN/GaN HEMTs电流崩塌效应研究
- 李诚瞻;刘键;刘新宇
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文采用AlN插入层改善材料结构,研究了AlN插入层对AlGaN/GaNHEMTs电流崩塌效应的影响.直流应力条件下,AlGaN/GaNHEMTs的输出电流显著减小,膝点电压和阈值电压也有较大程度的退化,出现严重的电流崩塌现象;相同应力条件,AlGaN/AlN/GaNHEMTs的电流崩塌现象有显著改善,表明AlN插入层能有效抑制电流崩塌效应.AlN插入层能增加异质结的带隙差△Ec,提高AlGaN势垒高度,减小热电子向AlGaN表面遂穿,从而加强沟道2DEG的量子效应,抑制电流崩塌效应.
38.高速12位D/A转换器研究
- 李荣强;徐婉静;谭开州;徐世六;刘道广;严刚;何开全;刘玉奎;张静;杨秋冬;钟怡;舒曼
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了高速12位D/A转换器电路的设计,采用2μm等平面高速双极工艺,研制出数据更新率≥80MHz,线性误差≤3LSB,微分非线性≤3LSB的12位D/A转换器电路.
39.SOC芯片系统可测性设计方法研究
- 邬贵明;窦勇
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文对SOC芯片系统可测性设计进行了论述。基于核的SOC设计正在飞速发展,这种设计方法充分利用了设计的可重用性,从而得到了更短的开发周期.然而,SOC芯片系统的测试仍面临着巨大的挑战,同时SOC芯片系统可测性设计方法也成为了SOC设计的一个重要的研究热点.
40.自适应遗传算法在CMOS模拟单元电路优化中的的应用
- 郑维山;唐守龙;彭艺频;吴建辉
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文在CMOS单元电路优化中提出了一个新的设计方法.此方法采用器件参数构成的描述电路行为的性能解析方程和自适应遗传算法实现电路性能指标的优化.仿真结果表明,这种方法可以得到满意的仿真结果,并具有较短运行时间的特点.
41.基于Java和Web技术的Hspice仿真平台
- 段新东;常玉春;大连理工大学物理系;杜国同;大连理工大学物理系
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文提出并实现了一种基于Java和Web技术的Hspice仿真方法,即用户在客户端提交Hspice网表到服务器,启动服务器端Hspice软件进行仿真,其结果以数据和图形化的形式显示在客户端.这种方法可以充分利用服务器系统资源,提高EDA软件利用效率,避免软件许可证的限制.所实现的网络仿真系统安全性好、操作简单、执行效率高,核心为Java和C编写,具有可移植性好、平台无关性等优点.
42.模拟脉宽鉴别器的设计及应用
- 王春雷;毛伟;方健;李肇基
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文设计了一种模拟脉宽鉴别器电路,它是通过识别周期性脉冲的宽度使输出翻转成不同的电平,从而实现鉴别脉宽的功能.通过HSPICE模拟程序和芯片测试,证实了该设计具有正确的功能,而且把它应用在功率MOS栅驱动集成电路中,可以降低该驱动集成电路的功耗和芯片的面积.
43.双路8位100MHz高速A/D转换器设计
- 严顺炳;严纲;张加斌;李儒章
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍高5位采用折叠转换、低3位采用并行转换的混合型转换结构的A/D转换器,设计中解决了速度、功耗、面积间的矛盾,在较小的芯片面积(2.56×2.89mm2)实现100MHz双路A/D转换器的高速转换.
44.一种脉宽调制控制器的研制
- 周玉涛;许法;江军
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了一种脉宽调制控制芯片,并对其工作原理、设计思路、线路设计、版图设计及可靠性设计等进行了简要描述.该电路的内部集成了5V的带隙基准电压,负载能力为10mA;可调频率的时钟振荡器,频率范围为1～300kHz;双路输出可以并联使用,也可以推挽使用;输出电流大,可达200mA.该电路具备了PWM控制器的许多功能,可广泛应用于各种开关电源系统中.
45.一种铁氧体移相驱动器的研制
- 许云;张士文
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了一种铁氧体移相驱动器,并对其工作原理、线路设计、版图设计及可靠性设计等进行了描述.该电路用以驱动铁氧体磁芯绕组中的峰值电流,具有静态功耗低,驱动能力强,响应速度快等特点,其内部电路设计有:双路功率驱动器、双路比较器、放电回路.可广泛应用于数字通讯和相控阵雷达天线系统中.
46.微波集成电路电参数的快速提取
- 王祖静;李平辉;何宁
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了一种快速、有效的自适应算法,用于提取宽频带微波集成电路的电参数.先用矩量法求出几个频点对应的电流分布,提取出一组特征基,然后用这组特征基构建其它频点上微带电路的电流分布,这样就避免了在每个频率点重复求解大型矩阵方程,进而达到减少计算量,提高计算效率的目的.
47.一种主从式多处理器设计及FPGA实现
- 方小明;楼向雄;付建云;丁塔
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文用单芯片多处理器设计技术设计了一种基于RISC的多处理器IP核,处理器之间使用双端口RAM的通信方式.采用改进型主从式多处理器架构完成基于XilinxFPGA的具体实现,研制的应用系统已经成功用于工业化生产.
48.两种CMOS带隙基准的电路实现
- 刘晓燕;中国科学院研究生院;张岩;叶青
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了两种输出分别为不可变和可变的CMOS带隙基准电路.采用PMOS和NMOS共源共栅电流镜代替经典结构中的电阻,给双极型晶体管提供偏置电流,降低了功耗,并且减小了沟道长度调制效应带来的误差；采用smic0.18um工艺,3.3V电源电压进行仿真.结果表明,在0～80℃温度范围内,两种CMOS带隙基准输出电压的温度系数分别为5×10-6/℃和3.1×10-5/℃;在电源电压大于2.5V时,电源电压的变化对输出电压几乎没有影响.
49.一种适合芯片技术的语音特征提取电路
- 王阳
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文设计一种便于芯片技术实现、结构简单的语音特征提取电路,它由带通滤波器组、整流电路和低通滤波器构成,并借此阐述一种充分利用器件特性设计电路的思想,这种思想以完成功能为目的,不以完成算法为目标,用它建立的数学模型可能很复杂,但电路结构简单,便于芯片实现,芯片资源利用率高.对实际语音信号进行SPICE模拟结果初步表明,这个电路可以得到与线性系统类似的语音特征.
50.PIN光电管跨导放大电路的分析与优化设计
- 李君桥;秦石乔;王省书
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了PIN光电管跨导放大电路的基本工作原理,分析了PIN管及其检测电路的噪声模型,在该模型的基础上对检测电路的结构与参数的优化设计进行讨论,给出He-Ne激光器光电检测电路的优化设计实例,并进行了实验研究,结果表明达到了较高的综合性能.
51.电流型PWM控制器的研究
- 江军;张锋;周玉涛
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了SW1843电流控制PWM开关电源的基本原理,并将其与电压控制PWM开关电源进行比较,指出了电流控制PWM开关电源的优点,并对内部芯片的线路设计及工作原理、版图设计等进行了描述.
52.电流控制型反激式AC-DC变换的功率限制电路
- 林敬新;叶星宁
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文给出一种用于反激式AC-DC转换器的恒定功率限制补偿电路.该设计通过引入一个半斜坡状的功率补偿电路,使得输出电路在大功率或交流高输入电压情况下,控制开关管的关断时间,来实现电源内部功率输出限制点为一个定值.与传统的开关电源电路相比,该功率限制的引入使得输出端的最大功率得到了较好的约束.
53.电压模式BOOST电路启动尖峰电压的分析
- 任俊;叶星宁
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了DCDC电压模式控制PWM升压电路的基本结构和工作原理,然后结合实际设计和测试的相关电路阐述了其中电压误差放大器的设计.在此基础上,着重分析了电路启动时产生尖峰电压的原因,给出了相应解决办法以及最终的测试结果.
54.一种CMOS多谐振荡器电路的设计
- 聂丹;叶星宁
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文在对多谐振荡器结构和原理系统分析的基础上,完成了一种新颖的多谐振荡器设计.并详细描述了它的起振条件,给出了振荡周期的计算公式,还对电路进行了仿真和性能分析.
55.一种新型开关电容电源电路的研究
- 丁杰;叶星宁
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文对一种新型开关电容电源电路进行了研究。文章详细描述了它的工作条件,给出了有关计算公式,同时对电路进行了仿真和性能分析.
56.新型超声波测距ASIC设计
- 杨兵;叶星宁
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文设计了稳定性更好和智能化程度更高的超声波测距的硬件.它能有效的防止声波衍射,实现周围环境的自适应,以及通过不同大小的物体反射的超声波幅度判断的智能化处理，还能实现适用于不同应用的报警输出和显示.
57.非接触IC卡封装失效分析
- 吴行军;高任;孟红霞;徐磊
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文针对非接触式IC卡在卡片封装过程中出现的失效样品进行了深入分析,找到了封装过程中主要的失效类型,并分析了各种失效的原因与机理,为有效降低非接触IC卡封装过程中的失效率提供了可靠的依据.
58.一种宽输入双路输出DC/DC电源的研制
- 叶红松;黄小飞;吴限
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了一种由LTC1624构成的宽输入、双路输出DC/DC单片开关电源模块(以下简称电路)的设计.它采用厚膜工艺技术制造.具有工作电压范围宽(7-30V)、双路输出(+5V、+15V)、输出电流大(+5V最大可达到3A,15V可达到1A)、电压调整率、负载调整率低(低于0.5﹪)等特点.该电路可广泛应用于通信、网络、工控、铁路、军事等领域.
59.嵌套式层次化P/G网IR-drop分析方法
- 解敏;张义门;张玉明;苏浩航
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文提出了一种基于嵌套式层次化P/G网IR-drop分析方法,并采用双共轭梯度法(BCG法)加速子网运算,同时与不完全Cholesky分解法(ICCG法)、共轭梯度法(CG法)法进行比较.实验结果表明,基于BCG法求解P/G网IR-drop在计算速度上优于ICCG法和CG法.
60.PCI Express物理层逻辑子模块中LTSSM设计
- 李长青;刘伯安;夏宇闻
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文阐述了PCIExpress物理层逻辑子模块中的LTSSM模块设计及其与其它模块接口信号的定义.在设计方法上采用了层次化的结构设计,将LTSSM分成两个层次模块分别进行设计,提高了设计的可读性和可移植性.设计结果经过功能仿真验证,能够正常工作.
61.0.18um数字CMOS工艺下的高增益运算放大器设计
- 王晗;叶青
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文基于SMIC0.18um数字CMOS工艺,设计了一种基于增益增强技术的折叠式共源共栅运算放大器,并采用衬底校准技术增大了运放的输入摆幅,可用于13位30MHz采样频率的流水线模数转换器,并详细分析了受流水线性能限制的运放性能.仿真结果表明运放在1V的输入摆幅下开环增益大于100dB,8.5pF负载电容下单位增益带宽为322MHz,功耗仅为1.9mW.
62.基于椭圆曲线密码体制(ECC)的数字签名系统
- 刘晓燕;白国强;夏宇闻
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文对椭圆曲线密码体制(ECC)的数字签名系统进行了研究。文章主要介绍了清华大学微电子学研究所在ECC芯片实现方面的研究成果及应用系统方面所做的工作。
63.一种155Mb/s AGC跨阻放大器的设计
- 杨卫东
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了利用XFAB的0.6μmCMOS工艺设计的应用于155Mb/s光纤通信的一种接收机前置放大电路,它由基准源电路、跨阻放大器、AGC控制电路、差分输出级等组成,利用工作于三极管区的MOS管作为信号通路中所并联的压控反馈电阻以获得可变跨阻,接收、放大、处理来自PIN光电二极管检测器接收到的电流型脉冲电信号,具有输入动态范围大、100Ω～55KΩ跨阻增益变化范围、3dB带宽宽、AGC稳定时间快等特点.
64.基于Intel 16位MCU及CPLD的电磁流量计转换器设计
- 李磊;张玉明;张义门;王梁永
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文开发了一种以Intel80C196KC单片机及CPLD为核心的通用智能电磁流量转换器,详细说明了流量信号的特征、系统的硬件组成结构.
65.新型微电子器件及其在现代雷达中的应用
- 严伟;郑伟
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了微电子技术的一些最新进展和一些新型微电子器件,详细论述了这些新型微电子器件在现代雷达系统中的应用,以及对实现现代雷达系统小型化、轻量化、多功能、高可靠和快速灵活机动性能所发挥的巨大作用.
66.提高SOI器件和电路性能的研究
- 海潮和;韩郑生;周小茵;赵立新;李多力
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文SOI器件和电路性能进行了研究。文章认为，SOI技术是在体硅CMOS技术的基础上发展起来的,和体硅相比SOI有较多的优势，但同时也有它的劣势,这种劣势实际上是由其特殊的器件结构决定的。文章对SOI器件的性能进行了分析，提出了提高SOI器件和电路性能的几项重要措施。
67.一种超βNPN晶体管的研制
- 阚玲;欧宏旗
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文阐述了一种超βNPN型晶体管的成功研制并使其能实现批量生产的过程.该晶体管在VCE=5V,IC=500mA大电流下工作时,电流增益可达到900～1800范围,且器件的VCEO、VCBO耐压比较高,其中VEBO达到15V以上,完全满足低频大电流超高增益晶体管的实用技术要求.
68.低压条形栅功率场效应晶体管的研制
- 王立新;廖太仪;陆江
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了一种新型低压平面结构的功率场效应晶体管--条形栅VDMOS的研制.通过与传统的元胞型结构比较,分析了条形栅具有导通电阻小、开关速度快以及工作稳定性高等特点.同时对条形栅VDMOS的工艺做了介绍,其工艺过程简单,实用性强.
69.1-mm SiC多指栅微波功率器件研究
- 陈刚;钱伟;陈斌;柏松
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出了可行的工艺流程,并且制造出单栅宽100um,总栅宽1mm,栅长0.8um的n沟道4H-SiCMESFET,其微波特性测试结果:在2GHz、Vds=30V时,最大输出功率为1.14W,相应增益为4.58dB,功率附加效率为19﹪,漏极效率为28.7﹪.
70.LDMOS漂移区结构优化的模拟
- 徐亮;刘先锋;郑国祥
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文对LDMOS漂移区结构优化进行了研究。文章采用DoubleRESURF新结构,使漂移区更易耗尽.从理论和模拟上验证了DoubleRESURF在漂移区浓度不变时对击穿电压的提高作用以及在保持击穿电压不变的情况下减小导通电阻的效果.
71.用于CMOS图像传感器的光电二极管的模型
- 刁静;林祖伦
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文对用于CMOS图像传感器的光电二极管的模型进行了探讨。文章利用少数载流子的稳态连续性方程和半导体材料对光的吸收,求出光电流的表达式，再用MATLAB进行计算,得到两种二极管的响应率与波长的关系图,并对结果进行了分析。
72.微波功率SiC MESFET研制
- 李亮;潘宏菽;王同祥
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文采用国产SiC外延片,在2GHz下研制出输出功率1.3W的MESFET样管,并对芯片加工工艺和器件的测试技术进行了分析,给出了相应的工艺和测试结果.
73.基于硅基共振隧穿二极管与CMOS的数字电路
- 马龙;王良臣;杨富华
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文对数字电路中比较典型的可编程逻辑门和流水线加法器进行了设计与模拟，同时讨论了在目前硅基RTD器件较低的PVCR值情况下实现相应电路的可行性。
74.基于PDSOI DTMOS低压低功耗镜像全加器研究
- 毕津顺;海潮和
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文对基于PDSOI DTMOS的低压低功耗镜像全加器进行了研究。文章围绕PDSOIDTMOS器件特性和超低压低功耗镜像全加器的设计进行了论述。
75.一种简化的高压VDMOS静态物理模型
- 鲍嘉明;孙伟锋;赵野;陆生礼
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文对于VDMOS漂移区中由泊松方程得到的解析解,通过进行一些近似处理,将其由一个关于电场的隐含表达式转化为近似的电场的显式表达式,这样就在较大程度上简化了模型的计算过程,从而得到了一种简化的VDMOS静态物理模型.器件模拟软件MEDICI的模拟结果验证了本文简化模型的计算精度,可以看到,虽然简化模型是经过近似处理得到的,但是其计算精度依然是较高的.
76.智能功率开关及其在软开关中的应用
- 李思扬;王志强
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了一种由高压双极型晶体管和低压功率MOSFET管结合而成的单片共射共基极结构智能功率开关.从结构和电气特性两方面描述了其基本特性.特别研究了它作为100kHz的零压准谐振boost变换器主开关的器件特性,凸显了它在高压高频应用中的良好性能.实验测试证实了这种开关的优缺点.最后给出了开关损耗对应开关频率的关系曲线.实验结果证明了器件用于软开关场合的优势.
77.OLEDoS驱动电路中高压CMOS器件研究
- 王晓慧;杜寰;韩郑生
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文对工作电压在10V-18V范围内用于硅基OLED驱动电路的高压CMOS器件进行了模拟.在SynopsysTCAD软件环境下,模拟了栅长为0.8μm的NMOS和PMOS器件,通过不断调整LDD区域的长度及杂质浓度,使器件的击穿电压达30V.同时,确定了关键的工艺参数,并计算了器件的主要特性,为OLEDoS驱动电路的实现打下了基础.
78.SOI多晶硅栅控二极管抗ESD研究
- 许高博;汤仙明;韩郑生
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文设计并制造了SOI多晶硅栅控二极管抗ESD电路,采用HBM模型对其进行抗ESD研究,分析了沟道长度、宽度和多指结构对器件抗ESD能力的影响,获得ESD失效电压高达4kV以上的SOI多晶硅栅控二极管保护电路.
79.4H-SiC MESFET的最佳源、负载阻抗特性研究
- 秦信刚;张义门;张玉明
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文研究了高频下4H-SiCMESFET的最佳源、负载阻抗,综合考虑封装产生的寄生效应给出了最佳源、负载阻抗的解析表达式,并分析了极间电容和寄生电感对源、负载阻抗的影响.
80.S波段高增益功率放大器
- 张涛
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了一种S波段增益达到50dB的小体积功率放大模块.该模块采用南京电子器件研究所Φ76mm圆片0.5μmFET标准工艺制作而成的芯片和高质量的MIM(金属-氮化物-金属)电容制作.该模块便于批量生产,在各领域具有良好的应用背景.该产品的主要技术指标:工作频率:S波段;输出功率≥1.2W;增益≥50dB;外形尺寸≤2cm3.
81.MIUC poly-Si TFT及其在SOP-LCD中的应用
- 吴春亚;香港科技大学电气与电子工程系;孟志国;香港科技大学电气与电子工程系;马海英;熊绍珍;张丽珠;王文;郭海成
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文基于金属诱导单向晶化(MIUC)技术,通过版图的选择设计和工艺流程的优化,结合后热退火处理,制备出迁移率高于100cm2/V.s,开关比大于107,阈值电压的绝对值在3V以内的P沟和N沟MIUCpoly-SiTFTs.在此基础上设计制备出用于周边集成的驱动电路.对制备的多晶硅驱动电路单元进行评价性测试.它们的工作频率随施加的工作电压呈指数式增加,最终趋于线性增长,在外加激励信号电压为10v时,工作频率可以达到5MHz.测试结果达到设计要求值.将这样的行、列驱动电路,一同集成作在像素矩阵电路的玻璃周边,研制出彩色"SystemonPanel_SOP"的AMLCD模块,具有良好的动态显示功能.
82.图像块动态划分矢量量化算法的ASIC结构
- 马海侠;马文龙;余宁梅
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文提出一种基于图像块动态划分矢量量化算法(PDVQ)的图像编码系统的ASIC结构.除了PDVQ算法,该结构还采用了分类编码算法、预排序的分类码书和最邻近搜索算法,大大提高了编码系统的性能.
83.具有低欧姆接触电阻的高性能AlGaN/GaN HEMT器件研制
- 刘键;李诚瞻;魏珂;和致经;刘新宇
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文系统研究了AlGaN/GaNHEMT器件Ti/Al/Ti/Au四层金属结构欧姆接触的形成过程.通过系统研究退火条件获得了较低的欧姆接触电阻,实现了10-7Ω.cm2的欧姆接触,并在此基础上对AlGaN/GaNHEMT欧姆接触形成机理进行了深入讨论.通过器件工艺的优化,研制了高性能的AlGaN/GaNHEMT器件.栅宽40微米的器件跨导达到250ms/mm,fT达到70GHz;栅宽0.8mm的功率器件电流密度达到1.07A/mm(Vg=0.5v),Vds=30V时,8GHz工作频率下(在片测试)器件的输出功率为32.5dBm(1.6W),输出功率密度达到2.14W/mm,功率增益为12.7dB.
84.硅基光电集成电路(OEIC)研究进展
- 张宇;牛萍娟;陈弘达;刘海军;毛陆虹;郭维廉
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文对硅基光电集成电路(OEIC)进行了研究。文章主要介绍了国内外Si基光电集成电路最新的研究进展和成果,并对其未来进行了展望.
85.集成电路结构的规范化描述
- 严利人
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍一种规范化的集成电路等微结构的描述工具,即微结构描述语言.对于所定义的微结构描述语言的各项先进特性,文章是结合一个CMOS结构实例来进行介绍的.在加工对象的结构描述基础上,可以提取结构特征和及进行结构分析;而对结构特征进行分析,将为接下来自动生成规范化的工艺流程,搜集和准备必要的结构信息.
86.一种新型CMOS可编程波控专用接口芯片
- 朱冬梅;赵兵
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文研制了一种正向设计的全定制CMOS可编程波控专用接口芯片。文章介绍了其基本工作原理、线路设计、版图设计和可靠性设计。该产品具有地址可编程、功耗低(≤5mW),开关速度快(输出上升时间≤30ns),工作频率高(fmax=5MHz),输出高低电平电压幅度大(VOL≤-4.9V,VOH≥-0.1V),输出路数多且一致性好等优点,可广泛应用于数字通讯和相控阵雷达天线系统中。
87.一种带宽可调的连续时间滤波器的设计
- 莫邦燹;倪学文;项斌
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文阐述了连续时间低通滤波器的电路结构和基本原理.介绍了调整连续时间滤波器通带频率的方法.对电路进行了计算机模拟,模拟结果和理论计算基本上一致.电路采用1.2μm双层多晶硅双层金属CMOS工艺流片,取得了满意的结果.
88.12位A/D转换器ADS7806与80c196kc单片机的接口及c语言设计
- 王梁永;张玉明
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文对12位A/D转换器ADS7806与80c196kc单片机的接口及c语言设计进行了研究。文章介绍了其主要特性和功能,并给出了它与16位单片机80c196kc的接口方法,同时结合在电磁流量计设计中的运用,用c语言编写用ADS7806所完成的数据采集应用程序.
89.采用电阻加固的抗单粒子辐照SOI SRAM单元
- 郭天雷;韩郑生;张正选;张恩霞;愈文杰
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文提出利用电阻加固的SRAM单元,采用去耦电阻加固单元时,应该注意去耦电阻随工艺加工和温度的变化,进而在设计中给予充分的考虑.通过对单元的仿真,可以估算去耦电阻的阻值.
90.一种适用于D类音频功放的LDMOS设计与模拟
- 许高博;韩郑生
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文根据RESURF原理,模拟实现了一种适用于D类音频功放的LDMOS器件,其工艺流程参考中国科学院微电子研究所标准BiCMOS工艺,利用TSUPREM-4软件对其进行了工艺模拟,根据工艺模拟的结果,又利用MIDICI进行了器件电学特性的模拟,取得良好的模拟结果:器件耐压超过90V,导通电流密度为3×10-4A/μm(Vgs=5V).
91.微晶硅TFT反常的不稳定行为
- 吴春亚;李娟;赵淑云;刘建平;孟志国;熊绍珍
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文在一种有源区处于结构过渡区的微晶硅底栅TFT内,测试其应力衰退特性时,观察到某种"自恢复"的衰退现象.即当栅和源漏同时施加偏压应力时,测试其源漏电流随时间的变化,则发现电流先衰减、而后又开始恢复上升的反常现象.而当采用常规偏压应力模式检测时,电流随时间几乎呈指数式下降的正常衰退趋势.文章就此现象进行了初步探讨.
92.带栅极结构硅纳米线场发射阵列的研究
- 佘峻聪;姚日晖;陈军;邓少芝;许宁生
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文采用纳米掩模自组装和等离子体各向异性刻蚀相结合的技术,制备出了带栅极结构的单晶硅纳米线场发射阵列.场致电子发射测试结果表明,制备的硅纳米线场发射阵列具有较低的开启电压,其开启电压为25V.
93.硫系化合物随机存储器在军事及航空航天领域的应用前景
- 宋志棠;刘波;封松林
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文介绍了硫系化合物随机存储器的原理、研究现状、特点及其在军事与航空航天领域的应用前景.硫系化合物随机存储器具有抗辐射、耐高低温、抗电子干扰、抗震动、高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低和与半导体工艺兼容性好等优点,被认为最有可能取代目前的FLASH、DRAM和SRAM而成为未来半导体存储器主流产品,必将在消费性电子产品芯片市场和军事及航空航天领域大显身手.
94.具有应变沟道及EOT 1.2nm高性能栅长22nm CMOS器件
- 徐秋霞;钱鹤;段晓峰;韩郑生;刘明;刘海华;王大海;李海欧
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文深入研究了亚30纳米CMOS关键工艺技术,特别是提出了一种新的低成本的提高空穴迁移率的技术-Ge预非晶化S/D延伸区诱生沟道应变技术,它使栅长90纳米PMOS空穴有效迁移率在低场下提高32﹪.
95.金属诱导单一方向横向晶化和固体倍频激光退火技术在多晶硅薄膜晶体管中的应用
- 孟志国;吴春亚;熊绍珍;王文;郭海成
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文对金属诱导单一方向横向晶化(MIUC)与不同能量脉冲的三倍频固体激光退火技术结合,提高多晶硅薄膜晶体管性能,进行了深入的探讨和研究.该薄膜晶体管在优化的激光能量下退火,可以使得场效应迁移率增加近一倍.器件的多种性能和参数的均匀性与激光退火条件密切相关,并成规律性变化.
96.中视一号芯片的电源网络设计和分析
- 许伟;复旦大学;郑国祥;任俊彦
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文提出了一种在floorplan阶段的快速电源网络分析方法,用于"中视一号"芯片的设计.设计结果显示,该方法精度高且速度快,能快速验证电源网络设计,减少设计周期.
97.无线传感网络中低功耗处理器的设计和优化
- 赵刚;侯利刚;吴武臣
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文采用90纳米工艺设计实现了应用于无线传感网络中的低功耗处理器.为了减小功耗,文章采用了以下两种方法：门控时钟技术来降低动态功耗：采用多阈值电压单元库来减小漏电功耗.
98.应用于无线通讯领域的频率合成器结构的设计
- 赵坤;满家汉;叶青;叶甜春
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文在介绍无线通讯领域频率合成器的主要设计指标的基础上,针对不同的设计指标比较和分析了各种频率合成器的结构设计,详细地介绍了现在被广泛研究的小数型频率合成器和消除小数杂散的各种方法.
99.高速数字电路中同步开关输出噪声的解决方案
- 蒋见花;霍津哲;周玉梅;刘海南
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文分析了大规模集成电路物理设计中出现的同步开关输出(SSO)噪声原理,并给出了一种基于spice的快速建模、协同验证的仿真方法.运用这种方法,即使是IO数目众多的电路设计也可以快速的得到解决方案,确定最少的能满足要求的电源地IO的数目,并且满足防止噪声的要求.芯片投片后的测试结果验证了这一方法的有效性.
100.两通道QMF滤波器的最小均方误差设计
- 蔡啸飞;薛健
- 《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》 | 2005年
摘要：本文提出了一种基于最小均方误差QMF滤波器的设计方法.利用两通道QMF滤波器组的性质,该方法将非线性优化问题转换为最小均方误差问题.实验表明该方法能设计出性能良好的滤波器.