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孟志国; 吴春亚; 熊绍珍; 王文; 郭海成;
中国电子学会;
薄膜晶体管; 横向晶化; 金属诱导; 激光退火;
机译:结合准分子激光退火和金属诱导的横向结晶制造的多晶硅薄膜晶体管
机译:金属诱导的横向晶化制造低温多晶硅薄膜晶体管
机译:金属诱导的横向结晶的多晶硅薄膜晶体管中结合了平面化栅极和重叠/偏移结构的漏电流抑制
机译:准分子激光退火的多晶硅薄膜晶体管的晶化能量密度的优化
机译:通过晶粒增强技术形成的多晶硅薄膜晶体管的建模:金属诱导的横向结晶。
机译:纳米粒子和铜电极中诱导金属增强非晶In-Ga-Zn-O薄膜晶体管的迁移率
机译:基于倍频cw-Nd:YVO4激光晶化硅的多晶硅薄膜晶体管
机译:硅薄膜准分子激光晶化:用于薄膜晶体管应用的晶界限位和单晶岛材料的人工控制超横向生长
机译:使用两种具有不同晶化速度的金属通过金属诱导的横向晶化来形成非晶半导体薄膜的晶化方法,以及使用相同的方法制造薄膜晶体管的方法
机译:利用金属腐蚀终止工艺制造金属诱导的横向晶化MILC薄膜晶体管的方法
机译:利用金属诱导的横向结晶化制造多晶硅薄膜晶体管的方法
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