机译:金属诱导的横向结晶的多晶硅薄膜晶体管中结合了平面化栅极和重叠/偏移结构的漏电流抑制
Seoul Natl Univ, RIAM, Seoul 08826, South Korea;
Metal-induced lateral crystallization; Thin-film transistor; Planarized gate; Overlap/off-set structure;
机译:采用非对称沟道双栅结构的金属诱导的横向结晶硅薄膜晶体管的扭结电流抑制改善
机译:不对称沉积镍对金属诱导的横向结晶多晶硅薄膜晶体管漏电流的抑制
机译:电应力对金属诱导横向结晶制备的多晶硅薄膜晶体管漏电流的影响
机译:利用改进的工艺流程和栅调制轻掺杂漏极结构抑制低温金属诱导的单晶硅多晶硅薄膜晶体管的漏电流
机译:通过晶粒增强技术形成的多晶硅薄膜晶体管的建模:金属诱导的横向结晶。
机译:光激励对insnzno厚度变化薄膜晶体管漏电流和负偏置不稳定性的影响
机译:金属诱导的横向结晶n型多晶硅薄膜晶体管的应力功率依赖性自热退化