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达林顿结构的低噪声SIGE MMIC

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本文介绍了一种利用SIGE技术的低噪声SIGE微波放大电路.这一电路以达林顿结构的形式级联,包括两个HBT和四个电阻.HBT采用准自对准结构,其SIGE基区为非选择性外延.频率为1GHZ下电路噪声为1.59dB,功率增益为14.3dB,输入驻波比为1.6,输出驻波比为2.0.

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来源
《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》|2005年|531-534|共4页
会议地点北京
作者
鲁亚诗; 张伟; 李高庆;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类设计、分析、计算;
关键词
微波放大器; 达林顿结构; 电路设计;
入库时间 2022-08-17 10:49:41

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