一种简化的高压VDMOS静态物理模型

摘要

本文对于VDMOS漂移区中由泊松方程得到的解析解,通过进行一些近似处理,将其由一个关于电场的隐含表达式转化为近似的电场的显式表达式,这样就在较大程度上简化了模型的计算过程,从而得到了一种简化的VDMOS静态物理模型.器件模拟软件MEDICI的模拟结果验证了本文简化模型的计算精度,可以看到,虽然简化模型是经过近似处理得到的,但是其计算精度依然是较高的.