设计与计算属于《中国图书分类法》中的五级类目,该分类相关的期刊文献有418篇,会议文献有42篇,学位文献有360篇等,设计与计算的主要作者有吴金、魏同立、杨廉峰,设计与计算的主要机构有东南大学微电子中心、中北大学电子测试技术国家重点实验室、电子科技大学微电子与固体电子学院等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
摘要: 当前流行的数据加密技术中,数据加密标准(data encryption standard,DES)算法自诞生以来就受到了广泛的关注.为了克服DES技术密钥空间...
2.[期刊]
摘要: 为了解决在复杂环境下机器人工作过程中的避障及运动轨迹优化问题,提出一种基于混合搜索策略改进的人工蜂群算法机器人轨迹规划方法。传统的蜂群算法在进行邻域搜索时,都...
3.[期刊]
摘要: 文中建立一种基于有机半导体TFT器件的模型,并将其应用于基于有机TFT的AMOLED显示背板驱动电路设计,以实现阈值电压补偿功能。首先制备低压有机TFT器件,...
4.[期刊]
摘要: 在现有矩形栅极U形沟道场效应晶体管与深肖特基势垒场效应晶体管的基础上,提出一种高集成双矩形栅极U形沟道双向隧穿场晶体管。新设计利用更高的肖特基势垒来最小化热电...
5.[期刊]
摘要: 为应对星用电子装备对器件可靠性不断提高的需求、进一步提高高压NPN型功率晶体管的抗辐照能力,对高耐压大功率晶体管3DD155K进行了抗辐照加固设计。设计基于辐...
6.[期刊]
摘要: 针对电热平行梁微夹持器存在的末端夹指高温问题,首先,对电热微夹持器的传热机理进行分析,结合实验得到微尺度下的拟合传热参数;其次,对传统的电热微夹持器末端夹指设...
7.[期刊]
摘要: 文中基于物联网技术提出了一款病患生理信息智能采集系统的设计方案,该系统主要包括穿戴设备、传输节点和后台处理系统三大模块,分别具有采集病患的生理信息、组网传输信...
8.[期刊]
基于三步脉冲生长方法制备的高质量非极性a面AlN模板特性的研究
摘要: 采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术及三步脉冲生长方法,在半极性r面(22ˉ04)蓝宝石衬底上成功制备了非极性a面(112ˉ0)氮化铝(AlN)模板,...
9.[期刊]
摘要: 当前常用探空仪湿度测量系统绝大部分都带有防雨帽,湿度测量也明显存在太阳辐射偏干误差(SRDB).为研究和改善防雨帽对湿度测量造成的影响,采用流体动力学方法研究...
10.[期刊]
摘要: 针对低轨卫星网络链路断续连通的问题提出一种接入认证、通信恢复和卫星切换方案。该方案基于对称密码体制设计,采用单向散列算法、异或操作和时间戳保护机制,在实现安全...
11.[期刊]
摘要: 针对低轨卫星网络链路断续连通的问题提出一种接入认证、通信恢复和卫星切换方案.该方案基于对称密码体制设计,采用单向散列算法、异或操作和时间戳保护机制,在实现安全...
12.[期刊]
具有不同Al组分的非极性a面p型AlGaN外延层的生长及特性研究
摘要: 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在半极性r面蓝宝石衬底上成功生长了具有不同Al组分的非极性a面Mg-δ掺杂的p-AlGaN外延层。通过使用高分辨...
13.[期刊]
摘要: 利用数值模拟方法,研究InGaN/GaN耦合量子阱结构光电性质相对传统量子阱结构光电性质改善的物理机制.模拟结果显示,与InGaN/GaN传统量子阱相比,耦合...
14.[期刊]
具有不同Al组分的非极性a面p型AlGaN外延层的生长及特性研究
摘要: 利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术,在半极性r面蓝宝石衬底上成功生长了具有不同Al组分的非极性a面Mg-δ掺杂的p-AlGaN外延层.通过使用高分辨...
15.[期刊]
摘要: 利用Silvaco TCAD软件中的Atlas模块建立了Mg2Si/Si异质结光电探测器的模型,在此基础上计算了不同Mg2Si浓度对Mg2Si/Si异质结光电...
16.[期刊]
Mg_(2)Si浓度对Mg_(2)Si/Si异质结光电探测器性能的影响
摘要: 利用Silvaco TCAD软件中的Atlas模块建立了Mg_(2)Si/Si异质结光电探测器的模型,在此基础上计算了不同Mg_(2)Si浓度对Mg_(2)S...
17.[期刊]
摘要: 室外高空的LED屏,在仰视观看过程中,因为有透视的现象,垂直方向视觉像素间距会变小.本文尝试设计一种垂直像素间距大于水平像素间距的LED屏,以达到减少LED灯...
18.[期刊]
摘要: 针对半导体芯片在激光打印时可能出现字符倾斜、字符位置错误等缺陷,提出一种基于改进凸包检测的半导体芯片图像字符区域定位方法.首先,利用三轴图像采集平台采集多幅半...
19.[期刊]
摘要: 基于解决弹载产品嵌入式产品软件更新无法脱离传统JTAG口并提升软件在线更新可靠性等目的,本文提供了一种以TMS320C6713为核心的嵌入式系统软件在线更新设...
20.[期刊]
摘要: 为使云资源数据最大化匹配平台主机的存储条件,保障云服务的质量水平,提出基于混合模型的云平台资源弹性伸缩方法。根据聚类混合系数指标,建立完整的初始定位条件,通过...
1.[会议]
摘要: 2010年为LED扩展的“大霹雳”年,以三星领衔的多家LCD品牌预计将推出以LED取代CCFL为背光的大型电视。尤有进者,世界各国多布局以LED取代白炽灯及荧...
2.[会议]
摘要: 本文使用国产SiC衬底的GaN HEMT外延材料实现了大功率、高效率的GaN HEMT和GaN MMIC。研制的小栅宽器件在频率为8GHz时效率达到60%,利...
3.[会议]
一种新型结构AlGaN/AlN/GaN/InGaN/GaN HEMT优化设计
摘要: 本文对一种新型结构AlxGa1-xN/AlN/GaN/InyGa1-yN/GaNHEMT进行了优化设计。分析了器件中2DEG电子浓度和电子迁移率以及栅漏电流随...
4.[会议]
摘要: 本文介绍了高温离子注入靶室的设计。通过设计辅助加热装置使离子注入时晶片表面温度达到500℃以上,并通过靶盘旋转和往返平移扫描的方式实现了晶片片内和片间的温度均...
5.[会议]
摘要: 削剪是一种用删除元件来解决问题或改善系统的方法.99%的工程师习惯上使用"+"或"换"的方法解决问题,借由将元件添加到现有的系统或替换元件的方式解决问题.削剪...
6.[会议]
摘要: 回顾了中国国内专家自1970年以来的功率半导体器件专著,摘要说明了这些专著的内容、历史意义、对行业发展的巨大推动作用。作者介绍了普及型的基本生产工艺指导书,阐...
7.[会议]
摘要: 信息战已迅速成为现代战争的主角,谁拥有先进智能的信息系统,谁将取得争取战场主动权和赢得作战制高点,而性能先进和稳定可靠的信息装备,将成为推动其发展的原动力。我...
8.[会议]
摘要: 本文基于4H-SiC射频功率MESFET器件的工作机理,提出了一种新型的大信号经验电容模型。针对此模型参数的提取采用最小二乘法和遗传算法,算法用MATLAB语...
9.[会议]
摘要: 本文针对IGBT模块的外部热管理提出了一种考虑实时结温反馈的散热器优化设计的数值算法,并将该方法应用于功率循环老化系统,优化了功率循环效率.通过建立老化系统热...
10.[会议]
摘要: 介绍了一种新颖的非埋层隔离式高压N型沟道LDMOS器件,采用独特的双N型深阱结构工艺替代传统结构工艺中的单N型深阱,在提高器件耐压的同时优化了比导通电阻,从而...
11.[会议]
摘要: ESD保护电路中经常使用栅耦合技术来解决多指条MOS器件ESD应力下非均匀导通的问题,但耦合到栅端的电压有时会过高,出现栅过耦合效应,这降低了器件的抗ESD能...
12.[会议]
摘要: 高场强不对称波形迁移谱(FAIMS)仅中迁移管电极之间存在较强的电场干扰,限制了迁移管检测精度的进一步提高。为了解决这一问题,本文提出了一种基于电场屏蔽原理减...
13.[会议]
摘要: 本文提出了一种可用于压阻式硅微加速度传感器的结构设计,用两根平行的悬臂梁取代常规的单悬臂梁结构,这种双层悬臂梁结构有助于提高悬臂梁中的纵向压敏电阻的灵敏度。由...
14.[会议]
摘要: 本文介绍了有机发光场效应管(OLEFET)的最新研究进展,单极性、双极性以及基于碳纳米管型OLEFET的结构、工作原理和特点,并对OLEFET研究中存在问题和...
15.[会议]
摘要: 给本文运用MATLAB计算软件对半导体大功率器件RSD(Reversely Switched-on Dynistors)在反向预充过程中N 基区的等离子体分布...
16.[会议]
摘要: 分析了电子在能量转换区的运动,列出了电子的运动方程,对电子运动方程进行了数值计算。通过对能量转换区的数值模拟,计算了电子注半径、初始能量比、等不同的参数对能量...
17.[会议]
摘要: 本文对毛细管电泳芯片的压力进样过程进行了理论分析,并用商用软件对这一过程进行数值实验.根据管道内的电渗流行为特性及其流场结构,通过调整管道不同位置上的Zeta...
18.[会议]
摘要: 本文针对带隙基准电路中基极一发射级与温度的非线性特点,利用Bipolar管的电流增益β和温度的特性,对带隙基准电路进行指数补偿,以消除高阶温度项,改善输出基准...
19.[会议]
摘要: 本文以体硅为衬底,采用微机械加工技术(MEMS)制作了七通道的可植入到脑皮层的微探针,用于记录神经电信号.从生物相容性、减小植入损伤、工艺制作难度等方面考虑,...
20.[会议]
摘要: 宏模型的获取是由Krylov子空间投影法结合器件级有限元分析的宏建模方法来实现,本文利用此模型和基于可重用IP设计思想的系统级组件建模方法建立由VHDL-AM...
1.[学位]
摘要: 随着科学技术的飞速发展,电气领域对于电力电子器件的性能要求也越来越高,IGBT作为重要的电力电子器件,其各方面性能也在不断提升。人们不断地对IGBT的结构进行...
2.[学位]
摘要: 2003年以来,有机电致发光显示(OLEDs)发展方兴未艾,由于其具备响应速度快、对比度高、能耗低、可柔性显示的特点,已经有成为新一代显示技术的趋势,但红、绿...
3.[学位]
摘要: 近年来,有机电致发光器件尤其是顶发射有机发光二极管,在照明和平板显示应用中得到研究人员的广泛关注,显现出研究、开发与产业化齐头并进的局面。但顶发射有机发光二极...
4.[学位]
摘要: 受制于硅材料的特性和器件的封装技术,硅功率器件的动静态性能进一步优化的空间有限,难以满足未来开关电源高效率和高功率密度的需求。因此需要高频性能表现更加优异的新...
5.[学位]
摘要: 2500V/2A的快恢复二极管具有导通电压低、开关时间短、体积小(直径仅为3mm)等优点,在航天航空及军事领域有着广泛且重要的应用。本文通过分析影响二极管的静...
6.[学位]
摘要: 集成门极换流晶闸管(IGCT)作为一个新型的电力半导体器件,广泛的应用于大功率领域。阻断电压及其稳定性是衡量器件阻断能力和可靠性的一个非常重要的标志,为了提高...
7.[学位]
摘要: 虽然Si晶闸管已成功应用多年,但是它的耐压和dv/dt、di/dt耐量已逐渐逼近Si材料的物理极限,仅依靠Si晶闸管的结构设计和制造工艺的优化来进一步提高单个...
8.[学位]
摘要: 作为第三代半导体材料的代表,碳化硅(SiC)以其优良的材料特性成为制备高压、高温、大功率、抗辐射电力电子功率器件的理想材料。相对于传统的Si基功率器件,4H-...
9.[学位]
摘要: 半导体技术的发展使得器件的特征尺寸越来越小,集成电路的集成度和工作频率不断提高,对外界环境越来越敏感性,提高电子系统的抗干扰能力变得尤为重要,其中电磁脉冲(E...
10.[学位]
摘要: 太赫兹技术是一种新兴科学技术,因其在医学、检测、通信、雷达等领域的应用而受到广泛关注。在众多太赫兹源中,共振隧穿二极管因其高频高速的特性成为太赫兹领域的研究热...
11.[学位]
摘要: 随着电磁辐射应用越来越广泛,太赫兹技术在近年来受到许多研究人员的关注。目前,太赫兹技术研究的重点在于提高辐射源和探测器的性能。肖特基二极管具有速度快、良好的非...
12.[学位]
摘要: 绝缘栅双极晶体管所需驱动功率小,具有小的导电电阻和小的驱动电流等优点,已被广泛应用于电动车,铁路机车和新一代飞机等方面,尽管IGBT模块在大功率应用中非常广泛...
13.[学位]
摘要: Si基功率半导体器件经过数十年的发展,已经接近其性能极限。为了满足电力电子技术的快速发展需要,以GaN为代表的第三代宽禁带半导体成为了研究的热点。以AlGaN...
14.[学位]
摘要: 随着MOSFET的尺寸逐渐减小,MOSFET器件的短沟道效应和量子效应问题变得日趋严重。当室温下,MOSFET的亚阈值摆幅Subthreshold swing...
15.[学位]
摘要: 随着能源危机的愈发严峻,世界各国纷纷采取各种措施来积极应对。照明用电作为能源消耗中的一个重要组成部分,依然还有巨大的节能空间。半导体发光二极管(Light E...