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集成化SiGe异质结双极晶体管工艺研究

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本文采用双层多晶硅自对准器件结构,利用多晶硅发射极技术与UHV/CVD图形外延SiGe基区技术,研究开发了适用于集成化的平面结构SiGe异质结双极晶体管(HBT)器件工艺,取得了初步的实验结果.

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来源
《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》|2005年|527-530|共4页
会议地点北京
作者
王飞; 徐阳; 许军;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类掺杂;
关键词
双极晶体管; 介质隔离; 工艺设计;
入库时间 2022-08-17 10:49:41

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