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刘培培; 文剑豪; 魏进希; 王冠宇; 周春宇;
1. 重庆邮电大学光电工程学院 2. 燕山大学理学院河北省微结构材料物理重点实验室;
单轴应变; SOI SiGe HBT; 埋氧化层厚度; 频率特性;
机译:PECVD利用膜点载荷挠度表征富硅氮化物和低应力氮化物膜的机械特性
机译:TiN金属栅对膜应力的调制对应力工程的影响及其对金属栅/ High-k介电SOI FinFET器件特性的影响
机译:外部膨胀应力对基于聚合物涂膜散装声谐振器(FBAR)的挥发性有机化合物(VOC)传感器频率特性的影响
机译:90nm SOI ULSI技术中双应力氮化物衬里膜的紧凑模型方法
机译:III-V族氮化物膜的光学性质和残余应力。
机译:通过外部单轴应力提高迁移率的SOI上的应变锗量子阱PMOSFET
机译:开启应力敏感性改进后右转氮化物膜窒息效应的多晶硅场效应晶体管压力传感器
机译:可热调谐双稳态屈曲硅绝缘体(sOI)微制造膜的新应用。
机译:氮化物膜的SOI处理方法及使用该方法的SOI晶片的制造方法
机译:使用具有选择性SOI器件架构的双垫氮化物进行应力工程
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