掺杂属于《中国图书分类法》中的六级类目,该分类相关的期刊文献有827篇,会议文献有252篇,学位文献有236篇等,掺杂的主要作者有张通和、裴立宅、吴瑜光,掺杂的主要机构有北京师范大学低能核物理研究所、中国科学院半导体研究所、中国电子科技集团公司第四十八研究所等。
统计的文献类型来源于 期刊论文、 学位论文、 会议论文
1.[期刊]
摘要: 对分子束外延(MBE)生长的原位As掺杂HgCdTe外延材料的热退火造成的As扩散控制进行研究。在较低的退火温度下获得了As扩散长度可控的HgCdTe材料,易...
2.[期刊]
摘要: 介绍了离子注入机用的最大电压为100 kV、引出电流为24 mA的吸极电源设计。由于吸极电源的电压非常高,电源的尺寸应尽量小;而且吸极电源的高压输出线要采用插...
3.[期刊]
摘要: 基于硅(Si)中高能注入磷(P)的连续激光退火方法展开研究。采用的P离子最高注入能量为10 MeV,在Si中的注入深度可达7μm。分别采用532 nm和808...
4.[期刊]
摘要: 210 mm大尺寸硅片已成为光伏行业的发展主流,但相比158 mm、166 mm的硅片,对采用210 mm大尺寸硅片的晶体硅太阳电池扩散工艺的研究尚处于探索阶...
5.[期刊]
摘要: 以BCl_(3)为掺杂源的低压硼扩散炉是N型TOPCon太阳能电池重要制造设备之一,其工艺过程具有气体输送控制难、工艺气体腐蚀性强、反应洁净度要求高、尾气高温...
6.[期刊]
摘要: 对不同钝化层结构的分子束外延(MBE)生长的HgCdTe外延材料的Hg空位浓度控制进行研究。获得了更高Hg空位浓度调控范围的外延材料,为后续新型焦平面器件的研...
7.[期刊]
摘要: 目前,激光退火技术被广泛应用于半导体加工领域,但对如何选择激光条件进行相应的退火并没有系统清晰的准则可以参考,尤其是在硅的深注入杂质激活方面。本文通过对激光照...
8.[期刊]
Eu^(2+)在Na_(2)Mg_(5)Si_(12)O_(30)结构中的占位及发光性能
摘要: 基于Na_(2)Mg_(5)Si_(12)O_(30)结构体系制备了一种新型的发光材料,即Eu^(2+)掺杂的Na_(2)Mg_(5(1-x))Eu_(5x)...
9.[期刊]
摘要: 本文对中波HgCdTe APD进行二维数值模拟,通过与实验结果的对比获得80K下PIN结构的APD器件参数.对不同工作温度下的APD器件暗电流机制进行了研究,...
10.[期刊]
摘要: 研究了桶式N型外延中发现的波浪形貌纵向电阻率分布现象,分析和验证了可能的影响因素(温度、生长速率、转速、挂件、掺杂浓度),得到如下结论,波浪形貌的纵向电阻率分...
11.[期刊]
摘要: 运动控制系统在离子注入机系统中起到晶元机械传输、高精度位置控制、高精度的速度控制的作用.同时,位置测量、基于位置的数据采集和工艺流程的实施,均离不开运动控制技...
12.[期刊]
摘要: 剂量控制技术是大束流离子注入机关键核心技术,剂量控制的精度将直接影响晶元的离子掺杂水平进而影响半导体器件的制造.大束流剂量控制系统由硬件和算法两部分构成,其中...
13.[期刊]
摘要: 对高温热退火前后分子束外延(MBE)生长的多层P-on-N结构HgCdTe外延材料的界面变化进行研究.研究发现,高温热退火将引起HgCdTe外延材料界面层的改...
14.[期刊]
摘要: 采用系统辨识方法获得离子注入机分析器精确模型,然后将系统模型作为分析器控制器的前馈控制,提前预测控制输出,提高控制器的响应速度,并在此基础上增加反馈控制通道,...
15.[期刊]
摘要: 针对离子注入机的晶圆传输过程,提出了一种提高晶圆传输效率的方法,在晶圆自动传输的基础上,对机械手传输动作、电机动作进行优化,节约不必要的时间消耗,提高了晶圆机...
16.[期刊]
摘要: 介绍了离子注入机的结构原理、常用注入机的类型及其应用,以及夹持并冷却晶圆的关键部件——静电吸盘.构建了离子注入时晶圆的热仿真模型,对晶圆表面的温度分布进行了数...
17.[期刊]
摘要: 针对高效晶硅太阳电池对表面扩散掺杂技术的要求,阐述了干法硼扩散掺杂原理及弊端;通过引入湿法再分布扩散方式,分析了气体流量、水汽流量和工艺匹配性等因素对硅片表面...
18.[期刊]
摘要: 用MgO掺杂SnO2材料(SnO2/MgO)研制了旁热式甲醛传感器,采用紫外光激发的方式使传感器能在室温下工作.利用X射线衍射仪、热场发射扫描电镜、比表面积与...
19.[期刊]
摘要: 采用一种简便、低成本的无电沉积技术,制备了不同掺杂情况的掺镍碳纳米管,并探究了不同掺镍样品的电接触特性。首先,对原样碳纳米管进行混酸氧化、敏化和活化处理;然后...
20.[期刊]
摘要: ZnO气敏传感器因其具有灵敏度高、响应快等优点受到人们的重视。掺杂是一种重要的改性方法,可改善材料的气敏性能。本文综述了主族及过渡金属掺杂、金属氧化物掺杂、稀...
1.[会议]
摘要: 本文初步研究了V族离子(P,As,Sb)注入ZnO单晶的性质。为了得到均匀的掺杂层,我们首先使用SRIM软件进行了模拟计算,确定了注入的能量和剂量,以便实现方...
2.[会议]
摘要: 我们采用离子注入的方法对ZnO体单晶进行掺杂。本文初步研究了V族离子(P,As,Sb)注入ZnO的性质。为了得到均匀的掺杂层。我们使用SRIM软件进行模拟,对...
3.[会议]
摘要: 本文介绍了高温离子注入靶室的设计。通过设计辅助加热装置使离子注入时晶片表面温度达到500℃以上,并通过靶盘旋转和往返平移扫描的方式实现了晶片片内和片间的温度均...
4.[会议]
摘要: 由于AC PDP介质保护膜与放电气体直接接触,因而对PDP的工作特性如T作寿命、发光效率、发光亮度、着火电压及放电时间延迟等有重要影响,其性能的提升对提高AC...
5.[会议]
摘要: 随着固体照明的发展,不同场合对白光色温差异性的需求日益增多。采用固相反应法在NH3中制备了N掺杂Ba2SiO4:Eu荧光粉,通过改变氮化时间实现了发光波长在5...
6.[会议]
摘要: 为了降低BaO-B2O3-SiO2玻璃中钡离子在水中的析出,通过硫酸处理法对玻璃粉体进行了表面修饰,在玻璃粉体的表面形成一层不溶于水的BaSO4,从而阻断了钡...
7.[会议]
摘要: 为解决伴随硅基半导体器件小型化和微型化而出现的由难掺杂和掺杂不均引起的器件性能不稳等难题提供理论和实验依据,不断提高芯片上MOSFET的密度和其处理能力,进而...
8.[会议]
Zn+、Pt+离子注入对p-GaN表面Ni/Au电极欧姆接触特性的改善研究
摘要: 采用离子注入工艺,对p-GaN与Ni/Au(5/10nm)电极的接触界面进行Zn+、Pt+离子注入,注入后的样品在空气中进行5分钟的快速热退火(RTA)处理,...
9.[会议]
摘要: 本文针对H+注入到硅中形成的缺陷浓度分布,采用STRIM软件进行了仿真.分析了注入损伤和不同退火条件下H+浓度分布对施主掺杂的影响,建立了H+注入掺杂分布的解...
10.[会议]
摘要: 运用分子动力学的研究方法,通过对Si1-xGex衬底建立模型,开发出了针对于Ge和Si1-xGex衬底进行低能离子注入模拟的软件。在不同注入能量条件下,把模拟...
11.[会议]
摘要: 室温下使用160 keV,5×1016cm-2 He离子和110 keV,1×1016cm-2 H离子对单晶Si样品进行单离子和双离子注入。采用多种观测技术研...
12.[会议]
摘要: 石英玻璃在室温下注入能量为56 keV、注量为1×1017 cm-2的Ge+ 离子并退火到 900℃。采用X射线光电子能谱(XPS),透射电子显微镜(TEM)...
13.[会议]
摘要: 用200Kv Mn离子注入p型Si(001)单晶,在1×1015~5×1016 Mn+/cm2注入剂量范围内 都观测到磁滞回线,表明样品有铁磁性存在。随着注入...
14.[会议]
摘要: 用等离子体浸没离子注入(PIII)的方法对氧化铟锡(ITO)进行了表面处理。在稳定100W射频功率输入情况下,氧等离子体环境中,研究了不同电学参数的处理效果。...
15.[会议]
摘要: 石英玻璃在室温下注入能量为56 keV、注量为1×1017cm-2的Ge+离子并退火到900℃。采用X射线光电子能谱(XPS),透射电子显微镜(TEM),吸收...
16.[会议]
摘要: 用200KvMn离子注入p型Si(001)单晶,在1×1015~5×1016Mn+/cm2注入剂量范围内都观测到磁滞回线,表明样品有铁磁性存在。随着注入剂量的...
17.[会议]
摘要: 离子注入技术最初应用于半导体掺杂,由于其方法简单可控、节能环保、注入元素不限、对基材要求低,并且不改变基材的形貌,所以,离子注入技术已经成为材料表面工程的重要...
18.[会议]
摘要: 薄膜材料一直是材料研究中的热点。与体材料不同,薄膜材料的检测需要应用到表面分析技术。X射线光电子能谱(XPS)在分析薄膜化学组分及其分布中有着重要的、不可替代...
19.[会议]
摘要: 本文用冷等离子体法制备出含有硼(B)或磷(P)原子的掺杂纳米硅颗粒,将其按照一定的比例均匀分散在特定的溶剂中,便得到了硅浆料.用丝网印刷的方式将该浆料均匀涂覆...
20.[会议]
摘要: 采用了蒸镀氧化硼的方法,确保了激光掺杂时硼源的均匀性,之后进行激光掺杂.在激光功率不变的情况下,氧化硼薄膜的厚度决定了掺杂后硅片的平均方阻.掺杂后p-n结的结...
1.[学位]
摘要: 因其诸多优越的性质,胶体量子点(QDs)技术在过去30年里迅猛发展,逐渐应用于生产、科研中的各个领域。而Ⅱ-Ⅵ族半导体量子点材料具有优越的量子产率、色纯度与光...
2.[学位]
摘要: 界面电荷及陷阱电荷影响有机电致磷光器件(PhOLEDs)载流子的注入,从而影响器件性能,而其对掺杂体系的发光衰减动态过程的影响鲜有研究。本文从有机电致磷光的器...
3.[学位]
摘要: 扩散源是半导体器件生产制造的掺杂工艺中一种必不可少的微电子化学品。根据不同的掺杂工艺所使用的掺杂源有所不同,掺杂工艺主要分为两种:扩散和离子注入。由于扩散工艺...
4.[学位]
摘要: 铌酸锂(LiNbO3,LN)作为一种人工合成晶片,具备优良的压电、光电以及铁电特性。在器件向集成化、微型化发展的趋势下,对高质量LN薄膜在Si衬底上的制备有着...
5.[学位]
摘要: 集成电路制造工艺自20世纪60年代发展至今,随着超大规模集成电路整体水平的提高,掺杂工艺技术也在不断的进步,随着IC器件尺寸的缩小,对掺杂工艺精度也提出来更高...
6.[学位]
摘要: GaN作为第三代宽禁带半导体材料的代表,以其禁带宽度大、电子饱和速率高、耐高温、抗辐照等特点成为研究的热点,尤其是在高温、大功率、微波领域有着很大的应用前景。...
7.[学位]
摘要: 掺杂是在有机发光二极管(OLED)中被广泛应用的一种技术。将发光材料掺杂在适当的发光层主体材料中,可使电致发光的量子效率得到大幅提升;而将p型或n型掺杂剂分别...
8.[学位]
摘要: 本研究的动机在于对Si(IOO)表面实现基于Valence-Mending概念的S钝化并对SiC表面S钝化效果进行初步研究。实验中采用(NH4)2S与NH3....
9.[学位]
摘要: 随着激光显示技术的快速发展,对高性能红光激光光源的需求愈发迫切。采用张应变的GaIn P量子阱可以获得更短波长的红光,但其受到的光学灾变损伤效应更为严重,因而...
10.[学位]
摘要: 本课题的主要研究目的在于用S纯化来降低Si表面的表面态,并且希望解决SiC和Si界面态问题,提升Si/SiC异质结的光电特性。实验分别采用(NH4)2S与NH...
11.[学位]
施主掺杂和Na0.5Bi0.5TiO3对钛酸钡系PTCR居里温度的影响
摘要: 本文主要研究了PTCR元件制造过程中Nb、La、Y三种施主掺杂和Na0.5Bi0.5TiO3(NBT)对元件居里温度的影响。Nb2O5掺杂摩尔比为0.118%...
12.[学位]
摘要: 目前,SiC双极器件在超高压(UHV)功率器件领域的应用还存在一个热点问题,即SiC材料的载流子寿命问题。4H-SiC材料由于具有大的禁带宽度,高的击穿电场以...
13.[学位]
摘要: 航空航天、石油钻探、火力发电和核能等行业都需要在高温环境下工作的电子器件,而当前基于硅半导体的电子元件最高工作温度只有200oC。由于SiC宽禁带(3.26e...
14.[学位]
摘要: 离子注入掺杂是一种改善金刚石膜导电性能的有效手段,经过掺杂后的金刚石膜有望提高场发射显示器冷阴极材料的综合性能。因此,本文采用离子注入的方法在抛光后的自支撑金...
15.[学位]
摘要: 有机薄膜晶体管(OTFT)具有材料来源广泛、可用于柔性衬底和大规模生产以及生产工艺简单等优点,在有机逻辑功能电路、OLED显示技术等领域有很大的发展潜力。在影...
16.[学位]
重离子辐照InxGa1-xN(0.32≤x≤1.0)薄膜的Raman光谱研究
摘要: InxGa1-xN是一种重要的III族氮化物半导体材料,其带隙宽度随着In含量x的变化,可以在0.77eV(x=1)到3.42eV(x=0)之间连续可调,覆盖...
17.[学位]
摘要: 具有高载流子迁移率、高可见光透过率以及高化学稳定性的空穴注入材料主要应用在有机电致发光器件和有机太阳能电池等有机光电子器件中,对降低空穴注入势垒、降低阳极表面...