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OLEDoS驱动电路中高压CMOS器件研究

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本文对工作电压在10V-18V范围内用于硅基OLED驱动电路的高压CMOS器件进行了模拟.在SynopsysTCAD软件环境下,模拟了栅长为0.8μm的NMOS和PMOS器件,通过不断调整LDD区域的长度及杂质浓度,使器件的击穿电压达30V.同时,确定了关键的工艺参数,并计算了器件的主要特性,为OLEDoS驱动电路的实现打下了基础.

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来源
《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》|2005年|448-452|共5页
会议地点北京
作者
王晓慧; 杜寰; 韩郑生;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类显示技术;BICMOS（双极-MOS混合）集成电路;
关键词
微显示技术; 集成电路; 驱动电路;
入库时间 2022-08-17 10:49:39

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