CMOS器件用金属栅材料的研究进展

摘要

传统多晶硅栅已不能适应CMOS器件尺寸进一步减小的要求,因此需要金属栅极材料来取代多晶硅。本文综述了多晶硅栅极存在的问题;金属栅极材料性能的要求;新型金属栅材料的研究进展及热点。最后提出了金属栅极材料研究中需要进一步解决的问题。