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【2h】

Metal Gate Electrode and High-Dielectrics for Sub-32nm Bulk CMOS Technology: Integrating Lanthanum Oxide Capping Layer for Low Threshold-Voltage Devices Application

机译：金属栅电极和用于子32nm散装CMOS技术的高电胶：用于低阈值电压器件应用的氧化镧覆盖层的应用

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HongYu Yu;
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年度 2010
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