SiGe MOS器件SiO_2栅介质低温制备技术研究

摘要

为了获得电学性能良好的 Si Ge PMOS Si O2 栅介质薄膜 ,采用等离子体增强化学汽相淀积 (PECVD)工艺 ,对低温 30 0°C下薄膜制备技术进行了研究。实验表明 ,采用适当高温、短时间对PECVD薄膜退火有助于降低薄膜中正电荷密度和界面态密度。该技术用于 Si Ge PMOS研制 ,在30 0 K常温和 77K低温下 ,其跨导分别达到 45m S/mm和 92 .5m S/mm(W/L=2 0 μm/2 μm)