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Materials Science Forum

中文名称：材料科学论坛

ISSN：1662-9752
出版周期：

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1.Micro-Raman Scattering Study of Strain Fields in Homo-Epitaxial Layer on Nitrogen-Doped 4H-SiC Substrate

机译：掺氮4H-SiC衬底上同质外延层中应变场的显微拉曼散射研究
- 作者：Daisuke Fukunaga;Noboru Ohtani;Masakazu Katsuno;Shinya Sato;Hiroshi Tsuge;Tatsuo Fujimoto
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- 4H-SiC;
- homoepitaxial films;
- Raman microscopy;
- strain fields;
2.Improved Interface Trap Density Close to the Conduction Band Edge of a-Face 4H-SiC MOSFETs Revealed Using the Charge Pumping Technique

机译：使用电荷泵技术揭示了接近a面4H-SiC MOSFET导带边缘的改进的界面陷阱密度
- 作者：Gerald Rescher;Gregor Pobegen;Thomas Aichinger;Tibor Grasser
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- 4H-SiC;
- MOSFET;
- a-face;
- Si-face;
- interface trap density;
- charge pumping;
3.Anomalous Fowler-Nordheim Tunneling through SiO_2/4H-SiC Barrier Investigated by Temperature and Time Dependent Gate Current Measurements

机译：温度和时间相关的栅极电流测量研究了通过SiO_2 / 4H-SiC阻挡层的异常Fowler-Nordheim隧穿
- 作者：P. Fiorenza;A. La Magna;M. Vivona;F. Giannazzo;F. Roccaforte
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- 4H-SiC;
- SiO_2;
- MOSFET;
- gate current;
- Near Interface Traps;
4.Reduction of Dislocation Density in Bulk Silicon Carbide Crystals Grown by PVT on Profiled Seeds

机译：PVT在异形种子上生长的块状碳化硅晶体中位错密度的降低
- 作者：Eugene N. Mokhov;Sergey S. Nagalyuk;Victor A. Soltamov
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Silicon Carbide (SiC);
- bulk crystal;
- dislocation density;
- micropipe;
- free lateral overgrowth;
5.The Effect of Interfacial Charge on the Development of Wafer Bonded Silicon-on-Silicon-Carbide Power Devices

机译：界面电荷对晶圆键合碳化硅-碳化硅功率器件发展的影响
- 作者：P.M. Gammon;F. Li;C.W. Chan;A. Sanchez;S. Hindmarsh;F. Gity;T. Trajkovic;V. Kilchytska;V. Pathirana;G. Camuso;K. Ben Ali;D. Flandre;P.A. Mawby;J.W. Gardner
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Silicon Carbide;
- Silicon;
- Wafer Bonding;
- Lateral MOSFET;
- Harsh Environment;
6.Fabrication of Thick Free-Standing Lightly-Doped n-Type 4H-SiC Wafers

机译：厚自立式轻掺杂n型4H-SiC晶片的制备
- 作者：Rajendra Dahal;Sauvik Chowdhury;Collin Hitchcock;T. Paul Chow;Ishwara B. Bhat
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Electrochemical etching;
- SiC;
- Power device;
- wide bandgap semiconductor;
- IGBT;
7.150mm Silicon Carbide Selective Embedded Epitaxial Growth Technology by CVD

机译：150mm CVD选择性碳化硅外延生长技术
- 作者：Kazukuni Hara;Hiroaki Fujibayashi;Yuuichi Takeuchi;Shoichiro Omae
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- SiC-CVD;
- Epitaxial growth;
- embedded;
- high speed rotation;
- 4H-SiC;
- MOSFET;
- Raman;
8.SiC Schottky Diode Rectifier Bridge Represented as Diffusion-Welded Stack

机译：SiC肖特基二极管整流桥，表示为扩散焊接堆
- 作者：Oleg Korolkov;Vitali Kozlovski;Alexander Lebedev;Raul Land;Natalja Sleptsuk;Jana Toompuu;Toomas Rang
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Schottky diodes;
- modular compositions;
- vertical integration;
- diffusion welded stacks;
9.Experimental Verification of a Self-Triggered Solid-State Circuit Breaker Based on a SiC BIFET

机译：基于SiC BIFET的自触发式固态断路器的实验验证
- 作者：M. Albrecht;A. Huerner;T. Erlbacher;A. J. Bauer;L. Frey
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- solid-state circuit breaker;
- SSCB;
- bipolar-injection field effect-transistor;
- BIFET;
10.Localized Surface Plasmon on 6H SiC with Ag Nanoparticles

机译：银纳米粒子在6H SiC上的局部表面等离子体
- 作者：Yi Wei;Ahmed Fadil;Haiyan Ou
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- SiC;
- localized surface plasmon resonance;
- photoluminescence;
- DAP recombination;
- FDTD simulation;
- time-resolved photoluminescence;
- photon lifetime;
11.Thermal and Lattice Misfit Stress Relaxation in Growing AIN Crystal with Simultaneous Evaporation of SiC Substrate

机译：SiC衬底同时蒸发生长的AIN晶体中的热和晶格失配应力松弛
- 作者：T.S. Argunova;M.Yu. Gutkin;K.D. Shcherbachev;S.S. Nagalyuk;O.P. Kazarova;E.N. Mokhov;J.H. Je
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- AlN;
- crystal structure;
- defects;
- synchrotron radiation;
- x-ray scattering;
- x-ray imaging;
12.Demonstration of 13-kV Class Junction Barrier Schottky Diodes in 4H-SiC with Three-Zone Junction Termination Extension

机译：演示具有三区结扩展的4H-SiC中的13kV类结势垒肖特基二极管
- 作者：Hidenori Kitai;Yasuo Hozumi;Hiromu Shiomi;Masaki Furumai;Kazuhiko Omote;Kenji Fukuda
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Junction barrier Schottky diode;
- edge termination;
- ultrahigh voltage;
13.Realization and Characterization of Carbonic Layers on 4H-SiC for Electrochemical Detections

机译：电化学检测4H-SiC碳层的实现与表征
- 作者：J. Pezard;V. Souliere;M. Lazar;N. Haddour;F. Buret;C. Raynaud;D. Planson
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- electrochemical sensors;
- carbonic layers;
- PPF;
- BDD;
- graphene;
14.Al~+ Ion Implanted 4H-SiC Vertical p~+-i-n Diodes: Processing Dependence of Leakage Currents and OCVD Carrier Lifetimes

机译：Al〜+离子注入的4H-SiC垂直p〜+ -i-n二极管：漏电流和OCVD载流子寿命的处理依赖性
- 作者：R. Nipoti;M. Puzzanghera;G. Sozzi
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- 4H-SiC post implantation annealing temperature;
- ambipolar carrier life time;
- OCVD;
15.Cryogenic Characterisation and Modelling of Commercial SiC MOSFETs

机译：商用SiC MOSFET的低温表征和建模
- 作者：L.J. Woodend;P.M. Gammon;V.A. Shah;A. Perez-Tomas;F. Li;D.P. Hamilton;M. Myronov;P.A. Mawby
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Silicon Carbide;
- MOSFET;
- Cryogenic;
- Characterisation;
16.On Electrons Mobility in Heavily Nitrogen Doped 4H-SiC

机译：重氮掺杂4H-SiC中的电子迁移率
- 作者：Konstantin V. Vasilevskiy;Sandip K. Roy;Neal Wood;Alton B. Horsfall;Nick G. Wright
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- nitrogen doping;
- ion implantation;
- Hall effect;
- electron mobility;
17.Investigation of Direct Water Photoelectrolysis Process Using III-N Structures

机译：III-N结构直接水光电解过程的研究
- 作者：Alexander Usikov;Alexey Nikiforov;Oleg Khait;Oleg Medvedev;Ivan Ermakov;Boris Papchenko;Mike Puzyk;Andrei Antipov;Iosif Barash;Sergey Kurin;Alexander Roenkov;Heikki Helava;Yuri Makarov
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Hydride Vapor Phase Epitaxy;
- lll-N Structures;
- Photo-Assisted Electrochemical Process;
18.Modeling of Stacking Fault Expansion Velocity of Body Diode in 4H-SiC MOSFET

机译：4H-SiC MOSFET体二极管堆叠故障扩展速度的建模
- 作者：K. Konishi;R. Fujita;A. Shima;Y. Shimamoto
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- 4H-SiC;
- MOSFET;
- Body diode;
- Stacking Fault;
- Basal Plane Dislocation;
19.Creation and Functionalization of Defects in SiC by Proton Beam Writing

机译：质子束写入在SiC中产生缺陷并使其功能化
- 作者：T. Ohshima;T. Honda;S. Onoda;T. Makino;M. Haruyama;T. Kamiya;T. Satoh;Y. Hijikata;W. Kada;O. Hanaizumi;A. Lohrmann;J. R. Klein;B. C. Johnson;J. C. McCallum;S. Castelletto;B. C. Gibson;H. Kraus;V. Dyakonov;G. V. Astakhov
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Silicon vacancy (V_(Si));
- Defect engineering;
- Proton beam writing;
- Photoluminescence;
20.Monolithically Integrated Solid-State-Circuit-Breaker for High Power Applications

机译：适用于大功率应用的单片集成式固态断路器
- 作者：A. Huerner;T. Erlbacher;A.J. Bauer;L. Frey
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Solid-State-Circuit-Breaker;
- High-Power;
- BIFET;
- JFET;
21.The Effect of Incomplete Ionization on SiC Devices during High Speed Switching

机译：高速开关过程中不完全电离对SiC器件的影响
- 作者：Kohei Ebihara;Kotaro Kawahara;Hiroshi Watanabe;Shuhei Nakata;Satoshi Yamakawa
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- SiC;
- TCAD;
- High Speed Switching;
- Deep Level;
- Incomplete Ionization;
22.Bulk β-Ga_2O_3 with (010) and (201) Surface Orientation: Schottky Contacts and Point Defects

机译：具有（010）和（201）表面取向的块状β-Ga_2O_3：肖特基接触和点缺陷
- 作者：M. E. Ingebrigtsen;L. Vines;G. Alfieri;A. Mihaila;U. Badstuebner;B.G. Svensson;A. Kuznetsov
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
23.Tuning Performance of Silicon Carbide Micro-Resonators

机译：碳化硅微谐振器的调谐性能
- 作者：Rebecca Cheung;Graham S. Wood;Enrico Mastropaolo;Boris Svilicic
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- MEMS resonators;
- electrothermal actuation;
- piezoelectric sensing;
- frequency tuning;
24.New Efficient Canal of THz Emission from SiC Natural Superlattices in Conditions of Wannier-Stark Localization

机译：Wannier-Stark局域化条件下SiC天然超晶格的新型高效THz发射管
- 作者：V.I. Sankin;A.V. Andrianov;A.G. Petrov;S.S.Nagalyuk;P.P. Shkrebiy;A.O. Zacharin
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
25.Quality Improvement of 4' 4H-SiC Crystal by Using Modified Seed Adhesion Method

机译：改进的种子黏附法改善4“ 4H-SiC晶体的质量
- 作者：Jung-Woo Choi;Jong-Hwi Park;Jung-Doo Seo;Jung-Gyu Kim;Myung-Ok Kyun;Kap-Ryeol Ku;Hwang-Ju Kim;Dong-Hoon Lee;Yeon-Suk Jang;Won-Jae Lee
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Quality Improvement;
- Defect Formation;
- Interface;
- Seeding;
26.Demonstration of SiC-MOSFET Embedding Schottky Barrier Diode for Inactivation of Parasitic Body Diode

机译：SiC-MOSFET嵌入肖特基势垒二极管用于寄生体二极管失活的演示
- 作者：S. Hino;H. Hatta;K. Sadamatsu;Y. Nagahisa;S. Yamamoto;T. Iwamatsu;Y. Yamamoto;M. Imaizumi;S. Nakata;S. Yamakawa
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- MOSFET;
- SBD embedding;
- body diode;
27.Comparative Evaluation of Commercial 1200 V SiC Power MOSFETs Using Diagnostic I-V Characterization at Cryogenic Temperatures

机译：在低温下使用诊断IV特性对商用1200 V SiC功率MOSFET进行比较评估
- 作者：Sauvik Chowdhury;Collin W. Hitchcock;T. Paul Chow
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- SiC MOSFET;
- Cryogenic;
- power MOSFET;
28.Effect of Neutron Irradiation on SiC Etching in KOH Melt

机译：中子辐照对KOH熔体中SiC刻蚀的影响
- 作者：E.N. Mokhov;O.P. Kazarova;S.S. Nagalyuk
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- SiC;
- KOH melt;
- etching rate;
- neutron irradiation;
- clusters of defects;
29.Impact of Channel Mobility Improvement Using Boron Diffusion on Different Power MOSFETs Voltage Classes

机译：使用硼扩散改善沟道迁移率对不同功率MOSFET电压等级的影响
- 作者：Victor Soler;Maria Cabello;Maxime Berthou;Josep Montserrat;Jose Rebollo;Philippe Godignon;Enea Bianda;Andrei Mihaila
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Power MOSFET;
- High Voltage;
- Boron;
- field-effect mobility;
- temperature behavior;
30.Depth Profile of Doping Concentration in Thick (> 100 μm) and Low-Doped (< 4 × 10~(14) cm~(-3)) 4H-SiC Epilayers

机译：厚（> 100μm）和低掺杂（<4×10〜（14）cm〜（-3））4H-SiC外延层中掺杂浓度的深度分布
- 作者：Keisuke Fukada;Naoto Ishibashi;Yoshihiko Miyasaka;Akira Bandoh;Kenji Momose;Hiroshi Osawa
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- 4H-SiC;
- epitaxial growth;
- thick and low-doped epilayer;
- n-type doping;
- depth profile of doping concentration;
- high voltage;
31.Resolving the Discrepancy between Observed and Calculated Penetration Depths in Grazing Incidence X-Ray Topography of 4H-SiC Wafers

机译：解决4H-SiC晶圆掠入射X射线形貌中观察到的穿透深度与计算的穿透深度之间的差异
- 作者：Yu Yang;Jianqiu Guo;Balaji Raghothamachar;Michael Dudley;Gill Chung;Edward Sanchez;Ian Manning
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- penetration depth;
- grazing incidence;
- orientation contrast;
- kinematical diffraction;
- Synchrotron X-ray Topography;
32.16 kV, 75 kHz, 50% Duty Cycle, SiC Photonic Based Bulk Conduction Power Switch Development

机译：16 kV，75 kHz，50％占空比，基于SiC光子的体导电功率开关开发
- 作者：K. C. Sampayan
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Photoconductive switching;
- high voltage switching;
- HVDC;
- inverter;
- transmission;
33.Oxidation Effect for the Carbon Related Defect Formation in SiC/SiO_2 Interface by First Principles Calculation

机译：基于第一性原理计算的SiC / SiO_2界面碳相关缺陷形成的氧化作用
- 作者：Kenta Chokawa;Kenji Shiraishi
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- First principles calculation;
- Defect;
- Thermal oxidation;
34.Optimization of 4H-SiC Photodiodes as Selective UV Sensors

机译：优化4H-SiC光电二极管作为选择性UV传感器
- 作者：Christian D. Matthus;Alex Burenkov;Tobias Erlbacher
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Photodiode;
- UV sensor;
- numerical simulation;
- optimization;
35.Design and Fabrication of 1400V 4H-SiC Accumulation Mode MOSFETs (ACCUFETs)

机译：1400V 4H-SiC累积模式MOSFET（ACCUFET）的设计与制造
- 作者：Woongje Sung;B. J. Baliga
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- SiC;
- 4H-SiC;
- Accumulation mode channel;
- MOSFET;
- ACCUFET;
- edge termination;
36.Growth of Cubic Silicon Carbide on Silicon Using Hot Filament CVD

机译：热丝CVD法在硅上生长立方碳化硅
- 作者：P. Hens;R. Brow;H. Robinson;M. Cromar;B. Van Zeghbroeck
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- 3C-SiC;
- Heteroepitaxy;
- Hot Filament CVD;
- Raman;
- X-Ray Diffraction;
37.Salicide-Like Process for the Formation of Gate and Source Contacts in 4H-SiC TSI-VJFETs

机译：在4H-SiC TSI-VJFET中形成栅极和源极接触的自对准硅化物工艺
- 作者：Antonios Stavrinidis;George Konstantinidis;Konstantinos Vamvoukakis;Konstantinos Zekentes
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- salicide;
- self-aligned silicide process;
- TSI-VJFET;
- 4H-SiC;
- vertical channel;
- Aluminum dopant implantation;
38.Dislocation Revelation and Categorization for Thick Free-Standing GaN Substrates Grown by HVPE

机译：HVPE生长的厚自由站立GaN衬底的位错揭示和分类
- 作者：Y. Yao;Y. Ishikawa;Y. Sugawara;D. Yokoe;M. Sudo;N. Okada;K. Tadatomo
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- HVPE GaN;
- etch pit;
- dislocation;
- Burgers vector;
- cathodoluminescence (CL);
- large-angle convergent-beam electron diffraction (LACBED);
39.SiC Solution Growth on Si Face with Extremely Low Density of Threading Screw Dislocations for Suppression of Polytype Transformation

机译：SiC溶液在丝面上的生长，具有极低的螺纹位错密度，可抑制多型转变
- 作者：K. Murayama;T. Hori;S. Harada;S. Xiao;M. Tagawa;T. Ujihara
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Top seeded solution growth;
- Step-flow growth;
- Temperature distribution;
- Polytype transformation;
40.Performance Evaluation and Expected Challenges of Silicon Carbide Power MOSFETs for High Voltage Applications

机译：高压应用中碳化硅功率MOSFET的性能评估和预期挑战
- 作者：Munaf Rahimo
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- High Voltage;
- High Power;
- SiC MOSFET;
- IGBT;
- Diode;
41.Photoluminescence Characterization of Carrier Recombination Centers in 4H-SiC Substrates by Utilizing Below Gap Excitation

机译：利用低于能隙激发的4H-SiC衬底载流子复合中心的光致发光特性
- 作者：K. Kondo;N. Kamata;H. Yaguchi;S. Yagi;T. Fukuda;Z. Honda
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- 4H-SiC;
- photoluminescence;
- bound exciton;
- band edge emission;
- donor-acceptor pair;
- carrier recombination center;
- below gap excitation;
42.Lifetime Control in SiC PiN Diodes Using Radiation Defects

机译：利用辐射缺陷控制SiC PiN二极管的寿命
- 作者：P. Hazdra;S. Popelka
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- PiN Diode;
- Radiation Defects;
- Lifetime Control;
- Parameter Optimization;
43.Bulk Growth of Low Resistivity n-Type 4H-SiC Using Co-Doping

机译：共掺杂低电阻n型4H-SiC的块状生长
- 作者：H. Suo;K. Eto;T. Kato;K. Kojima;H. Osawa;H. Okumura
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Low resistivity;
- Co-doping;
- Sta cking fault;
- Nitrogen;
- Aluminum;
- Bulk growth;
- PVT;
44.Growth and Temperature-Depending Raman Characterization of Different Nitrogen-Doped 4H-SiC Crystals

机译：不同氮掺杂4H-SiC晶体的生长和温度依赖性拉曼光谱表征
- 作者：X.L. Yang;X.F. Chen;Y. Peng;X.J. Xie;X.B. Hu;X.G. Xu;P. Yu;R.P. Wang
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- N-doped SiC;
- electrical properties;
- Raman spectra;
- phonon lifetime;
45.High Temperature Bipolar Master-Slave Comparator and Frequency Divider in 4H-SiC Technology

机译：4H-SiC技术中的高温双极主从比较器和分频器
- 作者：Raheleh Hedayati;Luigia Lanni;Muhammad Shakir;Arash Salemi;Carl-Mikael Zetterling
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
46.Point Defects Investigation of High Energy Proton Irradiated SiC p~+-i-n Diodes

机译：高能质子辐照SiC p〜+ -i-n二极管的点缺陷研究
- 作者：G. Alfieri;A. Mihaila;R. Nipoti;M. Puzzanghera;G. Sozzi;P. Godignon;J. Milan
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- irradiation;
- defects;
- lifetime;
- pin diode;
- DLTS;
- MCTS;
- I-DLTS;
- CC-DLTS;
- OCVD;
47.Analysis of Thin Thermal Oxides on (0001) SiC Epitaxial Layers

机译：（0001）SiC外延层上薄热氧化物的分析
- 作者：Judith Woerle;Massimo Camarda;Christof W. Schneider;Hans Sigg;Ulrike Grossner;Jens Gobrecht
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Silicon Carbide;
- thermal oxidation;
- density of interface states;
- conductance;
48.Low Density of Near-Interface Traps at the Al_2O_3/4H-SiC Interface with Al_2O_3 Made by Low Temperature Oxidation of Al

机译：Al的低温氧化法制备Al_2O_3与Al_2O_3界面处近界面陷阱的低密度。
- 作者：Rabia Y. Khosa;Einar OE. Sveinbjoernsson;Michael Winters;Jawad ul Hassan;Robin Karhu;Erik Janzen;Niklas Rorsman
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Interface states;
- Near-interface traps;
- Gate dielectrics;
- Aluminum oxide;
49.3.3 kV 4H-SiC DMOSFET with Highly Reliable Gate Insulator and Body Diode

机译：3.3 kV 4H-SiC DMOSFET，具有高度可靠的栅极绝缘体和体二极管
- 作者：A. Shima;H. Shimizu;Y. Mori;M. Sagawa;K. Konishi;R. Fujita;T. Ishigaki;N. Tega;K. Kobayashi;S. Sato;Y. Shimamoto
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- 4H-SiC;
- SiC MOSFET;
- Electric field;
- Threshold voltage instability;
- Body diode;
- Stacking Fault;
- Basal Plane Dislocation;
50.SiC Power Devices in impedance Source Converters

机译：阻抗源转换器中的SiC功率器件
- 作者：Jacek Rabkowski
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- power converters;
- impedance source converters;
- SiC MOSFET;
- parasitic capacitance;
51.Susceptor Coating Materials Applicable for SiC Reactor Cleaning

机译：适用于SiC反应器清洁的基座涂层材料
- 作者：Kohei Shioda;Hitoshi Habuka;Hideki Ito;Shin-ichi Mitani;Yoshinao Takahashi
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Silicon carbide;
- epitaxial reactor cleaning;
- chlorine trifluoride gas;
52.CVD Growth of Graphene on SiC (0001): Influence of Substrate Offcut

机译：石墨烯在SiC（0001）上的CVD生长：衬底截止的影响
- 作者：Roy Dagher;Benoit Jouault;Matthieu Paillet;Maxime Bayle;Luan Nguyen;Marc Portail;Marcin Zielinski;Thierry Chassagne;Yvon Cordier;Adrien Michon
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Graphene;
- buffer layer;
- substrate offcut;
- strain;
53.Extension of Stacking Faults in 4H-SiC pn Diodes under a High Current Pulse Stress

机译：高电流脉冲应力下4H-SiC pn二极管堆叠故障的扩展
- 作者：Yohei Iwahashi;Masaki Miyazato;Masaaki Miyajima;Yoshiyuki Yonezawa;Tomohisa Kato;Hirokazu Fujiwara;Kimimori Hamada;Akihiro Otsuki;Hajime Okumura
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- stacking fault;
- pn diode;
- pulse stress;
- partial dislocation velocity;
- activation energy;
54.Conductance Signal from Near-Interface Traps in n-Type 4H-SiC MOS Capacitors under Strong Accumulation

机译：n型4H-SiC MOS电容器在强积累下来自近界面陷阱的电导信号
- 作者：R.Y. Khosa;E.OE. Sveinbjoernsson
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Near-interface traps (NITs);
- Conductance analysis;
- Interfaces;
55.Short-Circuit Robustness Testing of SiC MOSFETs

机译：SiC MOSFET的短路鲁棒性测试
- 作者：Ronald Green;Damian P. Urciuoli;Aivars J. Lelis
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- SiC;
- MOSFET;
- Short-circuit (SC);
- ruggedness;
- SC failure modes;
56.Solvent Design for High-Purity SiC Solution Growth

机译：高纯度SiC溶液生长的溶剂设计
- 作者：Shunta Harada;Goki Hatasa;Kenta Murayama;Tomohisa Kato;Miho Tagawa;Toru Ujihara
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- SiC;
- top-seeded solution growth;
- impurity;
- CALPHAD;
- yttrium;
57.A Method to Adjust Polycrystalline Silicon Carbide Etching Rate Profile by Chlorine Trifluoride Gas

机译：三氟化氯气体调节多晶硅碳化硅刻蚀速率曲线的方法
- 作者：Ken Nakagomi;Shogo Okuyama;Hitoshi Habuka;Yoshinao Takahashi;Tomohisa Kato
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Silicon carbide dry etcher;
- chlorine trifluoride gas;
- etching rate profile;
58.On Deep Level Transient Spectroscopy of Extended Defects in n-Type 4H-SiC

机译：n型4H-SiC扩展缺陷的深层瞬态光谱研究
- 作者：J. Weber;H. B. Weber;M. Krieger
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- DLTS;
- extended defects;
- triangular defect;
- stacking faults;
- quantum well;
59.Suppression of the Forward Degradation in 4H-SiC PiN Diodes by Employing a Recombination-Enhanced Buffer Layer

机译：通过使用增强复合的缓冲层抑制4H-SiC PiN二极管中的正向降解
- 作者：Takeshi Tawara;Tetsuya Miyazawa;Mina Ryo;Masaki Miyazato;Takumi Fujimoto;Kensuke Takenaka;Shinichiro Matsunaga;Masaaki Miyajima;Akihiro Otsuki;Yoshiyuki Yonezawa;Tomohisa Kato;Hajime Okumura;Tsunenobu Kimoto;Hidekazu Tsuchida
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- forward degradation;
- minority carrier lifetime;
- PiN diode;
60.Combined N_2O and Phosphorus Passivations for the 4H-SiC/SiO_2 Interface with Oxide Grown at 1400℃

机译：N_2O和磷钝化相结合在1400℃氧化生成4H-SiC / SiO_2界面
- 作者：Hua Rong;Yogesh Sharma;Philip Mawby
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Interface trap density;
- High temperature oxidation;
- N_2O and Phosphorus passivation;
- 4H-SiC MOSFETs;
61.4H-SiC Pseudo-CMOS Logic Inverters for Harsh Environment Electronics

机译：适用于恶劣环境电子产品的4H-SiC伪CMOS逻辑反相器
- 作者：S-I. Kuroki;T. Kurose;H. Nagatsuma;S. Ishikawa;T. Maeda;H. Sezaki;T. Kikkawa;T. Makino;T. Ohshima;M. OEstling;C.-M. Zetterling
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- SiC nMOSFET;
- Logic Inverter;
- Harsh Environment Electronics;
62.Total Dose Effects on 4H-SiC Bipolar Junction Transistors

机译：总剂量对4H-SiC双极结晶体管的影响
- 作者：S.S. Suvanam;L. Lanni;B.G. Malm;C-M. Zetterling;A. Hallen
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- 4H-SiC;
- Radiation effects;
- Proton radiation;
- Bipolar devices;
63.4H-SiC PIN Diode as High Temperature Multifunction Sensor

机译：4H-SiC PIN二极管作为高温多功能传感器
- 作者：Shuoben Hou;Per-Erik Hellstroem;Carl-Mikael Zetterling;Mikael OEstling
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- 4H-SiC;
- PIN Diode;
- High Temperature;
- Sensor;
64.Comparative Study of p-Type 4H-SiC Grown on n-Type and Semi Insulating 4H-SiC Substrates

机译：n型和半绝缘4H-SiC衬底上生长的p型4H-SiC的比较研究
- 作者：S. Contreras;L. Konczewicz;R. Arvinte;J. Ben Messaoud;T. Wang;H. Peyre;T. Chassagne;M. Zielinski;S. Juillaguet
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- 4H-SiC;
- Substrate effect;
- Aluminium doping;
- Hall Effect;
- mobility;
- SIMS;
- AFM;
- LTPL;
65.Detection of Crystal Defects in High Doped Epitaxial Layers and Substrates by Photoluminescence

机译：通过光致发光检测高掺杂外延层和衬底中的晶体缺陷
- 作者：Hrishikesh Das;Swapna Sunkari;Hans Naas;Martin Domeij;Andrei Konstantinov;Fredrik Allerstam;Thomas Neyer
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- photoluminescence;
- crystal defects;
- basal plane dislocations;
- grain boundaries;
- screw dislocations;
- V-type epitaxial defects;
66.10+ kV Implantation-Free 4H-SiC PiN Diodes

机译：10+ kV免注入4H-SiC PiN二极管
- 作者：Arash Salemi;Hossein Elahipanah;Carl-Mikael Zetterling;Mikael OEstling
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- PiN diode;
- ultra-high-voltage;
- forward voltage drop;
- differential on-resistance;
- conductivity modulation;
- implantation-free;
67.4H-SiC Defects Evolution by Thermal Processes

机译：热加工导致4H-SiC缺陷发展
- 作者：N. Piluso;M.A. Di Stefano;S. Lorenti;F. La Via
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- 4H-SiC;
- defects;
- thermal process;
- Ion implantation;
- Photoluminescence;
68.Analysis Self-Healing of Gate Leakage Current due to Oxide Traps to Improve Reliability of Gate Electrode

机译：分析由于氧化物陷阱引起的栅极漏电流的自修复，以提高栅电极的可靠性
- 作者：S. Sato;H. Shimizu;A. Shima;Y. Shimamoto
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- 4H-SiC;
- SiC MOSFET;
- Gate Leakage Current;
69.Carrier Lifetime Control of 4H-SiC Epitaxial Layers by Boron Doping

机译：硼掺杂控制4H-SiC外延层的载流子寿命
- 作者：Tetsuya Miyazawa;Takeshi Tawara;Hidekazu Tsuchida
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- carrier lifetime;
- bipolar degradation;
- epitaxial growth;
- boron doping;
70.Physical Characterisation of 3C-SiC(001)/SiO_2 Interface Using XPS

机译：XPS对3C-SiC（001）/ SiO_2界面的物理表征
- 作者：F. Li;O. Vavasour;M. Walker;D.M. Martin;Y. Sharma;S. Russell;M. Jennings;A. Perez-Tomas;P.A. Mawby
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- 3C-SiC on Si;
- MOS;
- gate threshold;
- channel mobility;
- XPS;
71.Quantitative Investigation of Near Interface Traps in 4H-SiC MOSFETs via Drain Current Deep Level Transient Spectroscopy

机译：漏电流深能级瞬态光谱法定量研究4H-SiC MOSFET中的近界面陷阱
- 作者：M. Hauck;J. Weisse;J. Lehmeyer;G. Pobegen;H. B. Weber;M. Krieger
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- MOSFET;
- drain current DLTS;
- Hall effect in MOS channel;
- interface traps;
- NITs;
- POA;
72.Next Generation Planar 1700 V, 20 mΩ 4H-SiC DMOSFETs with Low Specific On-Resistance and High Switching Speed

机译：具有低导通电阻和高开关速度的下一代平面1700 V，20mΩ4H-SiC DMOSFET
- 作者：Q.J. Zhang;G. Wang;C. Jonas;C. Capell;S. Pickle;P. Butler;D. Lichtenwalner;E. Van Brunt;S. Ryu;J. Richmond;B. Hull;J. Casady;S. Allen;J. Palmour
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- MOSFET;
- Silicon Carbide;
- high voltage;
- switching speed;
- body diode;
73.Simulation Study of Switching-Dependent Device Parameters of High Voltage 4H-SiC GTOs

机译：高压4H-SiC GTO的开关相关器件参数的仿真研究
- 作者：Aderinto Ogunniyi;James Schrock;Miguel Hinojosa;Heather OBrien;Aivars Lelis;Stephen Bayne;Sei-Hyung Ryu
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Turn-on delay;
- Silicon carbide;
- Gate turn-off thyristor;
- Ambipolar lifetime;
- Gate current;
74.Correlation between Local Strain Distribution and Microstructure of Grinding-lnduced Damage Layers in 4H-SiC(0001)

机译：4H-SiC（0001）中局部应变分布与磨削损伤层微观结构的相关性
- 作者：Susumu Tsukimoto;Tatsuhiko lse;Genta Maruyama;Satoshi Hashimoto;Tsuguo Sakurada;Junji Senzaki;Tomohisa Kato;Kazutoshi Kojima;Hajime Okumura
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Electron backscatter diffraction (EBSD);
- Strain analysis;
- Damage layer;
- Grinding;
- TEM;
75.Feasibility of SiC Threshold Voltage Drift Characterization for Reliability Assessment in Production Environments

机译：SiC阈值电压漂移特性在生产环境中进行可靠性评估的可行性
- 作者：Daniel B. Habersat;Ron Green;Aivars J. Lelis
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Silicon Carbide;
- MOSFET;
- threshold voltage instability;
- qualification standards;
- test methods;
76.On the Influence of Active Area Design on the Performance of SiC JBS Diodes

机译：有源区设计对SiC JBS二极管性能的影响
- 作者：A. Mihaila;R. A. Minamisawa;L. Knoll;V. K. Sundaramoorthy;E. Bianda;H. Bartolf;G. Alfieri;M. Rahimo
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- SiC JBS diodes;
- active area;
- stripe design;
- hex design;
- static behavior;
- turn-off behaviour;
77.Dynamic Characterization of the Threshold Voltage Instability under the Pulsed Gate Bias Stress in 4H-SiC MOSFET

机译：4H-SiC MOSFET的脉冲栅极偏置应力下阈值电压不稳定性的动态表征
- 作者：Mitsuo Okamoto;Mitsuru Sometani;Shinsuke Harada;Hiroshi Yano;Hajime Okumura
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- MOSFET;
- V_(th) shift;
- positive bias temperature instability (PBTI);
- high-speed measurement;
- pulsed AC gate bias stress;
- NO POA;
78.Effect of Annealing on the Characteristics of Ti/Al Ohmic Contacts to p-Type 4H-SiC

机译：退火对p型4H-SiC的Ti / Al欧姆接触特性的影响
- 作者：Tang Yi-Dan;Shen Hua-Jun;Zhang Xu-Fang;Guo Fei;Bai Yun;Peng Zhao-Yang;Liu Xin-Yu
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
- Ti/Al ohmic contacts;
- SCRs;
- XRD;
- gradual Ti_3SiC_2 ISL;
79.Preface

机译：前言
- 作者：Konstantinos Zekentes;Konstantin V. Vasilevskiy;Nikolaos Frangis
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第2017期
80.In Situ Laser Synthesis of High Entropy Alloy Coating on Ti-6AI-4V Alloy: Characterization of Microstructure and Properties

机译：Ti-6Al-4V合金原位激光合成高熵合金涂层：组织和性能表征
- 作者：Zhaobing Cai;Xuejia Pang;Xiufang Cui;Xin Wen;Zhe Liu;Meiling Dong;Yang Li;Guo Jin
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第1期
- Laser cladding;
- In Situ;
- High-entropy alloy coating;
- EPMA;
- properties characterization;
81.Temperature Memory Effect of Ti-Ni-Hf-Y High Temperature Shape Memory Alloy

机译：Ti-Ni-Hf-Y高温形状记忆合金的温度记忆效应
- 作者：Jun Li;Xiaoyang Yi;Weihong Gao;Wenlong Song;Xianglong Meng
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第1期
- Ti-Ni-Hf-Y alloy;
- High temperature shape memory alloy;
- Martensitic transformation;
- Temperature memory effect;
82.The Precipitation Behavior of γ' Phase in Single Crystal Ni-Based DD6 Superalloy for Turbine Blade

机译：涡轮叶片单晶镍基DD6高温合金γ'相的析出行为
- 作者：Y.P. Xue;J.R. Li;J.Q. Zhao;J.C. Xiong
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第1期
- Ni-based superalloy;
- DD6;
- Directional solidification;
- γ' precipitation;
83.Critical Crack Tip Opening Displacement for X70 and X80 Steels - A Parametric Study

机译：X70和X80钢的临界裂纹尖端开口位移-参数研究
- 作者：Xiaoben Liu;Qingquan Duan;Baodong Wang;Hong Zhang
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第1期
84.Effect of Mechanical Stirring and Air Pressure on the Fluidity of SiCp/A357 Composites

机译：机械搅拌和气压对SiCp / A357复合材料流动性的影响
- 作者：Zhenlin Zhang;Zhifeng Zhang;Jun Xu;Hao Zhang;Weimin Mao
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第1期
- SiCp/A357 composites;
- Fluidity;
- Mechanical stirring;
- Air pressure;
- Microstructure;
85.Effects of Interstitial Nitrogen Atoms on Atomic Oxygen Adsorption on Fe (001) Surface from Ab Initio Calculations

机译：从头算计算间质氮原子对Fe（001）表面原子氧吸附的影响
- 作者：Fei Ye;Ya Kun Wang;Feifan Xu;Ke Tong
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第1期
- Ab initio calculation;
- Nitrogen;
- Adsorption;
- Austenitic stainless steel;
86.Effect of Homogenization Temperature on the Microstructure and Property of 6061 Aluminum Alloy with Erbium

机译：均质温度对6061 with铝合金显微组织和性能的影响。
- 作者：Shasha Dong;Bolong Li;Wenjian Lv;Peng Qi;Zuoren Nie
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第1期
- Homogenization Temperature;
- Microstructure;
- Mechanical Properties;
- 6061 Aluminum Alloy with Erbium;
87.Properties of Ni_(0.5)Zn_(0.5)Fe_5O_4Fe_(76)Si_9B_(10)P_5 Bulk Soft Magnetic Composites by Annealing Treatment

机译：退火处理Ni_（0.5）Zn_（0.5）Fe_5O_4Fe_（76）Si_9B_（10）P_5块状软磁复合材料的性能
- 作者：Jihang Ren;Zhankui Zhao
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第1期
- Annealing treatment;
- Soft magnetic properties;
- Saturation magnetization;
88.Properties of Argon Gas Atomized Ti-43AI-9V-Y Alloy Powders

机译：氩气雾化Ti-43AI-9V-Y合金粉末的性能
- 作者：Liu Yufeng;Liu Na;Li Zhou;Zheng Liang;Xu Wenyong
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第1期
- Argon gas atomization;
- Size distribution;
- Microstructure;
- Phase;
- Gas contents;
- Hollowed powders;
89.Thermodynamic Calculation of Phase Equilibria in the Mn-RE (RE=Nd, Gd, Dy) Binary Systems

机译：Mn-RE（RE = Nd，Gd，Dy）二元体系中相平衡的热力学计算
- 作者：M.H. Rong;S.D. Lin;J. Wang;H.Y. Zhou;G.H. Rao
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第1期
- Mn-RE binary systems;
- Thermodynamic calculation;
- CALPHAD;
- Phase diagram;
90.Microstructures of Low Angle Boundaries of a Third Generation Single Crystal Superalloy DD9

机译：第三代单晶高温合金DD9低角度边界的微观结构
- 作者：Wanpeng Yang;Jiarong Li;Shizhong Liu;Jinqian Zhao;Zhenxue Shi;Xiaoguang Wang
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第1期
- DD9;
- Single crystal superalloy;
- Low angle boundaries;
- Microstructure;
91.Effects of La Microalloying on Microstructure Evolution of Pure Copper

机译：La微合金化对纯铜组织演变的影响
- 作者：Jinhu Wu;Shihong Zhang;Yan Chen;Haihong Li;Jinsong Liu
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第1期
- Rare earth;
- Pure copper;
- Microalloying;
- Absorptivity;
- Microstructure evolution;
92.Protective Ability of Graphite Powder on Molten AZ91D Magnesium Alloy

机译：石墨粉对熔融AZ91D镁合金的保护能力
- 作者：Weihong Li;Jixue Zhou;Baichang Ma;Jianhua Wu;Jinwei Wang;Haihua Zhuang;Yuansheng Yang;Xiaohui Huang
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第1期
- AZ91D magnesium alloy;
- Graphite powder;
- Surface film;
- Protection mechanism;
93.Microstructure Evolution of Mg-4.5Zn-0.75Er Alloy Containing l-Phase during Hot Compression

机译：含L相Mg-4.5Zn-0.75Er合金热压过程中的组织演变
- 作者：Cuicui Sun;Ke Liu;Wenbo Du;Jixue Zhou;Yuansheng Yang
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第1期
- Mg-45Zn-075Er alloy;
- I-phase;
- Solid solution treatment;
- Hot compression;
- Microstructure evolution;
94.Modeling the Precipitation Kinetics of Cementite in Bainite in 0.17% Carbon Steel

机译：模拟0.17％碳钢中贝氏体中渗碳体的沉淀动力学。
- 作者：Yong Yang;Bin Wang;Zhaodong Wang;Yanmei Li;Guodong Wang;R.D.K. Misra
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第1期
- Ultra fast cooling;
- Nanoscale cementite;
- Precipitation kinetics;
- Precipitation strengthening;
- Classical nucleation theory;
95.Effect of Solution Treatment Temperature on the Grain Growth Behavior of Fine Grained FGH96 Superalloy

机译：固溶温度对细晶粒FGH96高温合金晶粒长大行为的影响
- 作者：Yefei Feng;Xiaoming Zhou;Jinwen Zou;Xiaofeng Wang;Gaofeng Tian;Wuxiang Wang
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第1期
- Fine grained FGH96;
- grain growth;
- solution treatment temperature;
96.Deformation Behaviors and Constitutive Model of DP1000 under Different Strain Rates

机译：不同应变速率下DP1000的变形行为与本构模型
- 作者：Ran Wei;Renbo Song;Long Jiang;Hengjun Cai
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第1期
97.Analyzing Hysteresis and Thermal Expansion Coefficient of M40/AZ91D during Thermal Cycling

机译：M40 / AZ91D热循环过程中的磁滞和热膨胀系数分析
- 作者：Meihui Song;Yu Zhang;Yanchun Li;Guoqin Chen;Ziyang Xiu
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第1期
- Metal matrix composites;
- Thermal expansion;
- Thermal recycling;
- Thermal expansion coefficient;
98.Hot Deformation Behavior of AA-FGH720Li Superalloy

机译：AA-FGH720Li高温合金的热变形行为
- 作者：Xuqing Wang;Zichao Peng;Mincong Zhang
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第1期
- FGH720Li superalloy;
- Hot deformation;
- Constitutive equation;
- Deformation mechanism;
99.Effects of A-EMS on Microstructure and Mechanical Properties of DC Casting AI-10Si-1.1Ni Alloy

机译：A-EMS对直流铸造AI-10Si-1.1Ni合金组织和力学性能的影响
- 作者：Yang Qiu;Zhifeng Zhang;Mingwei Gao;Yajun Luo;Hongtao Gai
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第1期
- Annular electromagnetic stirring;
- Microstructure;
- Mechanical property;
- Melt treatment;
- AI-10Si-11Ni alloy;
100.Effect of Low-Angle Boundary on Microstructure and Stress Rupture Property of a Third Generation Single Crystal Superalloy DD10

机译：低角度边界对第三代单晶高温合金DD10的组织和应力断裂性能的影响
- 作者：Huifen Li;Lijun Liu;Ming Xue;Lamei Cao
- 期刊名称：《Materials science forum》 | 2017年第1期
- Third generation single crystal superalloy;
- Low angle boundary;
- Microstructure;
- Stress rupture property;

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