高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件

摘要

本发明提供了一种高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件，所述制备方法包括对具有第一导电类型的碳化硅外延片进行高温牺牲氧化，在其外延层的上表面形成牺牲氧化层；对牺牲氧化层进行腐蚀，直至完全去除外延层上的牺牲氧化层；对去除牺牲氧化层后的外延层的上表面进行高温表面化处理，形成光滑的钝化表面；在光滑的钝化表面上依次淀积Al₂O₃介质覆层、LaAlO₃介质层和Al₂O₃介质覆层，并对Al₂O₃介质覆层、LaAlO₃介质层和Al₂O₃介质覆层构成的叠层结构进行退火，形成高k栅介质层。与现有技术相比，本发明提供的一种高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件，能够减少SiC/SiO₂界面处的因杂质和/或表面晶格缺陷造成的界面缺陷，提高栅介质层的耐压能力。