Gate Leakage current; MOSFETS; Threshold voltage; CMOS; Tunnel current; Transconductance; Drive current;
机译:用氧化物定标法模拟具有超薄SiO_2和SiO_2 / Ta_2O_5电介质的NMOSFET的价带电子隧穿趋势
机译:夹在较厚的SiO_2层之间的超薄HfO_2(ZrO_2)层增强了堆叠栅极电介质中的隧穿
机译:通过超薄HfO_2 / Al_2O_3 / HfO_2三层栅极电介质的隧道电流,用于高级MIS器件
机译:隧道电流通过SIO_2,HFO_2,TA_2O_5,ZRO_2和DY_2O_3电介质在MOS器件中进行超大规模集成的电介质,使用第一原理计算
机译:基于硅的隧穿器件与绝缘体上硅相结合,可实现超大规模集成。
机译:单个和堆积的钌-吡啶吡啶分子器件中的电荷和自旋运输:第一性原理计算的启示
机译:分子器件中电流密度的第一性原理计算
机译:LsI / VLsI(大规模集成/超大规模集成)离子注入Gaas(砷化镓)IC处理。附录B.用于集成高速逻辑电路的Gaas mEsFET器件的二维建模