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机译:通过超薄HfO_2 / Al_2O_3 / HfO_2三层栅极电介质的隧道电流,用于高级MIS器件
机译:ALD HfO_2和Al_2O_3层沉积在非易失性半导体存储(NVSM)器件的双栅介质堆叠中的应用
机译:夹在较厚的SiO_2层之间的超薄HfO_2(ZrO_2)层增强了堆叠栅极电介质中的隧穿
机译:基于超薄HfO_2高k介电材料的MOS器件的隧穿电流密度模型
机译:具有HfO_2栅极电介质的原子层沉积的Al_2O_3,SrO,La_zO_3覆盖层的Vfb调制效应
机译:基于一氧化二氮的超薄栅极和隧道电介质用于MOS器件的开发。
机译:TiOx / Al2O3双层非易失性电阻的可变性改善界面带工程技术的超薄开关设备Al2O3介电材料
机译:高效宽带高分散HfO_2 / SiO_2多层反射镜,用于近紫外脉冲压缩
机译:使用交联聚电解质多层膜作为超薄电介质材料的有机电子器件