退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
林钢; 徐秋霞;
中国科学院微电子研究所;
超薄Si3N4/SiO2(N/O)stack栅介质; 栅隧穿漏电流; SILC特性; 栅介质寿命; CMOS器件;
机译:通过原子层沉积获得的SiO_2 / Si_3N_4 / SiO_2叠栅介质的特性
机译:SiO_2隧穿和Si_3N_4 / HfO_2俘获层是通过低温工艺在全栅无结电荷俘获闪存器件上形成的
机译:超薄SiO_2栅层和SiO_2 / ZrO_2栅叠层中的缺陷产生和色散传输模型
机译:具有SiO_2和SiO_2 / Parylene-Stack电介质的有机TFT中的阈值电压不稳定性
机译:具有高K电介质和金属栅电极的按比例缩放的NMOS器件的闪烁噪声
机译:顶栅石墨烯纳米带晶体管具有超薄高k电介质
机译:基于电容电压方法的超薄HfO2栅介电MOS器件的界面电荷分析
机译:使用交联聚电解质多层膜作为超薄电介质材料的有机电子器件
机译:形成半导体器件的方法,该半导体器件具有围绕沟道区域的至少一些的栅电介质和围绕栅介质的至少一些的栅电极
机译:一种用于集成电路的一次性可编程存储器件,包括:形成在有源区和隔离层上的浮栅;形成在浮栅上的栅间电介质层;以及形成在栅间电介质层上的控制栅
机译:用于双栅CMOS器件的氮注入超薄栅氧化物的形成方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。