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机译:通过原子层沉积获得的SiO_2 / Si_3N_4 / SiO_2叠栅介质的特性
Atomic Layer Deposition (ALD); SiO_2/Si_3N_4/SiO_2 (ONO); Medium Energy Ion Scattering (MEIS); Effective Trapped Charge Density (Q_(eff));
机译:通过原子层沉积获得的SiO_2 / Si_3N_4 / SiO_2叠栅介质的特性
机译:用于电荷陷阱存储应用的多层Al_2O_3 / HfO_2 / SiO_2 / Si_3N_4 / SiO_2薄电介质
机译:SiO_2 / Si_3N_4 / SiO_2构成的堆叠介电膜的性能
机译:ALD栅极电介质(SiO_2,HfO_2和SiO_2 / HAH)对AlGaN / GaN MOSHFET器件的电学特性和可靠性的影响
机译:参见关于SiO_2中陷阱俘获电子的研究统计
机译:原子层沉积的初步生长研究振动总和频率产生的Al2O3
机译:使用射频磁控溅射在$ Pt / Ti / SiO_2 / Si $衬底上沉积的$ CaCu_3Ti_4O_ {12} $薄膜的沉积和介电特性