机译:基于电容电压法的超薄HfO
机译:基于超薄高k栅极电介质的MIS器件的界面陷阱对电容电压特性的影响
机译:使用电导法测量超薄ZrO
机译:围绕FinFET的陡峭逆向的AL_2O_3,ZRO_2和HFO_2的电容捕集电荷和密度使用电容 - 电压(C-V)和电导电压(G-V)方法的分析
机译:基于一氧化二氮的超薄栅极和隧道电介质用于MOS器件的开发。
机译:基于具有拟反相关界面的波纹金属薄膜的表面势垒异质结构中表面等离子-极化子的介电环境敏感性增强
机译:电介质弛豫和电荷俘获特性研究 基于锗的mOs器件,具有HfO2 / Dy2O3栅极堆叠
机译:具有快速生长的超薄siO2栅极绝缘体的mOs(金属氧化物半导体)器件的界面和击穿特性。