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IEEE Transactions on Electron Devices

IEEE Transactions on Electron Devices

SCIEI

中文名称：IEEE关于电子设备的交易

ISSN：0018-9383
出版周期：Monthly

发文量：134

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1.Variation-Aware Prediction of Circuit Performance in Near-Threshold Regime Using Supply-Independent Transition Threshold Points

机译：使用与电源无关的转换阈值点，在接近阈值状态下感知电路性能的变化
- 作者：Dani Lalit Mohan;Mishra Neeraj;Sharma Arvind;Bulusu Anand
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
2.Drain-Extended FinFET With Embedded SCR (DeFinFET-SCR) for High-Voltage ESD Protection and Self-Protected Designs

机译：具有嵌入式SCR（DeFinFET-SCR）的漏极扩展FinFET，用于高压ESD保护和自保护设计
- 作者：Paul Milova;Kumar B. Sampath;Nagothu Kranthi Karmel;Singhal Pulkit;Gossner Harald;Shrivastava Mayank
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
3.Impact of the

机译：的影响
- 作者：Rzin M.;Guillet B.;Mechin L.;Gamarra P.;Lacam C.;Medjdoub F.;Routoure J-M
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- High electron mobility transistors (HEMTs);
- InAlGaN;
- GaN;
- in situ SiN passivation;
- low-frequency noise (LFN);
4.A Multiscale TCAD Approach for the Simulation of InP DHBTs and the Extraction of Their Transit Times

机译：InP DHBT模拟及其传输时间提取的多尺度TCAD方法
- 作者：Wen Xin;Mukherjee Chhandak;Raya Christian;Ardouin Bertrand;Deng Marina;Fregonese Sebastien;Nodjiadjim Virginie;Riet Muriel;Quan Wei;Arabhavi Akshay;Ostinelli Olivier;Bolognesi Colombo;Zimmer Thomas;Maneux Cristell;Luisier Mathieu
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
5.Degradation of Ka-Band GaN LNA Under High-Input Power Stress: Experimental and Theoretical Insights

机译：高输入功率应力下Ka波段GaN LNA的降解：实验和理论研究
- 作者：Tong Xiaodong;Wang Rong;Zhang Shiyong;Xu Jianxing;Zheng Penghui;Chen Feng-Xiang
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Dehydrogenation;
- first-principles calculations;
- gallium nitride (GaN);
- low-noise amplifier (LNA);
6.Analysis of Drain Current in Polycrystalline MgZnO/ZnO and MgZnO/CdZnO HFET

机译：MgZnO / ZnO和MgZnO / CdZnO HFET多晶中的漏极电流分析
- 作者：Khan Md Arif;Kumar Pawan;Siddharth Gaurav;Das Mengel;Mukherjee Shaibal
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Drain current (I-d);
- HFET;
- interface state density (Q(i));
- MgZnO/CdZnO (MCO);
- MgZnO/ZnO (MZO);
7.Modeling of the Impact of the Substrate Voltage on the Capacitances of GaN-on-Si HEMTs

机译：衬底电压对GaN-on-Si HEMT电容影响的建模
- 作者：Albahrani Sayed Ali;Mahajan Dhawal;Moench Stefan;Reiner Richard;Waltereit Patrick;Schwantuschke Dirk;Khandelwal Sourabh
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
8.Special Issue on Reliability

机译：可靠性特刊
- 作者：Mahapatra Souvik;Kerber Andreas;Compagnoni Christian Monzio;Koval Randy;Meneghesso Gaudenzio;Sheridan David;Ramey Stephen;Wang Runsheng;Stathis Jim;Chen Kevin J.;Kaczer Ben;Pancheri Lucio;Rosenbaum Elyse;Mouli Chandra;Wong Hei
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
9.Reliability of NAND Flash Arrays: A Review of What the 2-D–to–3-D Transition Meant

机译：NAND闪存阵列的可靠性：2-D到3-D转换含义的回顾
- 作者：Compagnoni Christian Monzio;Spinelli Alessandro S.
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
10.Impacts of State Instability and Retention Failure of Filamentary Analog RRAM on the Performance of Deep Neural Network

机译：丝状模拟RRAM的状态不稳定性和保留失败对深层神经网络性能的影响
- 作者：Xiang Yachen;Huang Peng;Zhao Yudi;Zhao Meiran;Gao Bin;Wu Huaqiang;Qian He;Liu Xiaoyan;Kang Jinfeng
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
- Reliability;
- Synapses;
- Neural networks;
- Analytical models;
- Resistance;
- Hardware;
- Degradation;
- Deep neural network (DNN);
- resistive random access memory (RRAM);
- retention;
- state instability;
11.Facts and Myths of Dielectric Breakdown Processes—Part I: Statistics, Experimental, and Physical Acceleration Models

机译：介电击穿过程的事实和神话-第一部分：统计，实验和物理加速模型
- 作者：Wu Ernest Y.
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
12.Facts and Myths of Dielectric Breakdown Processes—Part II: Post-Breakdown and Variability

机译：介电击穿过程的事实和神话-第二部分：击穿后和可变性
- 作者：Wu Ernest Y.
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
13.A Review of Self-Heating Effects in Advanced CMOS Technologies

机译：先进CMOS技术中的自热效应综述
- 作者：Prasad C.
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
- Heating systems;
- Phonons;
- Conductivity;
- Power dissipation;
- Market research;
- CMOS technology;
- Sensitivity;
- Advanced technology;
- CMOS;
- local heating;
- reliability;
- self-heat;
- self-heating (SH);
- transistor;
14.A Device-to-System Perspective Regarding Self-Heating Enhanced Hot Carrier Degradation in Modern Field-Effect Transistors: A Topical Review

机译：从器件到系统的观点，研究现代场效应晶体管中自加热增强的热载流子性能：主题综述
- 作者：Alam Muhammad Ashraful;Mahajan Bikram Kishore;Chen Yen-Pu;Ahn Woojin;Jiang Hai;Shin Sang Hoon
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
- Temperature dependence;
- Lattices;
- MOSFET;
- Mathematical model;
- Degradation;
- Data models;
- FinFETs;
- hot carrier degradation (HCD);
- power electronics;
- self-heating effect;
- universal scaling;
15.Self-Heating Characterization and Thermal Resistance Modeling in Multitube CNTFETs

机译：多管CNTFET的自加热特性和热阻建模
- 作者：Pacheco-Sanchez Anibal;Bejenari Igor;Schroter Michael
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
16.Ultrafast Characterization of Hole Trapping Near Black Phosphorus–SiO

机译：黑磷-SiO附近空穴陷阱的超快速表征
- 作者：Goyal Natasha;Mahapatra Souvik;Lodha Saurabh
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
17.Stability and Reliability of Lateral GaN Power Field-Effect Transistors

机译：横向GaN功率场效应晶体管的稳定性和可靠性
- 作者：del Alamo Jesus A.;Lee Ethan S.
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
- Gallium nitride;
- HEMTs;
- Aluminum gallium nitride;
- Wide band gap semiconductors;
- Logic gates;
- Integrated circuit reliability;
- AlGaN;
- GaN;
- power transistors;
- reliability;
- stability;
18.Temperature-Dependent Thermal Capacitance Characterization for SOI-MOSFETs

机译：SOI-MOSFET的温度相关热电容特性
- 作者：Gonzalez Benito;Aja Beatriz;Artal Eduardo;Lazaro Antonio;Nunez Antonio
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第10期
- Electrothermal characterization;
- model;
- silicon-on-insulator (SOI) MOSFET;
- substrate temperature;
- thermal capacitance;
19.Modeling of Fringing Capacitances of Ion-Implanted Double-Gate Junctionless FETs Using Conformal Mapping

机译：使用共形映射对离子注入双栅极无结FET的边缘电容进行建模
- 作者：Hashemi Seyed Amir;Beigi Kobra;Jit Satyabrata
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第10期
20.High-

机译：高-
- 作者：Song Jianan;Han Sang-Woo;Chu Rongming
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第10期
- AlGaN/GaN;
- capacitance-voltage;
- circuit;
- multichannel;
- Q-factor;
- Schottky contacts;
- varactor;
21.Safe Operating Area of Polarization Super-junction GaN HEMTs and Diodes

机译：极化超结GaN HEMT和二极管的安全工作区
- 作者：Shankar Bhawani;Shrivastava Mayank
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第10期
- GaN field-effect transistor (FET);
- polarization super-junction (PSJ);
- reliability;
- safe operating area (SOA);
22.Steep Subthreshold Swing in GaN Negative Capacitance Field-Effect Transistors

机译：GaN负电容场效应晶体管中的陡峭亚阈值摆幅
- 作者：Song Wenjing;Li Yi;Zhang Kai;Zou Xuming;Wang Jingli;Kong Yuechan;Chen Tangsheng;Jiang Changzhong;Liu Chuansheng;Liao Lei;Liu Xingqiang
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第10期
- AlGaN/GaN HEMT;
- Boltzmann limit;
- negative capacitance;
- subthreshold swing (SS);
- transistor;
23.Validation of Thermal Resistance Extracted From Measurements on Stripe Geometry SiGe HBTs

机译：从条形SiGe HBT的测量中提取的热阻的验证
- 作者：Balanethiram Suresh;DEsposito Rosario;Fregonese Sebastien;Chakravorty Anjan;Zimmer Thomas
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第10期
- Electrothermal effect;
- self-heating;
- SiGe HBTs;
- thermal impedance;
- thermal resistance;
24.Measurement of Self-Heating Temperature in AlGaN/GaN HEMTs by Using Cerium Oxide Micro-Raman Thermometers

机译：氧化铈拉曼温度计测量AlGaN / GaN HEMT中的自热温度
- 作者：Brocero G.;Guhel Y.;Eudeline P.;Sipma J. P.;Gaquiere C.;Boudart B.
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第10期
- CeO2 particles;
- GaN;
- high-electron-mobility transistors (HEMTs);
- micro-Raman thermometers;
- self-heating;
25.An Extraction Method for the Interface Acceptor Distribution of GaN MOS-HEMT

机译：GaN MOS-HEMT界面受体分布的提取方法
- 作者：Shi Yijun;Chen Wanjun;Sun Ruize;Liu Chao;Xia Yun;Xin Yajie;Xu Xiaorui;Wang Fangzhou;Deng Xiaochuan;Chen Tangsheng;Zhang Bo
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第10期
26.Row Hammering Mitigation Using Metal Nanowire in Saddle Fin DRAM

机译：在鞍形鳍式DRAM中使用金属纳米线缓解行锤现象
- 作者：Gautam S. K.;Manhas S. K.;Kumar Arvind;Pakala Mahendra;Yieh Ellie
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第10期
27.A Physics-Based Compact Model of Stochastic Switching in Spin-Transfer Torque Magnetic Memory

机译：自旋传递转矩磁记忆中基于物理的随机切换紧凑模型
- 作者：Carboni Roberto;Vernocchi Elena;Siddik Manzar;Harms Jon;Lyle Andy;Sandhu Gurtej;Ielmini Daniele
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第10期
28.Features of the Nonlinear Harmonic Distortion in AOSTFTs

机译：AOSTFT中的非线性谐波失真的特征
- 作者：Hernandez-Barrios Y.;Cerdeira A.;Tinoco J.;Iniguez B.
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
29.Effect of Mechanical Strain on Electrical Performance of Flexible P-Type SnO Thin-Film Transistors

机译：机械应变对柔性P型SnO薄膜晶体管电性能的影响
- 作者：Hsu Shu-Ming;He Jyun-Ci;Li Yun-Shiuan;Su Dung-Yue;Tsai Feng-Yu;Cheng I-Chun
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Flexible electronics;
- p-type oxide-semiconductor;
- thin-film transistor (TFT);
- tin monoxide (SnO);
30.All-Si Large-Area Photodetectors With Bandwidth of More Than 10 GHz

机译：带宽超过10 GHz的全硅大面积光电探测器
- 作者：Qin Shihong;Li Chong;Li Ben;Bao Kai;Su Jiale
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- High-speed;
- large area;
- photodetector (PD);
- silicon;
31.Active-Reset for the N

机译：N的主动复位
- 作者：Katz A.;Blank T.;Fenigstein A.;Leitner T.;Nemirovsky Y.
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
32.Enhancing Light Efficiency and Moisture Stability of the Quantum Dots-Light-Emitting Diodes by Coating Superhydrophobic Nanosilica Particles

机译：通过涂覆超疏水纳米二氧化硅粒子来提高量子点发光二极管的光效率和湿度稳定性
- 作者：Yu Xingjian;Pei Naiqi;Zhou Shuling;Zhang Xiaoyu;Luo Xiaobing
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
33.Dynamic Capacitance Variations Due to Barrier Modulation in Pinned Photodiode of CMOS Image Sensor

机译：由于CMOS图像传感器的固定光电二极管中的势垒调制而导致的动态电容变化
- 作者：Khan Uzma;Sarkar Mukul
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
34.White Light-Emitting Diodes With Ultrahigh Color Rendering Index by Red/Green Phosphor Layer Configuration Structure

机译：通过红色/绿色荧光粉层配置结构获得具有超高显色指数的白光发光二极管
- 作者：Wang Ange;Dai Jiangnan;Wang Hao;Mou Yun;Zhang Yi;Liu Jiaxin;Zheng Zhihua;Peng Yang;Chen Changqing
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- High color rendering;
- phosphor configuration;
- separated phosphor layer;
- white light-emitting diodes (WLEDs);
35.Miniaturized Optoelectronic SPR Sensor Based on Integrated Planar Waveguide and MIM Hot-Electron Photodetector

机译：基于集成平面波导和MIM热电子光电探测器的小型光电SPR传感器
- 作者：Lotfiani A.;Ghanaatshoar M.;Mohseni S. M.
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
36.Three Multiterminal Silicon Power Chips for an Optimized Monolithic Integration of Switching Cells: Validation on an H-Bridge Inverter

机译：三个多端子硅功率芯片，用于优化开关单元的单片集成：在H桥逆变器上的验证
- 作者：Lale Adem;Bourennane Abdelhakim;Richardeau Frederic;Videau Nicolas
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
37.Suppression of Capillary Flow in Slot-Die Coating for the Fabrication of Fine OLED Stripe

机译：缝隙模具涂层中用于制造精细OLED条纹的毛细管流的抑制
- 作者：Lee Jinyoung;Li Xun;Park Jongwoon
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Capillary flow;
- fine stripe;
- hydrophobic micropatterns;
- organic light-emitting diodes (OLEDs);
- slot-die coating;
38.PSPHV: A Surface-Potential-Based Model for LDMOS Transistors

机译：PSPHV：LDMOS晶体管基于表面电位的模型
- 作者：Xia Kejun;McAndrew Colin C.;van Langevelde Ronald;Smit Geert D. J.;Scholten Andries J.
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Semiconductor process modeling;
- Transistors;
- Integrated circuit modeling;
- Logic gates;
- Doping;
- Capacitance;
- Data models;
- MOSFETs;
- semiconductor device modeling;
- SPICE;
39.Dark Count Rate Distribution in Neutron-Irradiated CMOS SPADs

机译：中子辐照CMOS SPAD中的暗计数速率分布
- 作者：Ratti Lodovico;Brogi P.;Collazuol G.;Dalla Betta G-F;Ficorella A.;Marrocchesi P. S.;Pancheri L.;Vacchi C.
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Bulk damage;
- CMOS single-photon avalanche diode (SPAD);
- dark count noise;
- radiation effects;
40.Theory of 3-D Superjunction MOSFET

机译：3-D超结MOSFET的理论
- 作者：Kang H.;Udrea F.
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Doping;
- MOSFET;
- Resistance;
- JFETs;
- Semiconductor process modeling;
- Geometry;
- Analytical models;
- JFET;
- power MOSFET;
- superjunction (SJ);
41.Laminate Al

机译：层压铝
- 作者：Jenkins Melanie A.;Austin Dustin Z.;Holden Konner E. K.;Allman Derryl;Conley John F. Jr.
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Insulators;
- Electrodes;
- Semiconductor diodes;
- Aluminum oxide;
- Performance evaluation;
- Substrates;
- Semiconductor device measurement;
- AlO;
- atomic layer deposition (ALD);
- conduction mechanisms;
- laminate;
- metal;
- insulator;
- metal (MIM);
- metal;
- insulator;
- insulator;
- metal (MIIM);
- MIM diode;
- TaO;
42.Design and Optimization of 1.2-kV SiC Planar Inversion MOSFET Using Split Dummy Gate Concept for High-Frequency Applications

机译：利用分体虚拟栅极概念设计和优化1.2kV SiC平面反相MOSFET的高频应用
- 作者：Vudumula Pavan;Kotamraju Siva
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
43.Nonquasi-Static Capacitance Modeling and Characterization for Printed Inorganic Electrolyte-Gated Transistors in Logic Gates

机译：逻辑门中印刷无机电解质门控晶体管的非准静态电容建模与表征
- 作者：Feng Xiaowei;Marques Gabriel Cadilha;Rasheed Farhan;Tahoori Mehdi B.;Aghassi-Hagmann Jasmin
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
44.Electromigration Activation Energies in Alternative Metal Interconnects

机译：替代金属互连中的电迁移活化能
- 作者：Beyne Sofie;Pedreira Olalla Varela;Oprins Herman;De Wolf Ingrid;Tokei Zsolt;Croes Kristof
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Activation energy;
- alternative metals;
- cobalt;
- electromigration (EM);
- interconnects;
- low-frequency noise (LFN);
- reliability;
45.Thermal Stability Enhancement of NiGe Metal Source/Drain and Ge pMOSFETs by Dopant Segregation

机译：通过掺杂隔离提高NiGe金属源极/漏极和Ge pMOSFET的热稳定性
- 作者：Chen Zhuo;Yuan Sicong;Li Junkang;Zhang Rui
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Junctions;
- Thermal stability;
- Germanium;
- MOSFET;
- Schottky barriers;
- Nickel;
- Dopant segregation (DS);
- NiGe;
- thermal stability;
46.Impact of the Frequency Dependence of the Parasitic Admittance on the Diffusion Noise of a Diode Junction at Low Bias

机译：寄生导纳的频率相关性对低偏置下二极管结扩散噪声的影响
- 作者：Graffeuil J.;Escotte L.;Tartarin J. G.
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
47.Design and Fabrication of CNT-Based

机译：基于CNT的设计与制作
- 作者：Lim Jongmin;Gupta Amar P.;Yeo Seung Jun;Mativenga Mallory;Kong Moonkyoo;Cho Chong-Gil;Ahn Jeung Sun;Kim Seung Hoon;Ryu Jehwang
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Carbon nanotube (CNT);
- field emission;
- X-ray;
48.Static Modeling of Bending Characteristics on V-Shaped Beam Actuator Based on Flexible Substrate

机译：基于柔性基板的V形梁作动器弯曲特性的静态建模
- 作者：Han Lei;Yu Yang;Qin Ruijie;Zhang Zhiqiang;Su Shi
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Bending characteristics;
- flexible substrate;
- thermal actuator;
- V-shaped beam;
49.Stability and Multimode Simulation Studies of

机译：稳定性和多模仿真研究
- 作者：Akash;Thottappan Muthiah
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
50.Coaxial Cavity With Stepped Inner Conductor for a Sub-Terahertz Second-Harmonic Gyrotron With Broadband Continuous Frequency Tuning

机译：宽带连续频率调谐的亚太赫兹二次谐波回旋管的带阶梯内导体的同轴腔
- 作者：Shcherbinin Vitalii I;Tkachenko Viktor I;Avramidis Konstantinos A.;Jelonnek John
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Cavity resonators;
- Gyrotrons;
- Tuning;
- Frequency conversion;
- Harmonic analysis;
- Resonant frequency;
- Cyclotrons;
- Cyclotron harmonic;
- frequency bandwidth;
- gyrotrons;
- mode competition;
- starting currents;
51.Influences of Diamond Material on Heat Dissipation Capabilities of Helical Slow Wave Structures

机译：金刚石材料对螺旋慢波结构散热能力的影响
- 作者：Liu Yan-Wen;Tian Hong;Lu Yu-Xin;Shi Wen-Qi
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Heating systems;
- Diamond;
- Heat transfer;
- Conductivity;
- Dielectrics;
- Surface treatment;
- Diamond;
- heat dissipation capability;
- helix traveling-wave tube (TWT);
- slow wave structure (SWS);
52.Compact

机译：紧凑
- 作者：He Chaoxiong;Li Tianming;Cheng Renjie;Wang Haiyang;Li Hao;Zhou Yihong;Wang Keqiang;Ghannouchi Fadhel M.;Hu Biao
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Diffraction;
- Diffraction output (DO);
- high-power microwave (HPM);
- mode converter;
- radiation pattern;
- relativistic magnetron (RM);
53.Effect of Secondary Emission Yield and Initial Charge of Dielectric Material on Multipactor in Parallel-Plate Dielectric-Loaded Waveguide

机译：介电材料的二次发射率和初始电荷对平行板介电波导中倍数的影响
- 作者：Zhai Yonggui;Wang Hongguang;Zhang Lei;Lin Shu;Li Yun;Li Yongdong
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Dielectrics;
- Electrostatics;
- Metals;
- Radio frequency;
- Trajectory;
- Dielectric materials;
- Surface waves;
- Dielectric surface;
- electron trajectory;
- electrostatic field;
- multipactor;
54.Engineered Nanopores-Based Armchair Graphene Nanoribbon FET With Resonant Tunneling Performance

机译：具有共振隧穿性能的工程纳米孔扶手椅石墨烯纳米带FET
- 作者：Rahmani Morteza;Ahmadi Vahid;Faez Rahim
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
55.High-Performance Schottky-Barrier Field-Effect Transistors Based on Monolayer SiC Contacting Different Metals

机译：基于单层SiC接触不同金属的高性能肖特基势垒场效应晶体管
- 作者：Xie Hai-Qing;Li Jie-Ying;Liu Gang;Cai Xi-Ya;Fan Zhi-Qiang
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Silicon carbide;
- Electrodes;
- Gold;
- Logic gates;
- Photonic band gap;
- Transistors;
- Density functional theory;
- field-effect transistor (FET);
- quantum transport;
- Schottky barrier;
- SiC;
56.Design and Analysis of Address-Adaptive Read Reference Settings for Multilevel Cell Cross-Point Memory Arrays

机译：多级单元交叉点存储器阵列的地址自适应读取参考设置的设计和分析
- 作者：Wang Chengning;Feng Dan;Tong Wei;Liu Jingning;Wu Bing;Zhao Wei;Zhang Yang
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Crossbar;
- interconnect resistance;
- nondestructive readout;
- sneak path;
- voltage divider effect;
57.Parallel Simulation of Fully Coupled Electrothermal Processes in Large-Scale Phase-Change Memory Arrays

机译：大规模相变存储阵列中全耦合电热过程的并行仿真
- 作者：Wang Da-Wei;Zhao Wen-Sheng;Chen Wenchao;Zhu Guodong;Xie Hao;Gao Pingqi;Yin Wen-Yan
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
58.Independent Control of Antiparallel- and Parallel-State Thermal Stability Factors in Magnetic Tunnel Junctions for Telegraphic Signals With Two Degrees of Tunability

机译：具有两个可调度的电报信号在磁性隧道结中的反平行和平行状态热稳定性因子的独立控制
- 作者：Zink Brandon R.;Lv Yang;Wang Jian-Ping
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
59.Effect of OFF-State Stress on Gate-Induced Drain Leakage by Interface Traps in Buried-Gate FETs

机译：关状态应力对埋入式栅极FET中的界面陷阱对栅极感应的漏极泄漏的影响
- 作者：Lee Geon-Beom;Kim Choong-Ki;Yoo Min-Soo;Hur Jae;Choi Yang-Kyu
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
60.Electrothermal Characteristics of Delta-Doped

机译：掺Delta的电热特性
- 作者：Kumar Nitish;Joishi Chandan;Xia Zhanbo;Rajan Sidhharth;Kumar Satish
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Delta doping;
- electrothermal;
- field-effect transistor (FET);
- gallium oxide (Ga2O3);
- power electronics;
- self-heating;
- thermal management;
61.Impacts of Ta Buffer Layer and Cu–Ge–Te Composition on the Reliability of GeSe-Based CBRAM

机译：Ta缓冲层和Cu-Ge-Te组成对基于GeSe的CBRAM可靠性的影响
- 作者：Radhakrishnan Janaki;Belmonte Attilio;Devulder Wouter;Redolfi Augusto;Houssa Michel;Kar Gouri Sankar;Goux Ludovic
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Buffer layer;
- conductive bridge random access memory (CBRAM);
- Cu;
- GeSe;
- retention;
- resistive random access memory (RRAM);
- Ta;
62.Next-Generation Ultrahigh-Density 3-D Vertical Resistive Switching Memory (VRSM)—Part I: Accurate and Computationally Efficient Modeling

机译：下一代超高密度3D垂直电阻开关存储器（VRSM）-第一部分：准确且计算高效的建模
- 作者：Qin Shengjun;Jiang Zizhen;Li Haitong;Fujii Shosuke;Lee Dongjin;Wong S. Simon;Wong H-S Philip
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
63.Next-Generation Ultrahigh-Density 3-D Vertical Resistive Switching Memory (VRSM)—Part II: Design Guidelines for Device, Array, and Architecture

机译：下一代超高密度3D垂直电阻开关存储器（VRSM）-第二部分：设备，阵列和体系结构的设计指南
- 作者：Jiang Zizhen;Qin Shengjun;Li Haitong;Fujii Shosuke;Lee Dongjin;Wong S. Simon;Wong H-S Philip
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
64.Investigation of Electron and Hole Lateral Migration in Silicon Nitride and Data Pattern Effects on

机译：氮化硅中电子和空穴横向迁移的研究及其数据模式的影响。
- 作者：Liu Yu-Heng;Zhan Ting-Chien;Wang Tahui;Tsai Wen-Jer;Lu Tao-Cheng;Chen Kuang-Chao;Lu Chih-Yuan
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Data pattern;
- electron and hole lateral migration;
- multilevel flash memory;
- random telegraph signal (RTS);
65.Dynamic Analysis of the Negative OFF-State Current in Thin-film Transistors

机译：薄膜晶体管负态截止电流的动态分析
- 作者：Huo Wenxing;Zhu Rui;Mei Zengxia;Han Zuyin;Wang Tao;Sui Yanxin;Liang Huili;Du Xiaolong
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Capacitors;
- Logic gates;
- Thin film transistors;
- Integrated circuit modeling;
- Physics;
- Renewable energy sources;
- Dynamic model;
- thin-film transistors (TFTs);
66.Field-Dependent Mobility Enhancement and Contact Resistance in a-IGZO TFTs

机译：a-IGZO TFT中的场相关迁移率增强和接触电阻
- 作者：Xu Guangwei;Cai Le;Wang Zhengxu;Wu Quantan;Lu Congyan;Zhao Zhiyu;Zhao Yepin;Geng Di;Li Ling;Liu Ming;Yang Yang
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
67.Solution-Processed Yttrium-Doped IZTO Semiconductors for High-Stability Thin Film Transistor Applications

机译：用于高稳定性薄膜晶体管应用的溶液处理掺杂钇的IZTO半导体
- 作者：Zhang Yongpeng;Zhang Hao;Yang Jun;Ding Xingwei;Zhang Jianhua
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
68.Josephson Junction Field-Effect Transistors for Boolean Logic Cryogenic Applications

机译：用于布尔逻辑低温应用的约瑟夫逊结场效应晶体管
- 作者：Wen Feng;Shabani Javad;Tutuc Emanuel
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Ballistic transport;
- Josephson junction (JJ);
- superconducting logic device;
69.Carbon Nanotube-Based CMOS SRAM: 1 kbit 6T SRAM Arrays and 10T SRAM Cells

机译：基于碳纳米管的CMOS SRAM：1 kbit 6T SRAM阵列和10T SRAM单元
- 作者：Kanhaiya Pritpal S.;Lau Christian;Hills Gage;Bishop Mindy D.;Shulaker Max M.
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
70.Demonstration of 40-nm Channel Length Top-Gate p-MOSFET of WS

机译：WS的40-nm沟道长度顶栅p-MOSFET的演示
- 作者：Chung Yun-Yan;Lu Kuan-Cheng;Cheng Chao-Ching;Li Ming-Yang;Lin Chao-Ting;Li Chi-Feng;Chen Jyun-Hong;Lai Tung-Yen;Li Kai-Shin;Shieh Jia-Min;Su Sheng-Kai;Chiang Hung-Li;Chen Tzu-Chiang;Li Lain-Jong;Wong H-S Philip;Jian Wen-Bin;Chien Chao-Hsin
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Area selective chemical reaction deposition (CVD);
- p-MOSFET;
- short channel device;
- tungsten disulfide;
- WS2;
71.Record Gm

机译：记录Gm
- 作者：Arimura H.;Cott D.;Boccardi G.;Loo R.;Wostyn K.;Witters L.;Conard T.;Suhard S.;van Dorp D.;Dekkers H.;Ragnarsson L-A;Mitard J.;De Heyn V;Mocuta D.;Collaert N.;Horiguchi N.
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
72.Low-Power and ppm-Level Multimolecule Detection by Integration of Self-Heated Metal Nanosheet Sensors

机译：通过集成自热金属纳米片传感器实现低功率和ppm级多分子检测
- 作者：Tanaka Takahisa;Tabuchi Kenta;Tatehora Kohei;Shiiki Yohsuke;Nakagawa Shuya;Takahashi Tsunaki;Shimizu Ryota;Ishikuro Hiroki;Kuroda Tadahiro;Yanagida Takeshi;Uchida Ken
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Temperature sensors;
- Metals;
- Gas detectors;
- Resistance;
- Sensor arrays;
- Gas sensors;
- nanosheet;
- self-heating;
- sensor arrays;
73.Enhanced Reliability of 7-nm Process Technology Featuring EUV

机译：具有EUV的7纳米工艺技术增强了可靠性
- 作者：Choi Kihyun;Sagong Hyun Chul;Kang Wonchang;Kim Hyunjin;Hai Jiang;Lee Miji;Kim Bomi;Lee Mi-ji;Lee Soonyoung;Shim Hyewon;Park Junekyun;Cho Youngwoo;Rhee Hwasung;Pae Sangwoo
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
74.A New Method for Measuring Thermal Characteristics of Multistage Depressed Collectors

机译：一种测量多级低压集热器热特性的新方法
- 作者：He Xin;Zhang Yamin;Feng Shiwei;Yu Wenjuan;Yang Manpo
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
75.Dual-Mode Sensor and Actuator to Learn Human-Hand Tracking and Grasping

机译：双模式传感器和执行器可学习人手跟踪和掌握
- 作者：Tian Xiyue;Liu Zheyu;Luo Zewei;Wu Xing;Qiao Fei;Wang Xuewen;Li Guihong;Wu Jing;Zhang Jian;Liu Zheng;Chu Junhao
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
- Actuators;
- Neurons;
- Robot sensing systems;
- Silver;
- Resistance;
- Artificial intelligence;
- Pressure sensors;
- Actuator;
- artificial intelligence (AI);
- flexible sensor array;
76.Corrections to “SPICE-Only Model for Spin-Transfer Torque Domain Wall MTJ Logic”

机译：对“自旋传递扭矩域壁MTJ逻辑的仅SPICE模型”的更正
- 作者：Hu Xuan;Timm Andrew;Brigner Wesley H.;Incorvia Jean Anne C.;Friedman Joseph S.
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第12期
77.Unsupervised Learning by Spike-Timing-Dependent Plasticity in a Mainstream NOR Flash Memory Array—Part I: Cell Operation

机译：主流NOR闪存阵列中基于峰值定时可塑性的无监督学习—第一部分：单元操作
- 作者：Malavena Gerardo;Filippi Matteo;Spinelli Alessandro S.;Compagnoni Christian Monzio
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
78.A Novel Structure for Improving Erase Performance of Vertical Channel NAND Flash With an Indium-Gallium-Zinc-Oxide Channel

机译：一种新型结构，用于改善具有铟镓锌氧化物通道的垂直通道NAND闪存的擦除性能
- 作者：Choi Seonjun;Kim Bongsueg;Jeong Jae Kyeong;Song Yun Heub
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
- Silicon;
- IP networks;
- Leakage currents;
- Doping;
- Transistors;
- Charge carrier processes;
- Photonic band gap;
- indium gallium zinc oxide (IGZO);
- polysilicon;
- SONOS devices;
- vertical channel nand flash;
79.Characterization of Half-Select Free Write Assist 9T SRAM Cell

机译：半选型免费写辅助9T SRAM单元的特性
- 作者：Pal Soumitra;Bose Subhankar;Ki Wing-Hung;Islam Aminul
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
80.Transposable 3T-SRAM Synaptic Array Using Independent Double-Gate Feedback Field-Effect Transistors

机译：使用独立双栅反馈场效应晶体管的可转座3T-SRAM突触阵列
- 作者：Woo Sola;Cho Jinsun;Lim Doohyeok;Cho Kyoungah;Kim Sangsig
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
81.Low-Temperature-Processed Power Schottky Diode Based on Amorphous Indium-Tin-Zinc-Oxide/Indium-Gallium-Zinc-Oxide Bilayer

机译：基于非晶态铟锡锌氧化物/铟镓锌锌氧化物双层的低温处理功率肖特基二极管
- 作者：Zhou Xianda;Lu Lei;Wang Kai;Wong Man;Sin Johnny K. O.;Kwok Hoi-Sing
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
82.Abnormal

机译：异常
- 作者：Huang Shin-Ping;Chen Po-Hsun;Tsao Yu-Ching;Chen Hong-Chih;Zheng Yu-Zhe;Chu Ann-Kuo;Shih Yu-Shan;Wang Yu-Xuan;Wu Chia-Chuan;Shih Yao-Kai;Chung Yu-Hua;Chen Wei-Han;Wang Terry Tai-Jui;Zhang Sheng-Dong;Chang Ting-Chang
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
83.Low-Power Design for Unipolar ITO-Stabilized ZnO TFT RFID Code Generator Using Differential Logic Decoder

机译：采用差分逻辑解码器的单极性ITO稳定的ZnO TFT RFID代码生成器的低功耗设计
- 作者：Qin Yuning;Yeung Fion S. Y.;Wong Man;Kwok Hoi Sing;Li Guoyuan;Xu Yuming;Chen Rongsheng;Deng Sunbin;Zhong Wei;Wu Zhaohui;Li Bin;Li Guijun
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
84.High-performance Al-Zn-O Thin-Film Transistors Sputtering at Different Power

机译：以不同功率溅射的高性能Al-Zn-O薄膜晶体管
- 作者：Zhou Xiaobin;Han Dedong;Dong Junchen;Li Huijin;Yu Wen;Yi Zhuang;Zhang Shengdong;Zhang Xing;Wang Yi
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
- Sputtering;
- Performance evaluation;
- Logic gates;
- Thin film transistors;
- Annealing;
- Stress;
- Radio frequency;
- Aluminum-Zinc-Oxide;
- bias-stress stability;
- power;
- RF magnetron sputter;
- thin-film transistor (TFT);
85.Effects of Hexagonal Boron Nitride Sheets on the Optothermal Performances of Quantum Dots-Converted White LEDs

机译：六方氮化硼片对量子点转换白光LED光热性能的影响
- 作者：Zhou Shuling;Xie Bin;Ma Yupu;Lan Wei;Luo Xiaobing
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
86.Ultraefficient Green LEDs Using Quantum Dots in Liquid Matrix

机译：在液体矩阵中使用量子点的超高效能绿色LED
- 作者：Sadeghi Sadra;Melikov Rustamzhon;Bahmani Jalali Houman;Nizamoglu Sedat
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
87.A Thermal Management System to Reuse Thermal Waste Released by High-Power Light-Emitting Diodes

机译：一种热管理系统，可重复使用大功率发光二极管释放的热废料
- 作者：Wang Ning;Gao Cong;Ding Can;Jia Hong-Zhi;Sui Guo-Rong;Gao Xiu-Min
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
88.A Pixel Circuit With Wide Data Voltage Range for OLEDoS Microdisplays With High Uniformity

机译：具有高均匀度的OLEDoS微型显示器的宽数据电压范围像素电路
- 作者：Huo Xinxin;Liao Congwei;Zhang Min;Jiao Hailong;Zhang Shengdong
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
89.Effects of Injection Current on the Modulation Bandwidths of Quantum-Dot Light-Emitting Diodes

机译：注入电流对量子点发光二极管调制带宽的影响
- 作者：Xiao Hua;Xiao Xiangtian;Wu Dan;Wang Rui;Wang Kai;Chiang Kin Seng
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
90.Current Spreading Length and Injection Efficiency in ZnO/GaN-Based Light-Emitting Diodes

机译：ZnO / GaN基发光二极管的电流扩展长度和注入效率
- 作者：Macaluso Roberto;Lullo Giuseppe;Crupi Isodiana;Caruso Fulvio;Feltin Eric;Mosca Mauro
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
91.Thermal Impact of LED Chips on Quantum Dots in Remote-Chip and On-Chip Packaging Structures

机译：LED芯片对远程芯片和芯片上封装结构中量子点的热影响
- 作者：Li Zong-Tao;Li Jie-Xin;Li Jia-Sheng;Du Xue-Wei;Song Cun-Jiang;Tang Yong
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
92.Source Underlap—A Novel Technique to Improve Safe Operating Area and Output-Conductance in LDMOS Transistors

机译：源下陷—一种改善LDMOS晶体管的安全工作区和输出电导的新技术
- 作者：Bhoir Mandar S.;Kaushal Kumari Neeraj;Panda Soumya R.;Singh Amit K.;Jatana H. S.;Mohapatra Nihar R.
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
93.Gate Reliability of p-GaN HEMT With Gate Metal Retraction

机译：具有栅金属缩进的p-GaN HEMT的栅极可靠性
- 作者：Tallarico A. N.;Stoffels S.;Posthuma N.;Bakeroot B.;Decoutere S.;Sangiorgi E.;Fiegna C.
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
94.New Super-Junction LDMOS Breaking Silicon Limit by Multi-Ring Assisted Depletion Substrate

机译：通过多环辅助耗尽衬底突破硅极限的新型超结LDMOS
- 作者：Duan Baoxing;Li Mingzhe;Dong Ziming;Wang Yandong;Yang Yintang
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
- Breakdown voltage (BV);
- figure-of-merit (FOM);
- highly doped substrate;
- multi-ring (M-R);
- SJ-LDMOS;
- specific on-resistance;
95.Freewheeling Diode Technology With Low Loss and High Dynamic Ruggedness in High-Speed IGBT Applications

机译：低损耗和高动态坚固性的续流二极管技术在高速IGBT应用中
- 作者：Nakamura Katsumi;Masuoka Fumihito;Nishii Akito;Nishizawa Shin-ichi;Furukawa Akihiko
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
- Cathodes;
- Semiconductor diodes;
- Insulated gate bipolar transistors;
- Plasmas;
- Switches;
- Aerodynamics;
- Oscillators;
- Destruction;
- dynamic ruggedness;
- freewheeling diode (FWD);
- local heating;
- oscillation;
- reverse recovery;
- snap-off;
96.Designing ESD Protection Devices for Ultrafast Overvoltage Events

机译：设计用于超快速过电压事件的ESD保护器件
- 作者：Coyne Edward;Clarke Dave;Heffernan Stephen;Moane Brian
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第11期
- 8-kV IEC61000-4-4 ESD rating;
- bipolar;
- diode;
- majority;
- minority;
- technical computer-aided design (TCAD);
- transmission line pulse (TLP);
97.Characterization of an Acetone Detector Based on a Suspended WO

机译：基于悬浮WO的丙酮检测器的表征
- 作者：Sun Jianwen;Sokolovskij Robert;Iervolino Elina;Santagata Fabio;Liu Zewen;Sarro Pasqualina M.;Zhang Guoqi
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第10期
- Acetone sensor;
- AlGaN/GaN;
- gas sensor;
- high electron mobility transistor (HEMT);
- WO3;
98.VO

机译：VO
- 作者：Huang Chengzi;Zhang Zhen;Ramanathan Shriram;Weinstein Dana
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第10期
- Actuator;
- microelectromechanical systems;
- phase transition;
- thin film;
- vanadium dioxide;
99.A Model for Multipactor Discharge on a Dielectric Based on Chaos Theory

机译：基于混沌理论的介质上多峰放电模型。
- 作者：Siddiqi Moiz;Kishek Rami
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第10期
- Chaos;
- dielectric;
- multipactor;
- two-carrier;
100.Coupling Structure for a High-

机译：高耦合的耦合结构
- 作者：Zhang Liang;He Wenlong;Donaldson Craig R.;Clarke Jim;Ronald Kevin;Phelps Alan D. R.;Cross Adrian W.
- 期刊名称：《IEEE Transactions on Electron Devices》 | 2019年第10期
- Corrugated waveguide;
- coupler;
- free-electron laser (FEL);
- microwave undulator;

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