应变SiGe沟道PMOSFET亚阈值特性模拟

屠荆; 杨荣; 罗晋生; 张瑞智

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应变SiGe沟道PMOSFET亚阈值特性模拟

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通过简化的模型,对应变SiGe沟道PMOSFET及Si PMOSFET的亚阈值特性作出了简单的理论分析,然后用二维模拟器Medici进行了模拟和对比;研究了截止电流和亚阈值斜率随SiGe PMOSFET垂直结构参数的变化关系.模拟结果同理论分析符合一致,表明应变SiGe沟道PMOSFET的亚阈值特性比Si PMOSFET更差,并且对垂直结构参数敏感,在器件设计时值得关注.

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来源
《电子器件》 |2005年第3期|516-519523|共5页
作者
屠荆; 杨荣; 罗晋生; 张瑞智;
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作者单位

西安交通大学微电子研究所,西安,710049;

西北核技术研究所,西安,710024;

西安交通大学微电子研究所,西安,710049;

西安交通大学微电子研究所,西安,710049;

西安交通大学微电子研究所,西安,710049;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类金属-氧化物-半导体（MOS）器件;场效应型;
关键词
应变锗硅; P型金属-氧化物-半导体场效应晶体管; 亚阈值特性; 模型; 模拟;

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