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第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

召开年：2002
召开地：厦门
出版时间： 2002-10-01

主办单位：中国电子学会

会议文集：第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议论文集

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1.0.1μmHFET小信号等效电路模型参数的提取
- 袁志鹏;高建军;吴德馨
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：本文给出了一种适合0.1μmHFET器件的小信号等效电路模型参数提取方法.这种方法根据材料性能和物理结构参数近似计算HFET小信号等效电路模型参数,并以此为初值利用模拟退火算法提取HFET小信号等效电路模型参数.这种方法得到的小信号等效电路模型参数与测量的S参数符合的很好.
2.微空气桥隔离的InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管
- 郑丽萍;严北平;孙海锋;刘新宇;和致经;吴德馨
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：以p<'->-GaAsSb作为基区材料,利用微空气桥隔离工艺制作了NPN InGaP/GaAsSb/GaAs双异质结晶体管(DHBT:Double Heterojunction Bipolar Transistor).测量结果显示,该晶体管的be结正向开启电压(turn-on voltage)仅为0.76V.
3.立方相GaN/GaAs(001)外延层的光辅助湿法腐蚀
- 张秀兰;沈晓明;冯淦;张宝顺;冯志宏;杨辉
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：本文研究了用金属有机物气相外延(MOVPE)方法在GaAs(001)衬底上生长的立方相GaN(c-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀特性,并和生长在蓝宝石(0001)衬底上的六方相GaN(h-GaN)外延层的光辅助湿法腐蚀进行了比较.实验发现c-GaN膜的暗态电流和光电流的变化不同于h-GaN膜的腐蚀电流的变化规律.对腐蚀特性上的差异进行了简单的讨论.
4.SiGe HBT发射区刻蚀实验研究
- 付玉霞;刘志弘;刘志农
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：本文描述了SiGe HBT发射区刻蚀实验研究.详细介绍控制发射区刻蚀的厚度薄层电阻法原理、方法及测试结果.文中还就实验结果进行了分析讨论.
5.GaAs PHEMT电吸收调制器驱动电路的设计
- 王蓉;李献杰;王志功;曾庆明
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：本文给出光纤通信发射机中GaAs HMET工艺电吸收调制器驱动电路的设计方法与实验结果.此驱动电路采用单电源供电,双端输入,双端输出,由一级输入缓冲,一级差分放大单元和一级输出缓冲级组成.当驱动电路工作在2.5Gbit/s时,其驱动电流可以达到55.6mA.采用+5V电源供电,功耗为500mW.
6.自对准InGaP/GaAs HBT跨阻放大器的研制
- 王延锋;孙海峰;刘新宇;和致经;吴德馨
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：本文对自对准InGaP/GaAs HBT单片集成跨阻放大器进行了研究,采用发射极金属做腐蚀掩膜并利用GaAs腐蚀各向异性的特点来形成BE金属自对准工艺,最终制作出的器件单管阈值电压平均为1.15V,电波增益为50,发射极面积4um×14um的单管在集电极电流密度J<,C>=2×10<'4>A/cm<'2>条件下截至频率达到了40GHz.我们设计并制作了两种单片集成跨阻放大器电路,测量得到的跨阻增益在工作频率2.5GHz时分别为50.6dBΩ,3dB带宽分别为2.7GHz和2.5GHz,最小噪声系数分别为2.8dB和3.2dB.
7.5-21GHz砷化镓宽带单片集成电路
- 张玉清;张慕义;王绍东
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：本文简叙了砷化镓宽带单片电路的结构形式、CAD设计的过程以及单片的制作和性能测试等.其性能为:5-21GHz频段内,输出功率大于15dBm,增益大于8.5dB;输入、输出驻波比≤2;1,增益平坦度±0.85.
8.<'29>Si<'+>注入n-GaAs欧姆接触研究
- 李冰寒;夏冠群;周健;刘文超
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：本文系统研究了离子注入n-GaAs材料的欧姆接触性质.采用非相干光快速合金化方法实现了AuGeNi/Au与<'29>Si<'+>注入掺杂n-GaAs之间性能良好的欧姆接触.在快速合金化条件下,比接触电阻与<'29>Si<'+>注入的剂量和能量无关,比接触电阻均在3×10<'-7>Ω·cm<'2>左右.
9.难熔金属与n-GaAs的欧姆接触
- 刘文超;夏冠群;周健;李冰寒
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：本文对欧姆接触的基本原理进行了简要的阐述;并对Au/Ti/W/Ti多层金属和n-GaAs材料的欧姆接触进行了研究.结果表明接触在高温合金化后呈现欧姆特性可能和合金化后在接触界面处生成的TiAs相有关.
10.Ku波段功率放大器的研制
- 钱峰;蒋幼泉;叶育红;徐波
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：Ku波段功率放大器广泛应用于卫星通信、点对点通信、点对多点通信等多个军事、民用领域.本文针对实际需要,介绍了Ku波段功率放大器的电路拓朴结构及制作工艺和器件选择.
11.一类功率合成器的分析研究
- 张瑞霞
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：本文叙述宽边耦合带状线的阻抗特性,推导出宽边带状线耦合器的解析公式,利用ANSOFT公司的Serenade8.5微波CAD软件进行优化设计,制作出L波段功率合成与分配器,最后给出了测试结果和误差分析.
12.FMCW雷达系统集成VCO线性化技术研究
- 任成明;孙晓玮;沈秀英
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：本文介绍了FMCW雷达系统VCO闭环线性修正的一种方案,提出利用FPGA闭环修正的方法来实现毫米波雷达系统VCO的线性校正,并用MCM-D技术来实现系统集成,最后提出了校正系统算法的拓扑图.
13.微波器件金属陶瓷外壳电性能设计及实践
- 高尚通;王文琴
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：本文作者对过去多年来从来微波器件封装科研开发的实践成果进行了总结,对今后封装的发展提出了一些建议.所涉及的微波器件封装,外壳类型为金属陶瓷外壳.
14.微波低噪声器件噪声参数提取方法研究
- 高翠琢;李道成;韩利华;孙静
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：设计微波低噪声放大器及MMIC,需要确定增益和噪声系数随输入源导纳变化的规律,选择最佳的源导纳,设计出理想的微波器件,本文论述了国内外各种提取微波低噪声器件噪声参数的方法,并对其进行了比较.
15.GaN固体光源的进展
- 张万生;赵彦军
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：本文将结合我们的工作体会,主要对以蓝宝石为衬底的GaN固体光源的进展情况加以综述和介绍,并展望了GaN固体光源的应用前景.
16.调制掺杂GaN/AlGaN/GaN异质结构的光荧光谱研究
- 朱建军;刘素英;史永生;赵德刚;杨辉;梁骏吾
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：本文研究了调制掺杂GaN/AlGaN/GaN异质结构的光荧光(PL)谱,发现了两个与二维电子气(2DEG)相关的发光峰H<,0>和H<,1>.它们对应于两个不同子能级2DEG电子与光生空穴之间的复合发光.当在同一样品的不同位置进行测量时,H<,0>和H<,1>之间能量差在75meV和108meV之间变化,其平均值为95meV.随着温度的升高,H<,1>峰有微弱的红移,而H<,0>峰却有轻微的蓝移;当温度从10K上升到70K时,H<,0>和H<,1>之间能量差(ΔE)在减小了约3meV.
17.GaN刻蚀表面上GaCl<,x>的滞留研究
- 魏珂;刘训春;王润梅;罗明雄;曹振亚;牛立华;肖冬萍
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：近几年来,GaN以代表的新一代Ⅲ-Ⅵ族氮化物半导体材料发展迅猛.GaN具有禁带宽度大,热稳定性及化学稳定性好,电子极限漂移速度大等优点.因此在高温、大功率高速器件方面具有很广泛的应用前景.由于GaN具有良好的热稳定性和化学稳定性给常规的刻蚀技术带来了难题.湿法腐蚀较为困难,干法刻蚀技术成为首选.本文在利用ICP-98型高密度等离子刻蚀机进行GaN的刻蚀研究中,通过添加CF<,4>气体,初步解决了ICP刻蚀表面上GaCl<,x>的滞留问题,改善了刻蚀形貌.
18.Ga(In)NAs/GaAs长波长光电子材料与器件的研究
- 林耀望;潘钟;吴荣汉
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：GaAs基的GaInNAs材料及器件的研究是当前光电子领域前沿热门课题.本文将报道采用VG80H MKII MBE系统,在GaAs(100)衬底上生长高质量的GaNAs和GaInNAs量子阱结构材料和器件的研究结果.
19.衬底位置对反应RF溅射法多晶ZnO:Al薄膜的影响
- 龚恒翔;方泽波;徐大印;郭秋芬;杨映虎;王印月
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：采用以Ar和O<,2>混合气体为溅射气体的反应RF溅射法在Si(100)衬底上制备了Al掺杂多晶ZnO(AZO)薄膜.Al掺杂是通过在金属Zn靶上放置一定数量Al片的共溅射方式实现.通过X射线衍射(XRD)分析了样品的结构特征.测量了不同衬底位置样品的折射率,计算了堆积密度,发现样品折射率和堆积密度与溅射靶表面的环形过度氧化区域有关,位于溅射靶投影中心区域样品折射率为1.95,堆积密度高达97﹪,分析认为折射率和堆积密度分布与溅射气体中O原子和O<'->离子的不均匀分布有关.
20.准连续140w半导体激光器线阵列
- 安振峰
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：采用MOCVD折射率渐变量子阱外延材料,外延层挖槽隔离和铬金金属化工艺,腔面镀以增透和高反膜,研制出了1cm长线阵列,在准连续(QCW)条件下输出功率达140W,近场图形完好,远场图分布对称,在100W输出功率下可以实用.
21.1.3μm垂直腔面发射激光器的进展
- 吴惠桢;雷华平;陈意桥;齐鸣;李爱珍
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：论文综述了1.3μm垂直腔面发射激光器的研究现状,设计了适合与1.3μm垂直腔面发射激光器的多层膜反射镜,并用光荧光光谱分析了由GSMBE生长的、可用与1.3μm垂直腔面发射激光器有源层的InAsP/InGaAsP应变补偿量子阱结构的发光特性.
22.宽范围脉冲测量条件下半导体激光器的特性及热阻测量
- 张永刚;南矿军;何友军;李爱珍
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：本文介绍了基于宽范围脉冲测量条件下的半导体激光器热阻测量方案以及具有宽范围和大电流驱动能力、能覆盖从可见光至中红外波段的半导体激光器测量表征系统,并给出了具体测量实例.
23.带自调整恒流源的2.5Gb/s激光器调制驱动电路的研究
- 刘训春;张龙海;吴德馨;刘新宇;李无暇;袁志鹏;王润梅;刘宏民;罗明雄;王淑琴
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：本文报道了我们提出的一种带自调整恒流源的2.5Gb/s激光器调制驱动电路.它通过一个负反馈极强的电路控制预前级差分放大器的恒流源栅极电位,达到较稳定的电压输出,以保证足够大的逻辑摆幅去推动功率输出级,使之正常工作,从而,使整个电路有足够的电压增益并获得较大的峰峰电压(V<,pp>)输出.该电路很好地克服了因工艺涨落造成HEMT(或MESFET)器件阈值偏移及电阻阻值偏移所带来的输出电平V<,out>不翻转或幅度降低(输出驱动电流变小)的问题.已经在4英寸GaAs片上的对比试验中证实:带自调整恒流源的2.5Gb/s激光器调制驱动电路比常规电路的工艺宽容度大,成品率高.
24.直径4″InP单晶生长研究
- 孙聂枫;杨光耀;陈秉克;徐永强;曹立新;赵彦军;安国雨;齐志华;谢德良;刘二海;周晓龙;杨克武;赵正平;孙同年
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：InP单晶材料作为最重要的化合物半导体材料之一,由于其本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等许多高技术领域有广泛的应用.由于InP基的光电器件、微电子器件近些年发展十分迅速,所以各主要发达国家普遍加强了对大直径、高质量InP单晶材料研究的投入,以保证可靠的衬底来源.九十年代末美国、日本率先生长出4英寸InP单晶,而我国还停留在2-3英寸的水平上,为了与国际领先水平看齐我们也开展了4英寸InP单晶生长的研究.为进行更好的晶体生长工作得到优质的大尺寸InP单晶,对关系实验成败最关键因素的热场设计进行了专题实验研究.晶体直径一旦加大极易在晶体生长过程中出现孪晶,而且随着晶体直径的加大,位错密度也呈指数倍增加.所以为提高晶体质量,提高晶体成晶率,主要克服的是孪晶的出现和降低位错密度.通过对原有热场和生长工艺参数的改进,并探讨了避免大直径单晶生长易生成孪晶的机理,提出了避免<100>晶向晶体生长时孪晶出现的模型.通过多次试验,终于成功地在内径为129mm的坩埚中生长出100-104mm(4英寸)<111>、<100>晶向、整锭InP单晶.继而在内径为150mm的坩埚中重复生长出105-114mm大直径、低位错密度、无孪晶(少孪晶)的优质<100>晶向、整锭InP单晶材料.本工作的开展使我们在美、日后不久成为世界上第三个掌握4英寸InP单晶生长技术的国家,使我们单晶生长工艺达到了世界领先水平.我们有信心在不久的将来将4英寸高质量InP单晶成熟化,争取在未来的国际市场占有一席之地.
25.具有p-i-n结构的GaN基紫外探测器
- 谢雪松;吕长治;张小玲;李志国;肖葳;韩迎;吕晓亮;曾庆明
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：本文阐述了用MBE方法在蓝宝石衬底上制备的GaN基p-i-n多层结构,应用常规的半导体工艺制成紫外探测器件,并对其特性进行了研究,得出其正向导通电压为5.2V,反向击穿电压大于40V,反偏5V时的暗电流为0.127nA,以80W高压汞灯照射时反偏5V时明电流为6.739nA,明暗电流之比为53.06.
26.GaInAsSb红外探测器的硫钝化和退火研究
- 黄文奎;夏冠群;周萍;李志怀
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：暗电流和动态电阻是反映红外探测器性能的重要参数,材料表面的处理可以很大程度上改善探测器的性能.本文介绍了硫钝化和退火处理对于GaInAsSb红外探测器的暗电流特性的改善和动态电阻的提高.
27.(NH<,4>)<,2>S钝化对InGaAsSb PIN探测器暗电流特性的影响
- 张雄;李爱珍;林春;郑燕兰;许刚毅
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：本文研究了(NH<,4>)<,2>S钝化处理对MBE生长的InGaAsSb PIN探测器暗电流密度的影响,报道了一路改进的新的中性(NH<,4>)<,2>S钝化方法,器件的暗电流密度在0.5V的偏压下降了一个数量级.
28.GaInAsSb红外探测器的硫钝化机制研究
- 李志怀;夏冠群;程宗权;伍滨和;黄文奎
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：通过对(NH<,4>)<,2>S硫钝化后GaInAsSb样品的AES和XPS分析,S对减小器件表面复合速度、提高器件性能起主要作用.钝化后探测器的电学性能和探测率有较大提高,峰值探测率达到1.69×10<'10>cmH<,2><'1/2>/W.
29.平顶陡边光谱响应的谐振腔增强型(RCE)光电探测器的实验研究
- 杜云;钟源
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：本文报道了国内首次研制的具有平顶陡边光谱响应的谐振腔增强型(RCE)光电探测器的实验结果,其响应光谱所具有的明显的耦合腔效应证明了我们独立提出的器件结构的正确性和可行性.我们通过高精度可控腐蚀的方法精确控制腐蚀的厚度从而对第一个腔的模式波长进行调整.腐蚀后测量的结果与模拟得到的结果非常吻合,最后探测器得到了初步具有平顶陡边的光谱响应.
30.(100)磷化铟单晶生长及其性质的研究
- 赵有文;段满龙;孙文荣;杨子祥;焦景华;赵建群;董志远;曹慧梅;吕旭如;曾一平;李晋闽;林兰英
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：通过对磷化铟晶体中产生孪晶的机理和原因的研究分析,建立了一套适合(100)磷化铟单晶生长的热场系统,重复生长出掺硫和掺铁的整锭(100)磷化铟单晶.在此条件下生长的(100)磷化铟单晶具有低的位错密度和优异的电学均匀性.(100)磷化铟单晶生长的现象与Hurle关于孪晶形成机理的理论研究结果一致.
31.一种新型SOI MMI-MZI光开关结构
- 夏金松;余金中
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：提出了一种与传统SOI(silicon on insulator)MMI-MZI光开关结构完全不同的新型结构——完全基于封闭多模波导的MMI-MZI光开关.这种新型结构放弃了传统MZI开关器件中单模传输的要求,采用多模传输,解决了传统脊形单模波导带来的很多设计和制作工艺困难,比如脊形波导比较难以分析,波导刻蚀深度难以控制,器件长度过大,不利于集成等.结构的简化使光开关制作过程大大简化,工艺要求得到有效的降低.
32.强限制多模干涉耦合器的设计
- 王小龙;余金中
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：本文设计了一阵新型的多模干涉(MMI)耦合器,通过减小多模波导区衬底折射率,加强了对光场的限制,以激发更多的导模来提高映像质量.我们采用二维有限差分波束传播方法(2-D FDBPM)模拟了这种新型的结构,结果表明映像质量比传统结构有明显提高.
33.多模干涉耦合器光开关的设计考虑
- 陈少武;余金中
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：以多模干涉(MMI)耦合器为核心器件的硅基光开关是一种新颖的光开关结构,具有制作容差大,偏振不敏感,与标准CMOS工艺兼容等优点.为了使器件性能得到优化,必需充分考虑开关的结构设计,改善器件插入损耗,消光比,功耗和可集成性,同时应保证器件的制作成品率.
34.紫外写入法制作列阵波导光栅(AWG)的研究
- 吴远大;张乐天;邢华;李爱武;郑伟;刘国范;张玉书
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：本文提出了一种可能代替传统的利用反应离子刻蚀法(RIE)来制作列阵波导光栅(AWG)的新方法——紫外写入法.对紫外写入法制作AWG的可行性和优缺点进行了分析,设计了AWG版图,并对整个工艺流程进行了设计和优化.
35.碳化硅电子器件的基础问题
- 李效白
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：SiC材料可以制作高频高温高压大电流大功率抗辐射的器件,成为第三代最具代表性的半导体材料之一,本文综述了碳化硅电子材料与器件近些年来国内外的发展和它的基础问题.
36.用二维全带Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN MESFET的特性
- 郭宝增;宋登元
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：本文介绍用二维全带Monte Carlo方法模拟纤锌矿相GaN金属半导体场效应晶体管(MESFET)交直流特性的主要结果.衬底为n型纤锌矿相GaN,掺杂浓度为3×10<'17>cm<'-3>.为形成良好的欧姆接触,源漏区采用高掺杂.栅极为金属材料Au,Au与GaN形成肖特基接触.源漏区长度为0.4μm,栅极长度为0.1μm.通过模拟得到了漏极电流I<,d>与漏源电压的V<,ds>输出特性曲线.在V<,DS>=15V,V<,GS>=0V的条件下漏极电流I<,d> i为5.03A/cm,这是一个比较高的值.模拟还得到了跨导和电流截止频率与栅源电压的关系曲线.在V<,DS>=15V,V<,GS>=1.5V,的条件下,跨导出现最大值,最大值为112ms/mm.在V<,DS>=15V,V<,GS>=0V的条件下,电流截止频率f<,T>出现最大值,最大值为98GHZ.
37.AlGaN/GaN HEMT器件
- 肖冬萍;魏珂;王润梅
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：报道了AlGaN/GaN HEMT器件的制造工艺和器件的室温直流特性测试结果.器件的栅长为0.8μm,源漏间距为4μm,最大电流密度为25mA/mm,最大跨导为12mS/mm.
38.提高光刻分辨率的光刻技术
- 冯伯儒;张锦;宗德蓉;蒋世磊;苏平
- 《第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议》 | 2002年
摘要：本文简要论述提高光刻分辨率的几种所谓增强光刻技术,如相移掩模技术,离轴照明和光学邻近效应校正的基本原理和相关技术.