退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
徐静平; 苏绍斌; 邹晓;
华中科技大学电子科学与技术系;
应变硅锗; 金属-氧化物-半导体场效应晶体管; 阈值电压; 准二维模型;
机译:没有Si盖层的SiGe沟道pMOSFET的阈值电压模型
机译:硅锗(SiGe)衬底上带有应变硅(s-Si)沟道的短沟道双材料栅极(DMG)MOSFET阈值电压的分析模型
机译:高性能pMOSFET,具有高Ge分数应变的SiGe-异质结构沟道和通过选择B掺杂的SiGe CVD形成的超浅源极/漏极
机译:没有Si覆盖层的SiGe沟道pMOSFET的阈值电压模型
机译:应变硅锗沟道PMOSFET的开发可集成到现有的硅锗HBT技术中。
机译:使用光反应性界面层通过局部沟道掺杂来调节有机薄膜晶体管的阈值电压
机译:使用X射线散射测量数据,模型独立地确定siGe / si超晶格的应变分布
机译:在应变SiGe上具有应变硅沟道的沟道MOSFET
机译:在NMOS沟道上具有应变SiGe鳍和应变Si覆层的CMOS FinFET器件
机译:在混合取向衬底上具有多个阈值电压的沟道SiGe器件及其制造方法
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。