单轴应变Si NMOS电流模型研究

摘要

应变Si技术是目前延续摩尔定理,推动集成电路高速发展的重要技术,本文从单轴应变Si技术提升器件结构出发,基于基本的器件物理方程,建立单轴应变Si器件电流-电压模型,该模型充分考虑了应力等因素对阈值电压和电流的影响,仿真结果表明仿真结果与试验结果一致。