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机译:γ射线辐射对单轴应变Si纳米尺度NMOSFET的通道电流的影响
Minru Hao; Huiyong Hu; Chenguang Liao; Bin Wang;
机译:伽马射线辐射对单轴应变Si纳米NMOSFET沟道电流的影响
机译:γ射线总剂量辐射效应对单轴应变硅纳米级NMOSFET热载流子栅极电流的影响
机译:γ射线总剂量辐射效应对单轴应变Si纳米NMOSFET电性能的影响研究
机译:单轴应变Si纳米尺度NMOSFET衬底热载流子的总剂量辐射响应
机译:将电子热注入单轴应变硅中。
机译:氟化HfO2 / SiON栅堆叠的单轴应变nMOSFET的电学特性
机译:单轴拉伸应累积 - 模式门 - 全部围绕Si纳米线NMOSFET
机译:金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和结型场效应晶体管(JFET)的组合,可用于通过改变流经MOSFET半导体沟道区(SCR)的电流来调制电流电压响应或减轻电磁或辐射干扰效应
机译:结合使用金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和结型场效应晶体管(JFET),可通过改变流经MOSFET的电流来调节电流电压响应或减轻电磁干扰或辐射干扰效应
机译:使用多个和不同的半导体通道区域生成结构来控制电流或减轻电磁或辐射干扰效应
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