机译:具有中心电荷的渐变沟道双材料双栅极应变Si MOSFET的基于中心电势的阈值电压模型
NIT Warangal Dept ECE Warangal 506004 Telangana India;
Center potential; Hot-carrier effects; Natural length; Short-channel effects; Strained Si; Threshold voltage;
机译:具有界面电荷的应变-SI分级沟道双栅极双栅MOSFET的模拟/射频性能
机译:渐变通道双材料双栅极MOSFET阈值电压的二维分析建模
机译:短通道双材料双栅极SON MOSFET的反型电荷和阈值电压的量子分析模型
机译:完全耗尽的对称双栅极(DG)应变Si MOSFET的分析表面电势模型,包括界面电荷的影响
机译:用于低压集成电路应用的双栅CMOS设计和分析,包括绝缘体上硅MOSFET的物理建模。
机译:面向低电压低能耗的超薄绝缘体上硅MOSFET低频噪声行为的经验和理论模型
机译:均匀掺杂的短沟道对称双栅(DG)MOSFET的掺杂相关阈值电压模型