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韩名君; 代广珍; 倪天明;
安徽工程大学高端装备先进感知与智能控制教育部重点实验室 241000 安徽芜湖;
FinFET; 半解析法; 三维模型; 阈值电压; 量子效应;
机译:基于物理的3D电位和阈值电压模型用于具有界面陷阱电荷的未掺杂三栅极FinFET
机译:具有中心电荷的渐变沟道双材料双栅极应变Si MOSFET的基于中心电势的阈值电压模型
机译:氮化镓栅极FinFET的特性和阈值电压模型
机译:基于GaN的无异质结常关FinFET的阈值电压模型
机译:FinFET亚阈值行为的研究。
机译:基于半解析法的弹性梯度地基功能梯度夹心矩形板的三维振动分析
机译:使用3D泊松方程的解析解的全耗尽窄通道SOI MOSFET的表面电势和阈值电压模型
机译:基于人工压缩性的跨声速准三维流动的全电势解
机译:具有亚阈值操作电路的半导体器件,该亚阈值操作电路包括基于温度范围的后体偏置电势
机译:用于控制输入电势的并联控制器,具有控制单元,其根据输入电势和/或阈值的预设值来设置流经电压降电路的电流或阈值
机译:非对称双栅场效应晶体管的阈值电压模型
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