机译:渐变通道双材料双栅极MOSFET阈值电压的二维分析建模
Double-gate (DG); dual-material; graded-channel (GC); hot-carrier effects (HCEs); short-channel effects (SCEs); short-channel effects (SCEs).;
机译:具有中心电荷的渐变沟道双材料双栅极应变Si MOSFET的基于中心电势的阈值电压模型
机译:二维(2D)分析建模和改进的分级通道栅极堆叠(GCGS)双材料双栅极(DMDG)MOSFET的简短信道性能
机译:短通道双材料双栅极SON MOSFET的反型电荷和阈值电压的量子分析模型
机译:梯度沟道SOI MOSFET阈值电压的二维分析模型
机译:用于低压集成电路应用的双栅CMOS设计和分析,包括绝缘体上硅MOSFET的物理建模。
机译:首要原理的砷和锑双栅极MOSFET的性能
机译:具有pearson-IV型掺杂分布的双材料双栅全耗尽sOI mOsFET的分析表征