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机译:高Ge含量应变SiGe(110)P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中的单轴应力效应和空穴迁移率
Department of Electrical Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 402, Taiwan;
Institute of Electro-Optical Science and Technology, National Taiwan Normal University, Taipei 116, Taiwan;
Department of Physics, National Chung Hsing University, Taichung 402, Taiwan;
Department of Physics, National Chung Hsing University, Taichung 402, Taiwan;
Department of Physics, National Chung Hsing University, Taichung 402, Taiwan;
Department of Electrical Engineering, National Chung Hsing University, Taichung 402, Taiwan;
Mobility; SiGe; Split capacitance-voltage; Strain; Subband;
机译:单轴应变P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管中空穴迁移率的温度依赖性及其物理机制的研究
机译:Ge凝结技术制备的(110)取向绝缘体上Ge沟道p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的沟道方向,有效场和空穴迁移率的温度依赖性
机译:具有高有效空穴迁移率的应变锗锡(GeSn)P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:热电子和热空穴的相互作用对P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的降解
机译:辐射下单轴应力对硅二极管和金属氧化物半导体场效应晶体管的影响。
机译:基于极化诱导的二维空穴气的P沟道InGaN / GaN异质结构金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:具有有效空穴迁移率的应变锗锡(GeSn)P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:G沟道,电子辐射和质子辐射暴露于p沟道,增强,金属氧化物半导体,场效应晶体管