公开/公告号CN105895532B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-11-16
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN201610416021.0
申请日2016-06-14
分类号H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101);H01L21/28(20060101);H01L29/423(20060101);
代理机构61230 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人刘长春
地址 710000 陕西省西安市太白南路2号西安电子科技大学
入库时间 2022-08-23 10:20:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-16
授权
授权
2016-09-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20160614
实质审查的生效
2016-09-21
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20160614
实质审查的生效
2016-08-24
公开
公开
2016-08-24
公开
公开
机译: 形成具有对齐的(100)NMOS和(110)PMOS FinFET侧壁沟道的集成电路的方法
机译: FinFET pMOS双栅半导体器件,具有通过可收缩的栅电极材料施加到沟道的单轴拉伸应变,<110>晶体取向的电流以及具有沟道的源极和漏极肖特基接触及其制造方法
机译: 包括至少两个相邻NMOS器件的集成电路-具有隔离沟道区,该隔离沟道区形成在公共衬底上的器件之间,该隔离沟道区被配置为减小连续NMOS器件之间的寄生效应