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倪明刚; 韩乐福;
中国电子科技集团公司第二十研究所质量部 陕西西安 710068;
西安市集成电路产业发展中心 陕西西安 710075;
应变Si; NMOS; 沟道;
机译:晶面和小型单轴应变Si NMOS沟道取向的实验和理论迁移率排序的新研究
机译:同时考虑寄生BJT和表面MOS沟道的碰撞电离的PD SOI NMOS器件的闭合形式击穿电压模型
机译:具有高k栅叠层的短沟道nMOS器件在交流应力下的沟道热载流子退化
机译:Si / SiO2界面应变引起的NMOS反型沟道电子迁移率变化的研究
机译:用于硅基MOS器件的新型沟道材料:锗,应变硅和混合晶体取向。
机译:Si / SiO2 / ZnO压电结构中多频表面声波器件的实验和理论研究
机译:应变siGe沟道mOsFET中的空穴传输:缩放器件中的速度和应用机械应变下的迁移率
机译:NmOs(N沟道金属氧化物半导体)VLsI(超大规模集成)技术中所选常规结构的比较
机译:在NMOS沟道上具有应变SiGe鳍和应变Si覆层的CMOS FinFET器件
机译:包括至少两个相邻NMOS器件的集成电路-具有隔离沟道区,该隔离沟道区形成在公共衬底上的器件之间,该隔离沟道区被配置为减小连续NMOS器件之间的寄生效应
机译:具有包括Si:C沟道区域的NMOS和/或包括SiGe沟道区域的PMOS的半导体器件
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