沟道

摘要： 随着物联网的发展,智慧城市的不断推进,地下电网作为城市供能的重要生命线,其安全性的重要地位越来越凸显,文章以地下电缆的特性和灾害特点为切入点,总结出一些有针对性的灭火救援战术方法。

摘要： 基于四点接触球轴承桃形沟沟道与球的位置关系,提出了一种沟道参数间接测量方法,解决了桃形沟沟曲率半径和沟曲率中心偏心距的测量问题,利用SolidWorks的尺寸驱动功能对上述方法进行了反向验算,结果具有较高的准确度。

摘要： 基于Van Genuchten模型测定土壤水动力学参数,采用定点监测方法,在沟道中不同位置以及对照坡面进行土壤水分观测,分析了延安市典型治沟造地项目沟道造地土壤水分的时空变异特征,阐明治沟造地工程对沟道土壤水分的影响。结果表明:(1)土壤水力学参数在沟道土层深度为40 cm附近发生了显著改变,0~40 cm土层土壤容重1.12~1.25 g·cm^(-3),导水率达到40 mm·min-1以上,入渗能力强,同时饱和含水率较大,40 cm以下土层土壤容重在1.5 g·cm^(-3)左右,导水率在1.25~1.41 mm·min-1之间,入渗速率明显减小;(2)沟道土壤水分显著大于对照坡面,其季节变化稍滞后于降水的季节变化,整个生长季在15.76%~21.91%间波动,高出对照坡面5%左右,垂直分布随土层深度的增加而增加,表层最低,为15.07%,160 cm土层最高,为22.84%,深层土壤含水量优势更加显著;沟道土壤水分变异系数在0.131~0.234之间,相比较坡面,沟道表层以下土壤水分存在较强的空间异质性,100 cm以下土层变异系数在0.2左右,土壤水分变化活跃;(3)沟口土壤含水量显著高于沟头,土层深度40 cm以下的土壤含水量长期达到甚至超过田间持水量。通过治沟造地工程水分综合调控体系,沟道能够为作物生长提供水分充足的生境条件,提高水资源利用效率的同时改善农业生态环境。

摘要： 为了解决激光干扰电荷耦合光电探测器时饱和面积与激光功率关系曲线不符合传统"水桶"模型预测规律的问题,利用激光干扰电荷耦合光电探测器饱和面积随激光功率增加的非线性模型,提出非线性主要产生于两方面:由光注入产生的光生载流子由于电子空穴对的复合导致载流子浓度呈非线性增长;电荷耦合光电探测器的沟道结构导致一些高于势阱存储容量的电子未被势阱吸收而被泄露,从而造成干扰的非线性.取得了连续激光辐照电荷耦合器件干扰实验数据,并利用非线性模型对实验数据进行了拟合.结果表明,473nm,532nm,632.8nm和1064nm激光干扰电荷耦合器件实验数据与拟合数据平均相对误差分别为7％,5％,5％和7％,说明了所提出的非线性模型在描述激光辐照电荷耦合器件干扰规律时是有效的.该研究有助于为激光干扰电荷耦合器件实验提供理论指导和预测.

摘要： 沟道侵蚀是土地退化最严重的表现形式,东北黑土区是中国除黄土高原外沟道侵蚀最为严重的区域,沟道侵蚀严重威胁东北区域农业生产和生态环境.该研究基于多年的研究积累,结合国家侵蚀沟治理专项调查和国家重点研发计划项目研究成果以及已有文献,系统总结归纳了东北黑土区沟道侵蚀特征、发展演变趋势及其危害;梳理出现有侵蚀沟治理措施的成功经验及失败教训,凝练提出区域侵蚀沟防治目标及4种主要侵蚀沟治理模式,并给出了适用范围及条件;同时提出了新时代东北黑土区侵蚀沟防治对策建议.该研究为区域现代农业发展和生态文明建设决策以及沟道侵蚀治理工程的实施提供了科技支撑.

摘要： 挖掘式装载机在不同的工作状态和路面条件下,各个主要部件的质心位置、受力等状态都会不同。挖掘式装载机的工作环境较为恶劣复杂,在该环境下一般会出现台阶、沟壑等路面情况。所以根据挖掘式装载机仿真的技术要求,结合在实际工作中存在的工况,对几种工况进行仿真分析。具体内容包括挖掘式装载机的台阶、沟壑以及摆臂等动力学仿真。

摘要： 轴承沟道表面缺陷具有细节丰富但特征不突出的特点,传统的特征提取方法进行缺陷分类时存在建模困难、分类准确率低的弊端,因此使用改进残差网络(ResNet)实现轴承沟道表面缺陷的高精度分类.以卷积神经网络为基础模型架构,使用残差块作为主要特征计算方法,在深层网络中融入Inception模块进行特征降维和拼接以获取更多的图像细节特征;同时,在特征计算中引入批量标准化(BN)进行数据正则化处理以加速模型收敛.对轴承沟道表面缺陷数据集的测试结果表明,改进ResNet模型比经典的LeNet5模型和ResNet模型精度更高且收敛性更好,准确率可达到98.84％,能够满足实际需要.

摘要： 依据电参数指标和实测的输出特性曲线,利用Silvaco-TCAD半导体器件仿真软件对水平沟道恒流二极管输出特性和结构参数进行研究.为了改善常规恒流二极管的恒流值(IH)、夹断电压(VP)、阻断电压(VR)、恒流值高低温变化率对沟道结构参数要求的矛盾关系,提出了一种新型的非均匀沟道掺杂的恒流二极管器件结构,并对新型结构的沟道结构参数进行了优化.研究表明:对于常规恒流二极管,采用掺杂浓度较高且宽度较窄的沟道结构,虽然有利于降低恒流二极管恒流值高低温变化率,但器件阻断电压很难满足指标要求.提出的新型非均匀掺杂沟道结构能够优化沟道内及沟道边缘电场分布,较低的沟道顶部掺杂浓度降低了沟道顶部峰值电场强度,显著增大了恒流二极管阻断电压.在较窄沟道条件下,较高的沟道底部掺杂浓度使得恒流值满足指标要求,并显著降低了恒流值高低温变化率.

摘要： 挖掘式装载机在不同的工作状态和路面条件下,各个主要部件的质心位置、受力等状态都会不同.挖掘式装载机的工作环境较为恶劣复杂,在该环境下一般会出现台阶、沟壑等路面情况.所以根据挖掘式装载机仿真的技术要求,结合在实际工作中存在的工况,对几种工况进行仿真分析.具体内容包括挖掘式装载机的台阶、沟壑以及摆臂等动力学仿真.

摘要： 针对缺少沟道交叉及设计内容等方面研究的情况,介绍了沟道敷设的优点,简述了沟道的分类,并从沟道与道路的交叉、沟道之间的交叉、沟道深度、沟道标高的过渡方式等方面详细地叙述了火力发电厂内沟道设计的基本思路和原则,最后概括地介绍了沟道设计所包含的主要内容.

摘要： 利用庆阳市西峰区的DEM数据、Quickbird资料和GIS软件对西峰区沟道特征进行分析获得雨洪资源计算所需的沟道属性,选取暴雨频率为1％～99％的情况,进行沟道雨洪特征分析.采取典型年法和单次暴雨分析法将暴雨频率与降水频率统一,计算出典型年的雨洪总量和单次降水的洪峰流量,得到降雨频率P=25％雨洪资源可利用量为3970.47万m3,P=50％时为3842.82万m3,P=75％时为1641.52万m3,P=95％时为2008.87万m3.将西峰区内的沟道按照地理位置属性划分至沟道所属乡镇中,计算出不同降水保证率、不同乡镇的沟道雨洪资源可收集利用量,得到沟道雨洪资源量排名前3的乡镇为:什社、董志和后官寨.结果表明,西峰区不同降水保证率沟道雨洪资源量的基本趋势为高保证率雨洪资源量少,低保证率雨洪资源量大,与降水保证率总体趋势相一致,但是洪水频率跟降雨频率并不同步,在干旱年降水频率低时,洪水频率有可能较大,因此干旱年份对雨洪资源的利用就显得尤为重要.

摘要： 利用遥感、地理信息技术和数理统计方法,选择山西省吕梁市王家沟流域为典型区域,系统分析了典型黄土高原丘陵沟壑区沟道侵蚀特征.研究结果表明:在王家沟流域内共有沟道718条,其中冲沟109条,切沟286条,干沟302条及河沟21条.这四类沟道的发育特征和空间分布特征存在巨大差异;沟道侵蚀是王家沟流域内土壤侵蚀的主要形式,沟道侵蚀面积占总侵蚀面积的56.19％;流域内不同坡度范围内土壤侵蚀强度与沟道类型存在紧密联系.同时,人为因素也对黄土高原丘陵沟壑区的沟道侵蚀具有重要的影响.

摘要： 延安市地处黄土高原丘陵沟壑区,其沟道土地资源十分丰富,开发利用潜力大,但相对于一般性土地整理,其整治难度与风险较大,目前有关丘陵区沟道土地整治限制和适宜性研究相对较少.本文以延安丘陵沟壑区的沟道为基本单元,评价分析沟道土地整治的有利条件和限制因素,从沟道自然条件、用地现状和整治迫切度等3个方面,构建沟道土地整治适宜性评价指标体系.在ARCGIS软件平台支持下,采用熵权法确定了指标权重,并计算了延安市沟道土地整治适宜性分值.根据评价结果,将土地适宜程度划分为4个等级区,分析了各适宜等级区沟道土地开发利用状况及适宜性特征,提出了有效推进沟道土地整治,保障土地可持续利用的对策建议。

摘要： 本发明公开了一种n沟道和p沟道增强型GaN器件集成结构的制备方法，包括：洁净衬底上进行高阻缓冲层、n沟道层、势垒层、p沟道层、插入层、p沟阈值调制层、p沟栅流抑制层的制作；n沟阈值调制层和n沟栅流抑制层再生长掩模的制作；n沟阈值调制层和n沟栅流抑制层制作；p沟器件欧姆接触金属的制作；n沟器件欧姆接触金属的制作；器件隔离区域制作；表面钝化层制作；n沟道器件和p沟道器件栅接触的制作；n沟道器件和p沟道器件欧姆接触压块的制作。本发明基于JFET GaN器件结构和能带理论，实现n沟道和p沟道增强型GaN器件的集成，可有效降低GaN数字集成电路功耗，结构及工艺兼容性高，器件阈值电压均匀性高、稳定性高。

摘要： 公开了一种用于在相同管芯上形成Ge/SiGe沟道和III‑V族沟道晶体管的技术。该技术包括在Si或绝缘体衬底上沉积Ge/SiGe或III‑V族材料的伪衬底。然后可以将伪衬底图案化成鳍状部，并且鳍状部的子集可以被Ge/SiGe或III‑V族材料中的另一种材料替换。例如，Ge/SiGe鳍状部可以用于p‑MOS晶体管，并且III‑V族材料鳍状部可以用于n‑MOS晶体管，并且两组鳍状部都可以用于CMOS器件。在一些实例中，在例如替换栅极工艺期间仅替换鳍状部的子集的沟道区。在一些实例中，一些或所有鳍状部可以形成为一个或多个纳米线或纳米带或者被一个或多个纳米线或纳米带替换。

摘要： 本发明提出了一种基于P沟道和N沟道MOSFET管的PWM功率放大电路，不需要泵升电路来进行桥式电路上桥臂的导通，电路输出能够恒保持为高电平。本发明电路构造简单，对栅极驱动模块要求低，不需要泵升电路来进行桥式电路上桥臂的导通；电路输出可恒保持为高电平。

摘要： 本发明涉及一种用于对交通区进行排水的排水沟道的沟道本体，所述沟道本体尤其由聚合物混凝土或水泥混凝土制成，所述交通区尤其是停车平台、停车库和/或停车楼，所述沟道本体包括沟道底部(11)以及两个相对置的侧壁(12)，其中侧壁(12)具有可见接片(13)，所述可见接片沿着沟道本体(10)的纵向方向延伸。本发明的特征还在于，用于表面覆层的覆层面(14)分别紧邻于可见接片(13)并且通过阶梯(15)从可见接片(13)缩进，其中覆层面(14)沿着沟道本体(10)的纵向方向连续延伸。

摘要： 本发明涉及一种沟道型平面波导放大器制备方法及沟道型平面波导放大器，该沟道型平面波导制备方法通过利用预设好沟道结构的光刻掩膜版对光学基片上旋涂的光刻胶进行曝光和显影，得到显影有沟道结构的光学基片，再利用刻蚀气体产生的等离子体在光学基片上按照显影后的沟道结构刻蚀多个沟道，最终，将选用的掺杂稀土的硫系材料利用熔融‑淬火法凝聚在刻蚀有沟道的光学基片上，形成位于光学基片表面上的硫系薄膜；并且，将选用的所述掺杂稀土的硫系材料利用熔融‑淬火法凝聚在光学基片的沟道内，避免了对掺杂的稀土材料的刻蚀，而且确保了掺杂的稀土材料在凝聚过程中不会丧失活性，从而得到所要制备的高质量的平面波导放大器。

摘要： 一种增强型N沟道和P沟道GaN器件集成结构，包括衬底，在衬底上依次设铝氮成核层、铝氮镓缓冲层、氮化镓沟道层和铝镓氮势垒层，铝镓氮势垒层和氮化镓沟道层被隔离层分割；隔离层一侧设有P沟道器件，包括第一P型氮化镓层，在第一P型氮化镓层上依次设第一氮化镓隔离层和第一P

摘要： 本发明通过实施例公开了一种SiGe锗化硅沟道构造方法、沟道结构及半导体器件；在SiGe沉积之前，通过离子注入工艺向PMOS区域注入氮离子，由于氮离子具有抑制Si氧化的作用，减小了边缘氧化物的生成，也抑制了“鸟嘴”结构的增大，同时增大了FDSOI的工艺窗口。

摘要： 本发明涉及轴承领域，具体公开了一种用于超大沟道曲率滚子轴承的沟道加工偏移量检测方法。该沟道加工偏移量检测方法包括以下步骤：根据设计参数，获取轴承沟道的曲率半径，记为R；以沟道的轴向中心为测量点，采用沟径表测量沟道的回转直径，记为D1；设定测量深度值H；分别以沟道轴向的两个端部为起点，向内以H深度，选取采样点，记为左侧采样点和右侧采样点；采用沟径表，在左侧采样点测量沟道的回转直径，记为D2；在右侧采样点测量沟道的回转直径，记为D3；根据理论计算获得沟道的加工偏移量Xe。以上所述的沟道加工偏移量检测方法采用直接测量与理论计算结合的形式，对沟道位置误差进行有效评估。

摘要： 本发明公开了一种在柔性薄膜表面构建沟道阵列的方法、带有沟道阵列的柔性薄膜及其应用，所述在柔性薄膜表面构建沟道阵列的方法包括步骤：取带有沟道阵列的模板，通过热压印将模板上的沟道阵列复制到待处理的柔性薄膜表面，从而在柔性薄膜表面构建沟道阵列。本发明采用热压印技术将模板上的沟道阵列复制到柔性薄膜上，柔性薄膜易于从模板上剥离，不易发生破损或撕裂，柔性薄膜上得到的沟道阵列清晰、完整、精度可到纳米级，适用范围广，实用性高。

摘要： 本实用新型公开一种N沟道和P沟道逻辑电平场效应管及封装组件，通过对现有的逻辑电平电路进行封装，即对功能模块前涉及的N沟道场效应管和P沟道场效应管所组成的逻辑电平电路进行装配为芯片，使其高密度集成化，即保证了逻辑电平电路在模块化服务器上的所占用面积的缩小，又保证了功能模块在管理模块重上电时的正常运行，避免了电路板走线空间和接口空间的浪费的问题，同时集成的逻辑电平场效应管简化了生产流程，避免了不必要的生产安装流程增加的情况。