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【2h】

Hole transport in strained SiGe-channel MOSFETs : velocity in scaled devices and mobility under applied mechanical strain

机译：应变siGe沟道mOsFET中的空穴传输：缩放器件中的速度和应用机械应变下的迁移率

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作者
Gomez Leonardo Ph. D. Massachusetts Institute of Technology;
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年度 2010
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1. Thickness Dependence of Hole Mobility in Ultrathin SiGe-Channel p-MOSFETs [J] . Chleirigh C.N., Theodore N.D., Fukuyama H., IEEE Transactions on Electron Devices . 2008,第10期

机译：超薄SiGe沟道p-MOSFET中空穴迁移率的厚度依赖性
2. Experimental Investigation of Hole Transport in Strained $hbox{Si}_{1 - x}hbox{Ge}_{x}/hbox{SOI}$ pMOSFETs: Part II—Mobility and High-Field Transport in Nanoscaled PMOS [J] . Casse M., Hutin L., Le Royer C., Electron Devices, IEEE Transactions on . 2012,第3期

机译：应变$ hbox {Si} _ {1-x} hbox {Ge} _ {x} / hbox {SOI} $ pMOSFET中空穴传输的实验研究：第二部分-纳米级PMOS中的迁移率和高场传输
3. High Hole-Mobility Strained- P-MOSFETs With High-K/Metal Gate: Role of Strained-Si Cap Thickness [J] . Hashemi P., Hoyt J. L. Electron Device Letters, IEEE . 2012,第2期

机译：具有高K /金属栅极的高空穴迁移率应变P-MOSFET：应变硅电容厚度的作用
4. Hole Mobility Enhancement Modeling and Scaling Study for High Performance Strained Ge Buried Channel PMOSFETs [C] . Xinlin Wang, Huiling Shang, Phil Oldiges, International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices(SISPAD 2004); 20040902-04; Munich(DE) . 2004

机译：高性能应变锗埋沟道PMOSFET的空穴迁移率增强建模和缩放研究
5. Strain effects on the valence band of silicon: Piezoresistance in p-type silicon and mobility enhancement in strained siliconpMOSFET. [D] . Wu, Kehuey. 2004

机译：应变对硅价带的影响：p型硅的压阻和应变硅pMOSFET的迁移率提高。
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机译：通过外部单轴应力提高迁移率的SOI上的应变锗量子阱PMOSFET
7. Strained SiGe-channel p-MOSFETs : impact of heterostructure design and process technology [O] . Ní Chléirigh Cáit 2007

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