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史进; 黄文涛; 陈培毅;
清华大学微电子学研究所;
NMOS; 晶体管; 应变; 迁移率; 锗化硅; 硅沟道;
机译:具有U形沟道的高性能Ge / Si_0.5Ge_0.5 / Si异质结双源隧穿晶体管
机译:应变Si / SiGe多异质结电容器的C–V表征作为异质结MOSFET沟道设计的工具
机译:围绕纳米线晶体管的弹道栅极的新型源极异质结应变沟道结构
机译:高性能,低于20nm,应变Si和Si_x Ge_(1-x),异质结构,中心沟道(CC)NMOS和PMOS DGFET
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:nc-Si:H / c-Si异质结磁敏晶体管的制造技术和特性
机译:Si金属氧化物半导体场效应晶体管中源到沟道异质结势垒导致的弹道效率提高
机译:InxGa1-xsb沟道p-金属氧化物半导体场效应晶体管:应变和异质结构设计的影响
机译:在NMOS沟道上具有应变SiGe鳍和应变Si覆层的CMOS FinFET器件
机译:具有应力沟道NMOS晶体管和应变沟道PMOS晶体管的CMOS器件的形成方法
机译:应变沟道异质结场效应晶体管的高位源极和漏极元件
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