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杨沛锋; 李开成; 何林; 刘道广; 张静; 李竞春; 谢孟贤; 杨谟华;
电子科技大学微电子科学与工程系;
模拟集成电路国家重点试验室;
锗硅材料; 分子束外延; 异质结双极晶体管; 优化设计;
机译:SiGe异质结双极晶体管的多晶Si / SiGe / Si非本征基上的自对准Ti锗硅化物形成
机译:SiGe / Si异质结双极晶体管的性能对Ge含量和SiGe中Ge含量的影响
机译:SiGe中的氧含量对Si / SiGe异质结双极晶体管的参数的影响
机译:npn SiGe / Si异质结双极晶体管的SiGe基极区中少数电子迁移率的测量
机译:Si和SiGe / Si异质结构在热壁管状低压化学气相沉积系统中的选择性外延生长。
机译:低温(13.56 MHz)等离子体放电沉积的SiGe:H合金中使用H稀释终止Si和Ge原子的研究
机译:高速siGe / si异质结双极晶体管的长期可靠性
机译:具有单晶SiGe本征基极以及多晶SiGe和Si非本征基极区的异质结双极晶体管
机译:高增益Si / SiGe MIS异质结双极晶体管
机译:利用先进的外延沉积技术的Si / SiGe异质结双极晶体管及其制造方法
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