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Security of Distributed Control Systems, 2005
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1.
Visible and infrared electroluminescence from Er-doped GaN Schottkydiodes
机译:
掺Er的GaN肖特基二极管的可见和红外电致发光
作者:
Steckl A.J.
;
Garter M.
;
Birkhahn R.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
2.
High-speed quantum-dot resonant-cavity SACM avalanche photodiodesoperating at 1.06 μm
机译:
高速量子点谐振腔SACM雪崩光电二极管工作于1.06μm
作者:
Yuan P.
;
Baklenov O.
;
Nie H.
;
Holmes A.L.
;
Streetman B.G.
;
Campbell J.C.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
3.
Narrow channel MOSFET memory based on silicon nanocrystals andcharge storage characteristics
机译:
基于硅纳米晶体的窄通道MOSFET存储和电荷存储特性
作者:
Shi Y.
;
Yuan X.L.
;
Gu S.L.
;
Zhang R.
;
Zheng Y.D.
;
Saito K.
;
Ishikuro H.
;
Hiramoto T.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
4.
Progress in SiC and GaN microwave devices fabricated onsemi-insulating 4H-SiC substrates
机译:
在半绝缘4H-SiC衬底上制造SiC和GaN微波器件的研究进展
作者:
Palmour J.W.
;
Allen S.T.
;
Sheppard S.T.
;
Pribble W.L.
;
Sadler R.A.
;
Alcorn T.S.
;
Ring Z.
;
Carter C.H. Jr.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
5.
High temperature, high current, p-channel UMOS 4H-SiC IGBT
机译:
高温,大电流,p沟道UMOS 4H-SiC IGBT
作者:
Singh R.
;
Sei-Hyung Ryu
;
Palmour J.W.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
6.
Design and demonstration of C-band static induction transistors in4H silicon carbide
机译:
4H碳化硅C波段静电感应晶体管的设计与演示
作者:
Henning J.P.
;
Przadka A.
;
Melloch M.R.
;
Cooper J.A. Jr.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
7.
GaN HEMTs grown on sapphire substrates for microwave poweramplification
机译:
在蓝宝石衬底上生长的GaN HEMT用于微波功率放大
作者:
Wu Y.-F.
;
Thibeault B.J.
;
Xu J.J.
;
York R.A.
;
Keller S.
;
Keller B.P.
;
Mishra U.K.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
8.
GaSb/InSb/AlGaAsSb heterostructures grown on LiNbO
3
substrates and their application to highly efficient surface acousticwave convolver
机译:
LiNbO
3 sub>衬底上生长的GaSb / InSb / AlGaAsSb异质结构及其在高效声表面波卷积器中的应用
作者:
Kuze N.
;
Goto H.
;
Kanno Y.
;
Tsunashima M.
;
Yamagata Y.
;
Yamanouchi K.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
9.
First vertical PNP bipolar transistor structure on diamond
机译:
钻石上的第一个垂直PNP双极晶体管结构
作者:
Aleksov A.
;
Denisenko A.
;
Kohn E.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
10.
A nanoscale ohmic contact for nanoelectronic devices
机译:
用于纳米电子器件的纳米级欧姆接触
作者:
Janes D.B.
;
Andres R.P.
;
Chen E.-H.
;
Chen N.-P.
;
Reifenberger R.
;
Lee T.
;
Jia Liu
;
Melloch M.R.
;
Ueng H.J.
;
Woodall J.M.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
11.
Straddle gate transistors: high I
on
/I
off
transistors at short gate lengths
机译:
跨栅晶体管:栅极长度短的高I
on sub> / I
off sub>晶体管
作者:
Tiwari S.
;
Welser J.J.
;
Kumar A.
;
Cohen S.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
12.
A bulk-Si-compatible ultrathin-body SOI technology for sub-100 nmMOSFETs
机译:
低于100 nm MOSFET的体硅兼容超薄体SOI技术
作者:
Subramanian V.
;
Kedzierski J.
;
Lindert N.
;
Tam H.
;
Su Y.
;
McHale J.
;
Cao K.
;
King T.-J.
;
Bokor J.
;
Hu C.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
13.
High suppression of the short-channel effect in ultrathin SOIn-MOSFETs
机译:
超薄SOIn-MOSFET中对短沟道效应的高度抑制
作者:
Suzuki E.
;
Ishii K.
;
Kanemaru S.
;
Maeda T.
;
Sekigawa T.
;
Nagai K.
;
Tsutsumi T.
;
Hiroshima H.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
14.
Biomolecular electronic devices with Photosystem I reaction centers
机译:
具有Photosystem I反应中心的生物分子电子设备
作者:
Lee I.
;
Lee J.
;
Greenbaum E.
;
Simpson M.
;
Guillorn M.
;
Lowndes D.
;
Eres G.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
15.
Micromachined pressure sensors withAl
x
Ga
1-x
As/GaAs- and InAs/AlSb/GaSb-resonanttunneling diodes
机译:
具有Al
x sub> Ga
1-x sub> As / GaAs-和InAs / AlSb / GaSb谐振隧道二极管的微机械压力传感器
作者:
Mutamba K.
;
Sigurdardottir A.
;
Vogt A.
;
Pfeiffer J.
;
Behner U.
;
Di Carlo A.
;
Hartnagel H.L.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
16.
A novel lateral n-i-p-i structure heterojunction quantum wiretransistor
机译:
新型横向n-i-p-i结构异质结量子线晶体管
作者:
Yoh K.
;
Takabayashi S.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
17.
Ultra-shallow junction technology by atomic layer doping fromarsenic adsorbed layer
机译:
从砷吸附层掺杂原子层的超浅结技术
作者:
Song Y.H.
;
Bea J.C.
;
Oonishi M.
;
Honda T.
;
Kurino H.
;
Koyanagi M.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
18.
Silicon quantum dots in a MOSFET structure: level structure
机译:
MOSFET结构中的硅量子点:能级结构
作者:
Khoury M.
;
Gunther A.
;
Rack M.J.
;
Pivin D.P. R.
;
Ferry D.K.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
19.
Direct observation of hot electrons in Si-MOSFETs
机译:
直接观察Si-MOSFET中的热电子
作者:
Sakamoto T.
;
Kawaura H.
;
Iizuka T.
;
Baba T.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
20.
Twin-grain Si thin-film transistors produced by single-shotirradiation of excimer-laser light
机译:
准分子激光单次辐照产生的双晶硅薄膜晶体管
作者:
Chang-Ho Oh
;
Matsumura M.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
21.
Epitaxially-stacked multiple-active-region 1.55 μm CW lasers forincreased differential efficiency
机译:
外延堆叠的多个有源区1.55μmCW激光器可提高差分效率
作者:
Kim J.K.
;
Hall E.
;
Sjolund O.
;
Coldren L.A.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
22.
Progress in molecular scale devices and circuits
机译:
分子规模器件和电路的进展
作者:
Reed M.A.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
23.
Organic transistors with low operating voltage and high mobility
机译:
低工作电压和高迁移率的有机晶体管
作者:
Dimitrakopoulos C.D.
;
Purushothaman S.
;
Kymissis J.
;
Callegari A.
;
Neumayer D.A.
;
Duncombe P.R.
;
Laibowitz R.B.
;
Shaw J.M.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
24.
Growth and applications of nanotube films
机译:
纳米管薄膜的生长及应用
作者:
Kuttel O.M.
;
Dessibourg O.
;
Groning O.
;
Maillard E.
;
Nilsson L.O.
;
Schlapbach L.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
25.
Single-electron device research: some directions and challenges
机译:
单电子器件研究:一些方向和挑战
作者:
Kiehl R.A.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
26.
AlAs
0.56
Sb
0.44
/In
0.53
Ga
0.47
As doped multi-channel field effect transistors
机译:
AlAs
0.56 sub> Sb
0.44 sub> / In
0.53 sub> Ga
0.47 sub> As掺杂的多沟道场效应晶体管
作者:
Dumka D.C.
;
Cueva G.
;
Adesida I.
;
Hier H.S.
;
Aina O.A.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
27.
All-organic integrated emissive pixels
机译:
全有机集成发光像素
作者:
Klauk H.
;
DAndrade B.
;
Jackson T.N.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
28.
Organic thin film transistors with field effect mobility >2 cm
2
/V-s
机译:
场效应迁移率> 2 cm
2 sup> / V-s的有机薄膜晶体管
作者:
Gundlach D.J.
;
Kuo C.-C.
;
Nelson S.F.
;
Jackson T.N.
会议名称:
《》
|
2005年
29.
Organic semiconductor complementary logic circuits
机译:
有机半导体互补逻辑电路
作者:
Lin Y.-Y.
;
Dodabalapur A.
;
Sarpeshkar R.
;
Bao Z.
;
Li W.
;
Crone B.
;
Raju V.R.
;
Katz H.E.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
30.
P-channel thin film transistor of microcrystalline silicon directlydeposited at 320° C
机译:
直接在320°C沉积的微晶硅的P沟道薄膜晶体管
作者:
Chen Y.
;
Pangal K.
;
Sturm J.C.
;
Wagner S.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
31.
High transconductance 0.1 μm Ge/Si
0.4
Ge
0.6
Schottky-gated p-MODFETs
机译:
高跨导0.1μmGe / Si
0.4 sub> Ge
0.6 sub>肖特基栅极p-MODFET
作者:
Hammond R.
;
Koester S.J.
;
Chu J.O.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
32.
High performance 0.25 μm T-gate SiGe-n-MODFET
机译:
高性能0.25μmT栅极SiGe-n-MODFET
作者:
Zeuner M.
;
Hackbarth T.
;
Konig U.
;
Gruhle A.
;
Aniel F.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
33.
Enhanced hole mobilities in tensile-strainedSi
1-y
C
y
alloy PMOSFETs
机译:
拉伸应变Si
1-y sub> C
y sub>合金PMOSFET中空穴迁移率的提高
作者:
Quinones E.
;
Ray S.K.
;
Liu K.C.
;
Banerjee S.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
34.
Measurement of minority electron mobilities in SiGe base region ofnpn SiGe/Si heterojunction bipolar transistors
机译:
npn SiGe / Si异质结双极晶体管的SiGe基极区中少数电子迁移率的测量
作者:
Rieh J.-S.
;
Bhattacharya P.K.
;
Croke E.T.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
35.
Transparent-substrate(Al
x
Ga
1-x
)
0.5
In
0.5
Plight-emitting diodes with thin active regions
机译:
透明衬底(Al
x sub> Ga
1-x sub>)
0.5 sub> In
0.5 sub>具有薄有源区的发光二极管
作者:
Gardner N.F.
;
Chui H.C.
;
Chen E.I.
;
Krames M.R.
;
Huang J.-W.
;
Kish F.A.
;
Stockman S.A.
;
Kocot C.P.
;
Tan T.S.
;
Moll N.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
36.
Multi-quantum well GaInNAs/GaAs lasers with low threshold currentdensity grown by MOCVD
机译:
通过MOCVD生长的具有低阈值电流密度的多量子阱GaInNAs / GaAs激光器
作者:
Cheng J.
;
Li N.Y.
;
Hains C.P.
;
Yang K.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
37.
Low threshold current, high efficiency InGaAsPN basedlong-wavelength quantum well lasers
机译:
低阈值电流,基于InGaAsPN的高效长波长量子阱激光器
作者:
Gokhale M.R.
;
Jian Wei
;
Studenkov P.
;
Hongsheng Wang
;
Forrest S.R.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
38.
High temperature, optically pumped, 1.55 μm VCSEL operating at 6Gb/s
机译:
高温,光泵浦,1.55μmVCSEL,工作速率为6Gb / s
作者:
Keating A.
;
Black A.
;
Karim A.
;
Yi-Jen Chiu
;
Abraham P.
;
Harder C.
;
Hu E.
;
Bowers J.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
39.
Demonstration of electrically pumped nitride distributed feedbacklasers employing dielectric gratings
机译:
演示采用介电光栅的电泵氮化物分布反馈激光器
作者:
Abare A.C.
;
Hansen M.
;
Speck J.S.
;
Coldren L.A.
;
DenBaars S.P.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
40.
Room temperature operation of a single electron switch with anelectrically formed quantum dot
机译:
具有电子形成的量子点的单电子开关的室温操作
作者:
Dae Hwan Kim
;
Dong-Hyuk Chae
;
Jong Duk Lee
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
41.
Planar non-volatile memory with single-electron channel fabricatedon a hyper-thin SOI film
机译:
在超薄SOI膜上制造具有单电子通道的平面非易失性存储器
作者:
Uchida K.
;
Koga J.
;
Ohba R.
;
Takagi S.
;
Toriumi A.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
42.
Programming dynamics of a single electron memory cell with ahigh-density SiGe nanocrystal array at room temperature
机译:
具有高密度SinGle纳米晶体阵列的单个电子存储单元在室温下的编程动力学
作者:
Dong-Hyuk Chae
;
Tae-Sik Yoon
;
Dae Hwan Kim
;
Jang-Yeon Kwon
;
Ki-Bum Kim
;
Jong Duk Lee
;
Byung-Gook Park
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
43.
A 60 nm channel length silicon stacked tunnel transistor
机译:
60 nm沟道长度的硅堆叠隧道晶体管
作者:
Nakazato K.
;
Itoh K.
;
Mizuta H.
;
Ahmed H.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
44.
1999 57th Annual Device Research Conference Digest (Cat.No.99TH8393)
机译:
1999年第57届年度设备研究大会摘要(目录号99TH8393)
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
45.
Organic thin films: new materials for new devices inoptoelectronics
机译:
有机薄膜:光电子新器件的新材料
作者:
Forrest S.R.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
46.
4 kV silicon carbide Schottky diodes for high-frequency switchingapplications
机译:
适用于高频开关应用的4 kV碳化硅肖特基二极管
作者:
McGlothlin H.M.
;
Morisette D.T.
;
Cooper J.A. Jr.
;
Melloch M.R.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
47.
High-voltage lateral RESURF MOSFETs on 4H-SiC
机译:
在4H-SiC上的高压横向RESURF MOSFET
作者:
Chatty K.
;
Banerjee S.
;
Chow T.P.
;
Gutmann R.J.
;
Hoshi M.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
48.
AlGaN/GaN microwave power HEMTs
机译:
AlGaN / GaN微波功率HEMT
作者:
Eastman L.F.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
49.
Future prospects for Si CMOS technology
机译:
Si CMOS技术的未来前景
作者:
Frank D.J.
;
Yuan Taur
;
Hen-Sum Philip Wong
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
50.
Source-side barrier effects with very high-K dielectrics in 50 nmSi MOSFETs
机译:
50 nmSi MOSFET中具有非常高K的电介质的源极侧势垒效应
作者:
Kencke D.L.
;
Chen W.
;
Wang H.
;
Mudanai S.
;
Ouyang Q.
;
Tasch A.
;
Banerjee S.K.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
51.
60 nm Γ-gate MOSFETs with self-aligned drain extension formedby solid phase diffusion
机译:
通过固相扩散形成具有自对准漏极扩展的60 nmΓ栅极MOSFET
作者:
To K.H.
;
Woo J.C.S.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
52.
35 nm metal gate SOI-p-MOSFETs with PtSi Schottky source/drain
机译:
具有PtSi肖特基源极/漏极的35 nm金属栅极SOI-p-MOSFET
作者:
Saitoh W.
;
Yamagami S.
;
Itoh A.
;
Asada M.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
53.
Ridge-type InGaAs quantum wire field effect transistor withnegative differential resistance
机译:
具有负差分电阻的脊型InGaAs量子线场效应晶体管
作者:
Kim S.J.
;
Sugaya T.
;
Ogura M.
;
Sugiyama Y.
;
Tomizawa K.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
54.
An optically driven quantum dot quantum computer
机译:
光驱量子点量子计算机
作者:
Sanders G.D.
;
Kim K.W.
;
Holton W.C.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
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2005年
55.
Nanoimprinted organic distributed feedback lasers under pulsed andquasi-CW optical pumping
机译:
脉冲和准连续光泵浦下的纳米压印有机分布反馈激光器
作者:
Kozlov V.G.
;
Wang J.
;
Chou S.Y.
;
Forrest S.R.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
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2005年
56.
Non-uniform long-wavelength quantum well infrared photodetectorswith low dark current and high BLIP temperature
机译:
低暗电流和高BLIP温度的非均匀长波长量子阱红外光电探测器
作者:
Wang S.Y.
;
Lee C.P.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
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2005年
57.
4500 V planar implanted anode p-i-n junction rectifiers in 4H-SiC
机译:
4H-SiC中的4500 V平面植入阳极p-i-n结整流器
作者:
Redison J.B.
;
Li Z.
;
Ramungul N.
;
Chow T.P.
;
Ghezzo M.
;
Kretchmer J.
;
Elasser A.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
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2005年
58.
Applying selective liquid-phase deposition instead of reactive ionetching to the contact hole formation of MOSFETs
机译:
对MOSFET的接触孔形成进行选择性液相沉积而不是反应性离子刻蚀
作者:
Ching-Fa Yeh
;
Chien-Hung Liu
;
Shor-Chen Wang
;
Yu-Jei Hsiao
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
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2005年
59.
Vertical cavity blue InGaN/GaN MQW light emitting devices usingsubstrate separation and substrate transfer techniques
机译:
使用衬底分离和衬底转移技术的垂直腔蓝InGaN / GaN MQW发光器件
作者:
Song Y.-K.
;
Diagne M.
;
Zhou H.
;
Nurmikko A.V.
;
Carter-Coman C.
;
Kern R.S.
;
Kish F.A.
;
Krames M.R.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
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2005年
60.
4H-SiC continuous wave SITs
机译:
4H-SiC连续波SIT
作者:
Siergiej R.R.
;
Bojko R.J.
;
Clarke R.C.
;
Curtice W.R.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
61.
Devices for silicon microphotonic interconnection: photoniccrystals, waveguides and silicon optoelectronics
机译:
硅微光子互连设备:光子晶体,波导和硅光电器件
作者:
Kimerling L.C.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
62.
MEMS based on III-V-compounds for sensing applications and opticalcommunication
机译:
基于III-V化合物的MEMS,用于传感应用和光通信
作者:
Hartnagel H.L.
;
Mutamba K.
;
Pfeiffer J.
;
Riementschneider R.
;
Peerlings J.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
63.
Next generation HEMTs
机译:
下一代HEMT
作者:
Docter D.
;
Matlouvian M.
;
Micovic M.
;
Nguyen C.
;
Ngo C.
;
Bui S.
;
Janke P.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
64.
Ultrahigh-speed InP-based D- and E-mode MODFETs with ultra-shortelectrochemically-recessed gate contacts
机译:
具有超短电化学凹槽栅极触点的基于InP的超高速D和E模式MODFET
作者:
Xu D.
;
Suemitsu T.
;
Umeda Y.
;
Yamana Y.
;
Ishii Y.
;
Ishii T.
;
Tamamura T.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
65.
Graded-barrier graded-channel InP pseudomorphic power HEMT with 40power added efficiency and 200 mW output power at 60 GHz
机译:
梯度屏障梯度通道InP伪功率HEMT,在60 GHz时具有40%的功率附加效率和200 mW的输出功率
作者:
Grundbacher R.
;
Nishimoto M.
;
Chin T.P.
;
Chen Y.C.
;
Lai R.
;
Yamauchi D.
;
Barsky M.
;
Sabin E.
;
Elmadjian R.
;
Rodgers H.
;
Schreyer G.
;
Block T.
;
Medvedev V.
;
Streit D.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
66.
Integration of heterojunction interband tunnel diodes and HFETs formonolithic microwave circuits
机译:
用于单片微波电路的异质结带内隧道二极管和HFET的集成
作者:
Lewis J.
;
Nair V.
;
El-Zein N.
;
Deshpande M.
;
Kramer G.
;
Kyler M.
;
Goronkin H.
;
Cidronali A.
;
Manes G.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
67.
Observation of valence band electron emission from n-type siliconfield emitter arrays
机译:
从n型硅场发射器阵列发射价带电子的观察
作者:
Meng Ding
;
Han Kim
;
Akinwande A.I.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
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2005年
68.
A novel sidewall strained-Si channel nMOSFET
机译:
新型侧壁应变硅沟道nMOSFET
作者:
Liu K.C.
;
Wang X.
;
Quinones E.
;
Chen X.
;
Chen X.D.
;
Kencke D.
;
Anantharam B.
;
Ray S.K.
;
Oswal S.K.
;
Banerjee S.K.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
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2005年
69.
Current status and prospects of FET-type ferroelectric memories
机译:
FET型铁电存储器的现状与展望
作者:
Ishiwara H.
会议名称:
《Security of Distributed Control Systems, 2005》
|
2005年
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