机译:硅和双轴应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管中剪切应力引起的电子迁移率增强的实验确定
School of Engineering, The University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo, Tokyo 113-0032, Japan;
rnSchool of Engineering, The University of Tokyo, 2-11-16 Yayoi, Bunkyo, Tokyo 113-0032, Japan;
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机译:应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管中电子迁移率的提高
机译:Si / SiO_2界面处变形电势增加对金属氧化物半导体场效应晶体管中应力诱导的电子迁移率增强的影响
机译:定量电子衍射对比成像技术对应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管的纳米应力分析
机译:场效应和高电子迁移率晶体管中二维等离子体波引起的高频电子噪声的抑制
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:基于金属氧化物半导体场效应晶体管的库尔特计数器的实验表征
机译:具有LaAlO3栅极电介质的金属氧化物半导体场效应晶体管中电子迁移率的降解机理
机译:低于100纳米沟道长度的金属氧化物半导体场效应晶体管的电子速度过冲在77和30 K