机译:应变Si n型金属氧化物半导体场效应晶体管中电子迁移率的提高
机译:硅和双轴应变硅金属氧化物半导体场效应晶体管中剪切应力引起的电子迁移率增强的实验确定
机译:超薄体(110)n型金属氧化物半导体场效应晶体管中<110>定向电子迁移率优于<100>定向电子迁移率
机译:金属氧化物半导体界面缓冲层在硅衬底上提高绝缘体上极薄的ln_(0.7)Ga_(0.3)As绝缘体上金属氧化物半导体场效应晶体管的电子迁移率
机译:栅极湿法再氧化对在4H-SiC上制造的金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性和沟道迁移率的影响(0001)
机译:增强有机薄膜晶体管的场效应迁移率。
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
机译:具有LaAlO3栅极电介质的金属氧化物半导体场效应晶体管中电子迁移率的降解机理
机译:低于100纳米沟道长度的金属氧化物半导体场效应晶体管的电子速度过冲在77和30 K