SiC; MOS; FET; TDDB; reliability; channel mobility;
机译:取向依赖性湿法刻蚀制备具有(111)沟道表面的多鳍片型双栅双金属氧化物半导体场效应晶体管的有效载流子实验研究
机译:栅极氧化方法对4H-SiC C(0001)面上制造的金属氧化物半导体场效应晶体管电性能的影响
机译:表面形态对横向注入4H-SiC(0001)金属氧化物半导体场效应晶体管的沟道迁移率的影响
机译:栅极湿法再氧化对在4H-SiC上制造的金属氧化物半导体场效应晶体管的可靠性和沟道迁移率的影响(0001)
机译:先进的锗 - 锡P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管
机译:使用自对准和激光干涉光刻技术制造的多栅极ZnO金属氧化物半导体场效应晶体管的性能增强
机译:栅极湿式再氧化对4H-siC(000 1)上制备的金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性和沟道迁移率的影响
机译:在siO2上区域熔化 - 再结晶多晶硅薄膜制备的N沟道深度耗尽金属氧化物半导体场效应晶体管