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机译:取向依赖性湿法刻蚀制备具有(111)沟道表面的多鳍片型双栅双金属氧化物半导体场效应晶体管的有效载流子实验研究
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Tsukuba Central 2, 1-1-1 Umezono, Tsukuba, Ibaraki 305-8568, Japan;
double-gate MOSFET; FinFET; mobility; orientation-dependent wet etching; (110)-orientated SOI; rectangular cross-section Si-fin channel;
机译:具有(001)或(111)Si表面沟道的超薄体单栅极和双栅极绝缘体上金属-氧化物-半导体场效应晶体管的声子有限电子迁移率的经验模型
机译:通过取向依赖的湿法刻蚀制造具有(111)沟道表面的Multi-FinFET中的电子迁移率
机译:Ge凝结技术制备的(110)取向绝缘体上Ge沟道p沟道金属氧化物半导体场效应晶体管的沟道方向,有效场和空穴迁移率的温度依赖性
机译:湿法和干法刻蚀工艺在具有(111)沟道表面的FinFET中有效电子迁移率的比较研究
机译:阶梯通道厚度双栅隧道场效应晶体管的仿真研究
机译:栅极湿式再氧化对4H-siC(000 1)上制备的金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性和沟道迁移率的影响
机译:在siO2上区域熔化 - 再结晶多晶硅薄膜制备的N沟道深度耗尽金属氧化物半导体场效应晶体管