机译:通过取向依赖的湿法刻蚀制造具有(111)沟道表面的Multi-FinFET中的电子迁移率
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan;
FinFET; double-gate MOSFET; orientation-dependent wet etching; rectangular cross-section Si-fin; mobility;
机译:取向依赖性湿法刻蚀制备具有(111)沟道表面的多鳍片型双栅双金属氧化物半导体场效应晶体管的有效载流子实验研究
机译:使用与方向有关的湿法刻蚀制造的理想矩形截面Si-Fin沟道双栅MOSFET
机译:在(111)取向的InGaAs通道上制造的高电子迁移率金属绝缘体半导体场效应晶体管
机译:湿法和干法刻蚀工艺在具有(111)沟道表面的FinFET中有效电子迁移率的比较研究
机译:超高真空扫描隧道显微镜的开发。溴暴露下硅(111)和锗(111)表面蚀刻的扫描隧道显微镜研究
机译:通过顺序湿法蚀刻工艺制造不同几何截面的聚二甲基硅氧烷微流体通道的一步方法
机译:使用各向异性湿法蚀刻实现具有硅(111)表面的低损耗缝隙波导
机译:双蚀刻技术制作的窄双电流限制瞄准基板平面激光器