公开/公告号CN101079434B
专利类型发明专利
公开/公告日2010-06-09
原文格式PDF
申请/专利权人 北京大学;
申请/专利号CN200710118823.4
申请日2007-06-12
分类号H01L27/12(20060101);H01L29/792(20060101);H01L29/423(20060101);H01L21/84(20060101);H01L21/336(20060101);H01L21/28(20060101);
代理机构北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人贾晓玲
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
入库时间 2022-08-23 09:04:36
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-31
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/12 授权公告日:20100609 终止日期:20180612 申请日:20070612
专利权的终止
2013-06-19
专利权的转移 IPC(主分类):H01L27/12 变更前: 变更后: 登记生效日:20130529 申请日:20070612
专利申请权、专利权的转移
2013-06-19
专利权的转移 IPC(主分类):H01L 27/12 变更前: 变更后: 登记生效日:20130529 申请日:20070612
专利申请权、专利权的转移
2010-06-09
授权
授权
2010-06-09
授权
授权
2008-01-23
实质审查的生效
实质审查的生效
2008-01-23
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-11-28
公开
公开
2007-11-28
公开
公开
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机译: 应变硅互补金属氧化物半导体,包括含硅的拉伸N型鳍式场效应晶体管和含硅的压缩P型鳍式场效应晶体管,其使用双弛豫基体制成
机译: 应变硅互补金属氧化物半导体,包括含硅的拉伸N型鳍式场效应晶体管和含硅的压缩P型鳍式场效应晶体管,其使用双弛豫基体制成
机译: 应变硅互补金属氧化物半导体,包括使用双弛豫衬底形成的含硅拉伸N型鳍式场效应晶体管和含硅压缩P型鳍式场效应晶体管