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2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop
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1.
Quantum transport property in FETs with deterministically implanted single-arsenic ions using single-ion implantation
机译:
使用单离子注入确定性注入单砷离子的FET中的量子传输特性
作者:
Hori M.
;
Shinada T.
;
Guagliardo F.
;
Ferrari G.
;
Prati E.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
2.
Charge-trap flash memory devices fabricated with nano-scale patterns on the Si3N4 trapping layer
机译:
在Si3N4俘获层上以纳米级图案制造的电荷俘获闪存器件
作者:
An Ho-Myoung
;
Kim Kyong Heon
;
Kim Hee-Dong
;
Cho Won-Ju
;
Kim Tae Geun
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
3.
Selective gas sensing with a single graphene-on-silicon transistor
机译:
使用单个石墨烯-硅晶体管进行选择性气体传感
作者:
Balandin A.A.
;
Rumyantsev S.
;
Liu G.
;
Shur M.S.
;
Potyrailo R.A.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
4.
Energy-efficiency and thermal management in nanoscale devices
机译:
纳米级设备的能效和热管理
作者:
Liao Albert D.
;
Ong Zhun-Yong
;
Serov Andrey Y.
;
Xiong Feng
;
Pop Eric
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
5.
Characteristics of Metal/Ferroelectric (PVDF-TrFE)/Graphene (MFG) device
机译:
金属/铁电(PVDF-TrFE)/石墨烯(MFG)器件的特性
作者:
Hwang H.J.
;
Paek E.J.
;
Yang J.H.
;
Kang C.G.
;
Lee B.H.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
6.
Self- compliance unipolar resistive switching and mechanism of Cu/SiO2/TiN RRAM devices
机译:
Cu / SiO2 / TiN RRAM器件的自顺应性单极电阻切换及机理
作者:
Yu D.
;
Liu L.F.
;
Huang P.
;
Zhang F.F.
;
Chen B.
;
Gao B.
;
Hou Y.
;
Han D.D
;
Wang Y
;
Kang J.F.
;
Zhang X.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
7.
3-D stacked NAND flash memory having lateral bit-line layers and vertical gate
机译:
具有横向位线层和垂直栅极的3D堆叠NAND闪存
作者:
Lee Ju-Wan
;
Jeong Min-Kyu
;
Park Byung-Gook
;
Shin Hyungcheol
;
Lee Jong-Ho
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
8.
Effect of Cu insertion layer between top electrode and switching layer on resistive switching characteristics
机译:
顶部电极和开关层之间的Cu插入层对电阻开关特性的影响
作者:
Jung Sunghun
;
Oh Jeong-Hoon
;
Ryoo Kyung-Chang
;
Kim Sungjun
;
Lee Jong-Ho
;
Shin Hyungcheol
;
Park Byung-Gook
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
9.
On the statistical trap-response (STR) method for characterizing random trap occupancy and NBTI fluctuation
机译:
关于表征随机陷阱占用和NBTI波动的统计陷阱响应(STR)方法
作者:
Zou Jibin
;
Liu Changze
;
Wang Runsheng
;
Xu Xiaoqing
;
Liu Jinhua
;
Wu Hanming
;
Wang Yangyuan
;
Huang Ru
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
10.
Quantum transport simulation of III–V MOSFETs based on Wigner Monte Carlo approach
机译:
基于Wigner蒙特卡洛方法的III–V MOSFET的量子传输仿真
作者:
Maegawa Yosuke
;
Koba Shunsuke
;
Tsuchiya Hideaki
;
Ogawa Matsuto
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
11.
Metal/Ge Schottky barrier modulation with C-containing layer by chemical bath
机译:
化学浴法对含C层的金属/ Ge肖特基势垒进行调制
作者:
Wang Wei
;
Wang Jing
;
Zhao Mei
;
Liang Renrong
;
Xu Jun
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
12.
Effect of interfacial states on the technological variability of trigate MOSFETs
机译:
界面态对三栅MOSFET技术可变性的影响
作者:
Gonzalez-Marin E.
;
Ruiz F. G.
;
Godoy A.
;
Tienda-Luna I. M.
;
Gamiz F.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
13.
Transport in graphene on boron nitride
机译:
石墨烯在氮化硼上的传输
作者:
Ferry D.K.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
14.
Bidirectional selection device characteristics of ultra-thin (<3nm) TiO2 layer for 3D vertically stackable ReRAM application
机译:
用于3D垂直可堆叠ReRAM应用的超薄(<3nm)TiO2层的双向选择器件特性
作者:
Woo Jiyong
;
Park Jubong
;
Shin Jungho
;
Choi Godeuni
;
Kim Seonghyun
;
Lee Wootae
;
Park Sangsu
;
Lee Daeseok
;
Cha Euijun
;
Hwang Hyunsang
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
15.
New type steep-S device using the bipolar action
机译:
使用双极作用的新型陡峭S装置
作者:
Hisamoto Digh
;
Saito Shin-ichi
;
Shima Akio
;
Yoshimoto Hiroyuki
;
Torii Kazuyoshi
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
16.
Device structure for the characterization of nanowire thermocouples
机译:
表征纳米线热电偶的装置结构
作者:
Szakmany Gergo P.
;
Krenz Peter M.
;
Orlov Alexei O.
;
Bernstein Gary H.
;
Porod Wolfgang
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
17.
Characteristics and sensitivity of p-type junctionless gate-all-around nanowire transistor
机译:
p型无结全栅纳米线晶体管的特性和灵敏度
作者:
Han Ming-Hung
;
Jhan Yi-Ruei
;
Wu Jia-Jiun
;
Chen Hung-Bin
;
Wu Yung-Chun
;
Chang Chun-Yen
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
18.
Analysis of hysteresis characteristics of fabricated SiNW biosensor in aqueous environment with reference electrode
机译:
参比电极在水环境中制备的SiNW生物传感器的磁滞特性分析
作者:
Lee Jung Han
;
Lee Jieun
;
Sun Min-Chul
;
Lee Won Hee
;
Uhm Mihee
;
Hwang Seonwook
;
Chung In-Young
;
Kim Dong Myong
;
Kim Dae Hwan
;
Park Byung-Gook
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
19.
Quantum Drift-Diffusion and Quantum Energy Balance simulation of nanowire junctionless transistors
机译:
纳米线无结晶体管的量子漂移扩散和量子能量平衡模拟
作者:
Badami O.
;
Kumar N.
;
Saha D.
;
Ganguly S.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
20.
Effects of amorphous silicon atomic density variation on series and contact resistances in nanoscale thin-film structures
机译:
非晶硅原子密度变化对纳米级薄膜结构的串联和接触电阻的影响
作者:
Ryu Min Woo
;
Kim Sung-Ho
;
Kim Kyung Rok
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
21.
Evaluation of scattering in asymmetric quasi-ballistic DG-MOSFET
机译:
非对称准弹道DG-MOSFET的散射评估
作者:
Liu Gai
;
Du Gang
;
Lu Tiao
;
Liu Xiaoyan
;
Zhang Pingwen
;
Zhang Xing
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
22.
Physical model for Random Telegraph Noise amplitudes and implications
机译:
随机电报噪声幅度及其影响的物理模型
作者:
Southwick Richard G.
;
Cheung K.P.
;
Campbell J.P.
;
Drozdov S.A.
;
Ryan J.T.
;
Suehle J.S.
;
Oates A.S.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
23.
Optoelectrical lifetime evaluation of single holes in SOI MOSFET
机译:
SOI MOSFET中单孔的光电寿命评估
作者:
Du Wei
;
Putranto Dedy Septono
;
Satoh Hiroaki
;
Ono Atsushi
;
Priambodo Purnomo Sidi
;
Hartanto Djoko
;
Inokawa Hiroshi
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
24.
Ab initio analysis of donor state deepening in Si nano-channels
机译:
Si纳米通道中供体态加深的从头算分析
作者:
Moraru D.
;
Kuzuya Y.
;
Hamid E.
;
Mizuno T.
;
Tabe M.
;
Mizuta H.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
25.
Single-electron transport through a single donor at elevated temperatures
机译:
在高温下通过单个供体的单电子传输
作者:
Hamid Earfan
;
Moraru Daniel
;
Mizuno Takeshi
;
Tabe Michiharu
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
26.
Silicon microfabrication technologies for THz applications
机译:
太赫兹应用的硅微加工技术
作者:
Jung-Kubiak C.
;
Gill J.
;
Reck T.
;
Lee C.
;
Siles J.
;
Chattopadhyay G.
;
Lin R.
;
Cooper K.
;
Mehdi I.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
27.
Simulation study on process conditions for high-speed silicon photodetector and quantum-well structuring for increased number of wavelength discriminations
机译:
高速硅光电探测器的工艺条件和量子阱结构以增加波长识别数量的仿真研究
作者:
Cho Seongjae
;
Kim Hyungjin
;
Sun Min-Chul
;
Kamins Theodore I.
;
Park Byung-Gook
;
Harris James S.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
28.
Nano-transfer printing of functioning MIM tunnel diodes
机译:
功能性MIM隧道二极管的纳米转移印刷
作者:
Bareiss Mario
;
Weiler Benedikt
;
Kalblein Daniel
;
Zschieschang Ute
;
Klauk Hagen
;
Scarpa Giuseppe
;
Fabel Bernhard
;
Lugli Paolo
;
Porod Wolfgang
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
29.
Statistical variability study of a 10nm gate length SOI FinFET device
机译:
10nm栅长SOI FinFET器件的统计变异性研究
作者:
Cheng Binjie
;
Brown Andrew R.
;
Wang Xingsheng
;
Asenov Asen
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
30.
Negative Differential resistance devices with ultra-high peak-to-valley current ratio based on silicon nanowire structure
机译:
基于硅纳米线结构的具有超高峰谷电流比的负差分电阻器件
作者:
Shin Sunhae
;
Ryu Min Woo
;
Kim Kyung Rok
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
31.
Reduced drain current variability in fully depleted silicon-on-thin-BOX (SOTB) MOSFETs
机译:
完全耗尽的薄盒硅(SOTB)MOSFET的漏极电流可变性降低
作者:
Mizutani T.
;
Yamamoto Y.
;
Makiyama H.
;
Tsunomura T.
;
Iwamatsu T.
;
Oda H.
;
Sugii N.
;
Hiramoto T.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
32.
A single atom transistor
机译:
单原子晶体管
作者:
Simmons M.Y.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
33.
Graphene fillers for ultra-efficient thermal interface materials
机译:
石墨烯填料,用于超高效热界面材料
作者:
Shahil K. M. F.
;
Goyal V.
;
Gulotty R.
;
Balandin A. A.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
34.
Graphene-diamond-silicon devices with increased current-carrying capacity: sp
2
-Carbon-sp
3
-Carbon-on-Silicon technology
机译:
具有更高载流能力的石墨烯-金刚石-硅器件:sp
2 sup> -Carbon-sp
3 sup>-硅上碳技术
作者:
Yu Jie
;
Liu Guanxiong
;
Sumant Anirudha V.
;
Balandin Alexander A.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
35.
Band structure and electron transport in multi-junction graphene nanoribbons
机译:
多结石墨烯纳米带的能带结构和电子传输
作者:
Hasegawa Naomi
;
Sako Ryutaro
;
Tsuchiya Hideaki
;
Ogawa Matsuto
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
36.
Scale laws for enhanced power for MEMS based heat energy harvesting
机译:
用于基于MEMS的热能收集增强功率的比例定律
作者:
Puscasu O.
;
Monfray S.
;
Boeuf F.
;
Savelli G.
;
Gaillard F.
;
Guyomar D.
;
Skotnicki T.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
37.
Silicon single-electron transfer devices: Ultimate control of electric charge
机译:
硅单电子转移装置:电荷的最终控制
作者:
Fujiwara Akira
;
Yamahata Gento
;
Nishiguchi Katsuhiko
;
Lansbergen Gabriel P.
;
Ono Yukinori
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
38.
Fabrication and evaluation of heavily P-doped Si quantum dot and back-gate induced Si quantum dot
机译:
重掺杂P的Si量子点和背栅诱导的Si量子点的制备与评价
作者:
Kamioka J.
;
Kodera T.
;
Horibe K.
;
Kawano Y.
;
Oda S.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
39.
Microwave manipulation of electrons in silicon quantum dots
机译:
硅量子点中电子的微波处理
作者:
Ferrus T.
;
Rossi A.
;
Kodera T.
;
Kambara T.
;
Lin W.
;
Oda S.
;
Williams D. A.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
40.
Experimental demonstration of temperature stability of Si-tunnel FET over Si-MOSFET
机译:
Si-MOSFET上Si隧道FET温度稳定性的实验演示
作者:
Migita Shinji
;
Fukuda Koichi
;
Morita Yukinori
;
Ota Hiroyuki
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
41.
Charge sensing of a Si triple quantum dot system using single electron transistors
机译:
使用单电子晶体管的Si三重量子点系统的电荷感测
作者:
Mizokuchi R.
;
Kodera T.
;
Horibe K.
;
Kawano Y.
;
Oda S.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
42.
Reinvestigation of dot formation mechanisms in silicon nanowire channel single-electron/hole transistors operating at room temperature
机译:
在室温下工作的硅纳米线沟道单电子/空穴晶体管中点形成机理的再研究
作者:
Suzuki Ryota
;
Nozue Motoki
;
Saraya Takuya
;
Hiramoto Toshiro
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
43.
Co-existed unipolar and bipolar resistive switching effect of HfOx-based RRAM
机译:
基于HfOx的RRAM的单极和双极共存的电阻切换效应
作者:
Chen B.
;
Gao B.
;
Fu Y.H.
;
Liu R.
;
Ma L.
;
Huang P.
;
Zhang F.F.
;
Liu L.F.
;
Liu X.Y.
;
Kang J.F.
;
Lian G.J.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
44.
4kb nonvolatile nanogap memory (NGpM) with 1 ns programming capability
机译:
具有1 ns编程能力的4kb非易失性纳米间隙存储器(NGpM)
作者:
Takahashi T.
;
Furuta S.
;
Masuda Y.
;
Kumaragurubaran S.
;
Sumiya T.
;
Ono M.
;
Hayashi Y.
;
Shimizu T.
;
Suga H.
;
Horikawa M.
;
Naitoh Y.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
45.
Mapping of single donors in nano-scale MOSFETs at low temperature
机译:
低温下纳米级MOSFET中单个施主的映射
作者:
Verduijn J.
;
Tettamanzi G.C.
;
Wacquez R.
;
Roche B.
;
Voisin B.
;
Jehl X.
;
Sanquer M.
;
Rogge S.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
46.
High-frequency properties of Si single-electron transistor
机译:
Si单电子晶体管的高频特性
作者:
Takenaka Hiroto
;
Shinohara Michito
;
Uchida Takafumi
;
Arita Masashi
;
Fujiwara Akira
;
Ono Yukinori
;
Nishiguchi Katsuhiko
;
Inokawa Hiroshi
;
Takahashi Yasuo
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
47.
The impact of the carrier transport on the random dopant induced drain current variation in the saturation regime of advanced strained-silicon CMOS devices
机译:
载流子传输对高级应变硅CMOS器件饱和状态下随机掺杂剂引起的漏极电流变化的影响
作者:
Hsieh E. R.
;
Chung Steve S.
;
Tsai C. H.
;
Huang R. M.
;
Tsai C. T.
;
Liang C. W.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
48.
Rectifying characteristics and implementation of n-Si/HfO2 based devices for 1D1R-based cross-bar memory array
机译:
基于1D1R的交叉存储阵列的基于n-Si / HfO2的器件的整流特性和实现
作者:
Zhang F. F.
;
Huang P.
;
Chen B.
;
Yu D.
;
Fu Y. H.
;
Ma L.
;
Gao B.
;
Liu L. F.
;
Liu X. Y.
;
Kang J. F.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
49.
Simulation of charge trapping memory with silicon nanocrystals embedded in silicon nitride layer
机译:
氮化硅层中嵌入硅纳米晶体的电荷陷阱存储器的仿真
作者:
Peng Yahua
;
Liu Xiaoyan
;
Du Gang
;
Yang Yan
;
Kang Jinfeng
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
50.
Nanodot-type floating gate memory with high-density nanodot array formed utilizing Listeria Dps
机译:
利用李斯特菌Dps形成具有高密度纳米点阵列的纳米点型浮栅存储器
作者:
Kamitake Hiroki
;
Ohara Kosuke
;
Uenuma Mutsunori
;
Zheng Bin
;
Ishikawa Yasuaki
;
Yamashita Ichiro
;
Uraoka Yukiharu
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
51.
Impacts of silicon nanocrystal incorporation on the transfer characteristics of poly-silicon nanowire SONOS devices
机译:
硅纳米晶掺入对多晶硅纳米线SONOS器件传输特性的影响
作者:
Lee Ko-Hui
;
Lin Horng-Chih
;
Huang Tiao-Yuan
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
52.
Self-improvement of cell stability in SRAM by post fabrication technique
机译:
通过后期制造技术自我提高SRAM中单元的稳定性
作者:
Kumar Anil
;
Saraya Takuya
;
Miyano Shinji
;
Hiramoto Toshiro
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
53.
Low standby power charge trap flash memory with tunneling field effect transistor
机译:
具有隧穿场效应晶体管的低待机功耗电荷陷阱闪存
作者:
Han Min Su
;
Lee Jong Ho
;
Seo Dongsun
;
Park Chong-Dae
;
Oh Youngcheol
;
Cho Il Hwan
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
54.
Statistical distribution of RTS amplitudes in 20nm SOI FinFETs
机译:
20nm SOI FinFET中RTS幅度的统计分布
作者:
Wang Xingsheng
;
Brown Andrew R.
;
Cheng Binjie
;
Asenov Asen
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
55.
Oxygen-induced high-k degradation in TiN/HfSiO gate stacks
机译:
TiN / HfSiO栅叠层中氧诱导的高k退化
作者:
Hosoi Takuji
;
Odake Yuki
;
Chikaraishi Keisuke
;
Arimura Hiroaki
;
Kitano Naomu
;
Shimura Takayoshi
;
Watanabe Heiji
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
56.
Electronic band structures of graphene nanomeshes
机译:
石墨烯纳米网的电子能带结构
作者:
Sako Ryutaro
;
Hasegawa Naomi
;
Tsuchiya Hideaki
;
Ogawa Matsuto
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
57.
Mechanisms of ambient dependent mobility degradation in the graphene MOSFETs on SiO2 substrate
机译:
SiO2衬底上石墨烯MOSFET中与环境有关的迁移率降低的机理
作者:
Lee Y.G.
;
Kang C.G.
;
Cho C.
;
Kim Y.H.
;
Hwang H.J.
;
Kim J.J.
;
Jung U.J.
;
Park E.J.
;
Kim M.W.
;
Lee B.H.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
58.
Orientation and size effects on ballistic electron transport properties in gate-all-around rectangular germanium nanowire FETs
机译:
取向和尺寸对全方位栅矩形锗纳米线FET中弹道电子传输性能的影响
作者:
Mori Seigo
;
Morioka Naoya
;
Suda Jun
;
Kimoto Tsunenobu
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
59.
The interplay of self-heating effects and static RTF in nanowire transistors
机译:
纳米线晶体管中自热效应和静态RTF的相互作用
作者:
Vasileska D.
;
Hossain A.
;
Goodnick S. M.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
60.
Graphene for More Moore and More Than Moore applications
机译:
石墨烯可用于更多摩尔和更多摩尔的应用
作者:
Lemme M.C.
;
Vaziri S.
;
Smith A.D.
;
Li J.
;
Rodriguez S.
;
Rusu A.
;
Ostling M.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
61.
High performance Ω-gate Ge FinFET featuring low temperature Si2H6 passivation and implantless Schottky-barrier NiGe metallic Source/Drain
机译:
具有低温Si2H6钝化和无植入肖特基势垒NiGe金属源极/漏极的高性能Ω栅极Ge FinFET
作者:
Liu Bin
;
Gong Xiao
;
Han Genquan
;
Lim Phyllis Shi Ya
;
Tong Yi
;
Zhou Qian
;
Yang Yue
;
Daval Nicolas
;
Pulido Matthieu
;
Delprat Daniel
;
Nguyen Bich-Yen
;
Yeo Yee-Chia
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
62.
Systolic architectures and applications for nanomagnet logic
机译:
纳米磁体逻辑的脉动体系结构和应用
作者:
Niemier M.
;
Ju X.
;
Becherer M.
;
Csaba G.
;
Hu X.S.
;
Schmitt-Landsiedel D.
;
Lugli P.
;
Porod W.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
63.
A novel gate-all-around ultra-thin p-channel poly-Si TFT functioning as transistor and flash memory with silicon nanocrystals
机译:
一种新型的全栅超薄p沟道多晶硅TFT,用作具有硅纳米晶体的晶体管和闪存
作者:
Chen Hung-Bin
;
Lin Shih-Han
;
Wu Jia-Jiun
;
Wu Yung-Chun
;
Chang Chun-Yen
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
64.
High-performance pMOSFETs with high-k gate dielectric and dislocation-free epitaxial Si/Ge super-lattice channel
机译:
具有高k栅极电介质和无位错外延Si / Ge超晶格沟道的高性能pMOSFET
作者:
Liu Li-Jung
;
Chang-Liao Kuei-Shu
;
Fu Chung-Hao
;
Hsieh Hsiao-Chi
;
Lu Chun-Chang
;
Wang Tien-Ko
;
Gu P.Y.
;
Tsai M.J.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
65.
Analysis of static noise margin and power-gating efficiency of a new nonvolatile SRAM cell using pseudo-spin-MOSFETs
机译:
使用伪自旋MOSFET分析新型非易失性SRAM单元的静态噪声容限和功率门控效率
作者:
Shuto Yusuke
;
Yamamoto Shuu?ichirou
;
Sugahara Satoshi
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
66.
Recent progress of resistive switching random access memory (RRAM)
机译:
电阻切换随机存取存储器(RRAM)的最新进展
作者:
Wu Yi
;
Yu Shimeng
;
Guan Ximeng
;
Wong H.-S. Philip
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
67.
Investigation into the effect of the variation of gate dimensions on program characteristics in 3D NAND flash array
机译:
研究栅极尺寸变化对3D NAND闪存阵列中程序特性的影响
作者:
Seo Joo Yun
;
Kim Yoon
;
Park Se Hwan
;
Kim Wandong
;
Kim Do-Bin
;
Lee Jong-Ho
;
Shin Hyungcheol
;
Park Byung-Gook
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
68.
Fabrication and characterization of Si/SiGe quantum dots with capping gate
机译:
带盖栅的Si / SiGe量子点的制备与表征
作者:
Kodera Tetsuo
;
Fukuoka Yuji
;
Takeda Kenta
;
Obata Toshiaki
;
Yoshida Katsuharu
;
Sawano Kentaro
;
Uchida Ken
;
Shiraki Yasuhiro
;
Tarucha Seigo
;
Oda Shunri
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
69.
Counter dipole layer formation in SiO2/high-k/SiO2/Si gate stacks
机译:
SiO2 / high-k / SiO2 / Si栅堆叠中反偶极层的形成
作者:
Hibino S.
;
Nishimura T.
;
Nagashio K.
;
Kita K.
;
Toriumi A.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
70.
Variation-aware study of BJT-based capacitorless DRAM cell scaling limit
机译:
基于BJT的无电容器DRAM单元缩放限制的变化感知研究
作者:
Cho Min Hee
;
Kwon Wookhyun
;
Xu Nuo
;
Liu Tsu-Jae King
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
71.
Simultaneous carrier transport enhancement and variability reduction in Si MOSFETs by insertion of partial monolayers of oxygen
机译:
通过插入部分单层氧,同时提高Si MOSFET的载流子传输和降低可变性
作者:
Mears R.J.
;
Xu N.
;
Damrongplasit N.
;
Takeuchi H.
;
Stephenson R.J.
;
Cody N.W.
;
Yiptong A.
;
Huang X.
;
Hytha M.
;
King-Liu T.-J.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
72.
Magnetic tunnel junction for magnetoresistive random access memory and beyond
机译:
磁隧道结用于磁阻随机存取存储器
作者:
Ohno Hideo
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
73.
Comparative study of tri-gate- and double-gate-type poly-Si fin-channel split-gate flash memories
机译:
三栅型和双栅型多晶硅鳍片沟道分裂栅闪存的比较研究
作者:
Liu Y. X.
;
Kamei T.
;
Matsukawa T.
;
Endo K.
;
O?uchi S.
;
Tsukada J.
;
Yamauchi H.
;
Ishikawa Y.
;
Hayashida T.
;
Sakamoto K.
;
Ogura A.
;
Masahara M.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
74.
Innovative thermal energy harvesting for zero power electronics
机译:
零功率电子设备的创新热能收集
作者:
Monfray S.
;
Puscasu O.
;
Savelli G.
;
Soupremanien U.
;
Ollier E.
;
Guerin C.
;
Frechette L.G.
;
Leveille E.
;
Mirshekari G.
;
Maitre C.
;
Coronel P.
;
Domanski K.
;
Grabiec P.
;
Ancey P.
;
Guyomar Daniel
;
Bottarel V.
;
Ricotti G.
;
Boeuf F.
;
Gaillard F.
;
Skotnicki Tho
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
75.
Investigation on hump effects of L-shaped tunneling filed-effect transistors
机译:
L形隧穿场效应晶体管的驼峰效应研究
作者:
Kim Sang Wan
;
Choi Woo Young
;
Kim Hyungjin
;
Sun Min-Chul
;
Kim Hyun Woo
;
Park Byung-Gook
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
76.
Fabrication and characterization of a Pi-gate ultrathin body junctionless poly-Si TFTs
机译:
Pi门超薄体无结多晶硅TFT的制备与表征
作者:
Wu Jia-Jiun
;
Chen Hung-Bin
;
Han Ming-Hung
;
Wu Yung-Chun
;
Chang Chun-Yen
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
77.
Channel length-dependent series resistance?
机译:
通道长度相关的串联电阻?
作者:
Campbell J.P.
;
Cheung K.P.
;
Drozdov S.A.
;
Southwick R.G.
;
Ryan J.T.
;
Oates A.S.
;
Suehle J.S.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
78.
Single Ge quantum dot placement along with self-aligned electrodes for effective management of single electron tunneling
机译:
单Ge量子点放置以及自对准电极可有效管理单电子隧穿
作者:
Chen I. H.
;
Chen K. H.
;
Li P. W.
会议名称:
《2012 IEEE Silicon Nanoelectronics Workshop》
|
2012年
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