退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
揭斌斌; 薩支唐;
北京大学;
双极场引晶体管理论; MOS场引晶体管; 同时并存空穴电子表面沟道和体积沟道; 表面势; 两区短沟道理论; 双栅纯基;
机译:包含短沟道效应的双栅无结场效应晶体管的统一分析漏极电流模型
机译:基于表面电势的短沟道对称双栅无结晶体管的漏极电流模型
机译:MOS沟道(CDC)的反掺杂-一种改善对绝缘栅双极型晶体管锁存的抑制的新技术
机译:垂直结构全耗尽双栅MOS的短沟道抗扰度研究
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:双栅三有源层沟道用于AMOLED像素电路的IGZO薄膜晶体管的设计与分析
机译:双材料栅垂直环绕栅(DMGVSG)MOSFET抑制短沟道效应(SCE):3-D TCAD仿真
机译:短沟道绝缘栅场效应晶体管的精确模型
机译:具有双源极/漏极结的NMOS晶体管及其制造方法,可改善短沟道边距,并在不降低短沟道边距的情况下降低板电阻和接触电阻
机译:具有双漏极结构的MOS晶体管可抑制短沟道效应
机译:MOS晶体管电路和CMOS晶体管电路,使用双绝缘栅场晶体管,SRAM单元电路,CMOS-SRAM单元电路和集成电路
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。